Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  short-circuit conditions
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy oszacowano wartość błędu jaki popełnia się zakładając adiabatyczny warunek brzegowy zamiast konwekcyjnego przy zwarciu. W tym celu porównano krzywe rozgrzewu w warunkach konwekcyjnych i adiabatycznych przy tym samym prądzie zwarcia. Badania przeprowadzono dla okrągłego szynoprzewodu DC. Zakładano przy tym różne współczynniki przejmowania ciepła z powierzchni zewnętrznej jak również rożne jego przekroje. Zagadnienie brzegowego-początkowe nagrzewania adiabatycznego rozwiązano przy wykorzystaniu funkcji Greena. Z kolei zagadnienie przy konwekcyjnym warunku brzegowym rozwiązano wykorzystując zależności wyprowadzone w dostępnej literaturze oraz superpozycję składowych pola.
EN
The value of error, which is made by assuming adiabatic boundary condition instead of a convection condition during short circuit was estimated in the paper. For this purpose the heating up curves between adiabatic conditions and convection were compared for the same shortcircuit current. The round busbar DC was studied. Different coefficients of heat transfer from the outer surface and various cross-sections were assumed. The adiabatic boundary-initial problem was solved by using Green's functions. On the other hand, the convection boundary problem was solved using relations were derived in the available literature and the superposition of the field components.
PL
W artykule przedstawiono wygodny sposób wyznaczania temperatury struktury półprzewodnikowej przyrządów energoelektronicznych uzyskiwanej przez badania symulacyjne modelu cieplnego przyrządu. Opisano też sposób wykorzystania tej temperatury dla określania zagrożeń uszkodzeniem diod i tyrystorów w warunkach przeciążeń i zwarć oraz doboru zabezpieczeń przeciwzwarciowych.
EN
The paper presents a convenient way of determining the temperature of a semiconductor structure of an power electronic devices obtained during simulation investigations of a thermal model of the device. A method of using this temperature for determining hazards of damage for diods and thyristors in conditions of overloads and short circuits, a nd for selection of short circuit protection.
PL
W publikacji przedstawiono wpływ warunków zwarciowych na pracę sieci przemysłowych. W szczególności uwzględniono sytuację, w której dochodzi do zmiany mocy zwarciowej lub struktury sieci odbiorczej. W badaniach podjęto próbę wykazania, Se szczegółowe uwzględnienie stopnia obciążenia elementów sieci moSe wpłynąć na ograniczenie nakładów finansowych na jej modernizację.
EN
The paper presents the influence of short-circuit conditions on industrial power networks. It mainly includes the problem of changing short-circuit power or the structure of power network. The attempt was taken to prove that including load range of power network may result in decreasing total costs of modernization.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.