Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

A novel approach to improve reliability of aerosol jet printing process

Winnicki Marcin, Łapa Wojciech, Świadkowski Bartosz

Eksploatacja i Niezawodność

|

2024

|

Vol. 26, no. 2

art. no. 180012

EN

Additive manufacturingis gaining interest for printing of noble metals. In this study, aerosol jet printingwas applied to fabricate traces from commercialsilver nanoparticleink. A self-built three dimensional printing machine was used without or with in-line substrate heating. A conductive traces were printed on flexible polyimide substrates. Subsequently, sintering was conducted by furnace or near-infrared source. Examination of the sample using scanning electron and atomic force microscopy revealed the existence of both micro-and nanoscale pores in the structure. Local open porosity, aerosol extensive spatter and wide porous overspray were key defects found in samples printed without substrate heating. All the features affect the properties and reliability of silver prints.In-line process heating increased the concentration of nanoparticles and limited defects formation. What is more, the width of traces decreased from 31 µm to 19 µm with simultaneous thickness increase from 1.2 to 5.5 µm due to substrate heating. The final structure was influenced by sintering method and its time. Elongated time of sintering decreased porosity and roughness of the printed traces. Nevertheless,IR sintering provided the smoothest sample surface with lowest Sa roughness of 16 nm,and significantly improved bonding of aggregates. What is more, the printed structure had a measured sheet resistance of 8.3×10−2Ω/□.

2

Wpływ światła na rezystancję powierzchniową heterostruktury AlGaN/GaN

Pokryszka P., Paszkiewicz B.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

R. 94, nr 9

29--31

PL

Rezystancja powierzchniowa jest jednym z najczęściej wykorzystywanych parametrów elektrycznych wytworzonych cienkich warstw. Szczególną cechą rezystancji powierzchniowej jest jej skalowalność, którą często wykorzystuje się w ocenie jakościowej przyrządów półprzewodnikowych zaprojektowanych w różnej skali. W pracy przedstawiono wpływ pobudzenia UV na GaN. Na podstawie zaprezentowanej metody zbadano wpływ światła na rezystancję powierzchniową oraz uzyskano charakterystykę widmową heterostruktury AlGaN/GaN. Pomiary wykonano z wykorzystaniem struktury testowej typu Hall bar. Wzrost heterostruktury AlGaN/GaN uzyskano metodą MOCVD. Pomiary przeprowadzono w temperaturze pokojowej natomiast czynnikiem pobudzającym było światło z zakresu 280-640 nm. W pracy zbadano i omówiono zmianę rezystancji powierzchniowej w funkcji długości fali światła pobudzającego, analizowano również obecność głębokich poziomów w heterostruktorze AlGaN/GaN.

EN

Sheet resistance is most commonly used electrical parameters of thin films produced. A special feature of sheet resistance is its scalability, which is often used in the qualitative assessment of semiconductor devices designed at different scales. The paper presents the effect of UV excitation on GaN. Based of presented method, influence of light on sheet resistance was investigated and spectral characteristic of AlGaN/GaN heterostructure were obtained. Based on presented method, influence of light on sheet resistance was examined and spectral characteristic of AlGaN/GaN heterostructure were obtained. Measurements were made using the Hall bar test structure. Grown by obtained MOCVD methods. The Hall bar test structures were fabricated and investigated at room temperature and light in 280-640 nm range. The work examines and discusses the change of sheet resistance as a function light was also analyzed in the presence of deep level AlGaN/GaN heterostructure.

3

Wyznaczanie rezystancji powierzchniowej warstwy emiterowej ogniwa słonecznego z wykorzystaniem efektywnych wartości współczynnika dyfuzji niezależnego od koncentracji domieszki

Filipowski W., Filipowska A, Waczyński K., Wróbel E., Izydorczyk W.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

26-28

PL

W niniejszym artykule poddano weryfikacji wyznaczone przez autorów efektywne wartości współczynnika dyfuzji fosforu w krzemie. W ramach przeprowadzonych badań, w różnych temperaturach procesu domieszkowania dyfuzyjnego, wytworzono warstwy emiterowe na podłożach krzemowych a następnie dokonano pomiarów rezystancji powierzchniowej. W kolejnym etapie wyniki pomiarów porównano z wartościami obliczonymi z wykorzystaniem efektywnych wartości współczynnika dyfuzji.

EN

In this paper was verified effective diffusion coefficient of phosphorus in silicon. As part of the research have been produced emitter layers on silicon wafers and then sheet resistance were measured. In a next step the measurement results are compared with the values calculated using the effective diffusion coefficient.

4

Badania nad możliwościami jednorodnego domieszkowania warstwy emiterowej struktury fotowoltaicznej w niskiej temperaturze procesu dyfuzji

Filipowski W., Waczyński K., Wróbel E., Drabczyk K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 5

60-62

PL

Ogniwa słoneczne należą do przyrządów półprzewodnikowych o bardzo dużej powierzchni. Podczas wytwarzania struktur o tak dużej powierzchni metodą domieszkowania dyfuzyjnego pojawia się problem jej jednorodności. W artykule przedstawiono wyniki badań jednorodności warstwy emiterowej pod kątem rezystancji powierzchniowej. Dokonano porównania jednorodności warstw wytworzonych z wykorzystaniem komercyjnej pasty P101 firmy Soltech i warstw wytworzonych z wykorzystaniem szkliw domieszkowych preparowanych w Instytucie Elektroniki Politechniki Śląskiej.

EN

Solar cells are semiconductor devices with very large surface area. During production of structures with such a large area by the diffusive doping method raises the problem of homogeneity. This article presents the results of studies on emitter layer homogeneity in terms of surface resistance. A comparison of the homogeneity of layers was carried out using commercial P101 (Soltech) paste and layers produced using spin on glasses prepared in the Institute of Electronics, Silesian University of Technology.