Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: shape and dimensions of obtained wafers

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Stanowisko i spiralno-wewnętrzna technika cięcia monokryształów SiC na płytki podłożowe

Hofman W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 7-8

31-35

Omówiono stanowisko oraz technikę efektywnego cięcia monokryształów SiC na cienkie płytki przy pomocy zbrojonej diamentem krawędzi kołowego otworu tarczy stalowej. Tarcza tnąca i kryształ wirowały podczas cięcia ze zgodnymi ale różnymi prędkościami kątowymi. W efekcie krótki i malejący odcinek bieżącego kontaktu krawędzi tarczy z kryształem zakreślał spiralę Archimedesa, która zwijała się do środka przekroju kryształu. Dobrano skład, intensywność i kształt strumienia płynu chłodzącego, zapobiegającego zaszlichcaniu się kra-wędzi tnącej. Optymalizację metody wykonano dla kryształów 4H i 6H-SiC o średnicach ≤3". Uzyskano płytki o grubości porównywalnej do grubości krawędzi tnącej tarczy (650±30 μm), gdy cięto je z szybkością równą 0,8 mm/min.

Instruments and efficient cutting of SiC single crystal into thin substrate wafers by means of ID diamond edge of steel blade were carried out. The blade and crystal were rotated holding constant and parallel but different angle velocities of rotations. In consequence a short and decreasing segment contact of crystal - blade circumscribed an Archimedes' spiral that was rolled to the centre of crystal cross-section. For above technique a chemical constitution, intensity and shape of cooling stream were fitted. This stream protected of saw blade from covering of its cutting edge with waste of SiC grains which are not easy removable from blade edge. Cut process was optimised for 4H and 6H-SiC crystals of diameter ≤3". The thickness of SiC wafers was close to the thickness of edge blade (650±30 μm) when cutting was executed with constant feed rate = 0,8 mm/min.