Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Obliczenia dotyczące elementów składowych wpływających na wartość rezystancji szeregowej krzemowego ogniwa słonecznego

Musztyfaga-Staszuk Małgorzata

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2019

|

Vol. 60, nr 7

4--6

PL

Rezystancja szeregowa należy do parametrów stanowiących o jakości ogniwa słonecznego, dlatego przy jego projektowaniu i wytwarzaniu dąży się do zminimalizowania jej wartości. W artykule zawarto zestawienie parametrów służących do obliczeń numerycznych składników rezystancji szeregowej ogniwa słonecznego oraz wynikającą z tego rezystywność. Określono wpływ właściwości warstw konstrukcyjnych krzemowego ogniwa słonecznego na jego rezystancję szeregową. Do badań zastosowano ogniwo słoneczne, w którym elektrodę przednią wytwarzano na bazie komercyjnej pasty srebrnej modyfikowanej komponentem CuXX.

EN

Series resistance belongs to the parameters that determine the quality of a solar cell, therefore its design and production aims to minimize its value. The article contains a list of parameters used for numerical calculation of solar cell series resistance components and the resulting of this resistivity. The influence of properties of silicon solar cell construction layers on its series resistance was determined. A solar cell was used for the investigations, in which the front electrode was performed on the basis of a commercial silver paste modified with the CuXX component.

2

Zastosowanie funkcji Lamberta do wyznaczania parametrów złącza p-n

Jung W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 9

25-27

PL

W artykule przedstawiono metodę wyznaczania podstawowych parametrów złącza p-n, takich jak współczynnik idealności n, prąd nasycenia Is, rezystancja szeregowa Rs, oraz przewodność równoległa Gp. Podstawą metody jest dokładne analityczne rozwiązanie równania na przepływ prądu w złączu p-n z uwzględnieniem rezystancji szeregowej i przewodności równoległej za pomocą funkcji Lamberta. Praktyczne wykorzystanie metody pokazano na przykładzie diody krzemowej.

EN

This paper presents the method of determining the basic parameters of the p-n junction, such as the ideality factor n, the saturation currentI/s, series resistance Rs, and parallel conductance Gp. The basis of the method is accurate analytic solution of the equation for current flow in the p-n junction with regard to series resistance and parallel conductance using Lambert function. Practical use of the method is shown on the example of silicon diode.

3

Ocena jakości ogniw fotowoltaicznych z krzemu krystalicznego na podstawie wyznaczonych empirycznie różnymi metodami pomiarowymi wartości rezystancji szeregowej w funkcji temperatury

Klugman-Radziemska E., Modzelewski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 4

38-41

PL

W niniejszej pracy przedstawiono analizę wpływu wzrostu temperatury na wartość rezystancji szeregowej krystalicznych krzemowych ogniw słonecznych. Na wstępie przedstawiono teoretyczne i praktyczne informacje na temat składników rezystancji szeregowej i jej wpływu na parametry elektryczne ogniw. Dla zbadania wpływu temperatury na wartość rezystancji szeregowej zbudowano dwa stanowiska eksperymentalne, pozwalające na wyznaczanie ciemnych i dynamicznych charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw. Na podstawie wyników pomiarów wyznaczono wartość rezystancji szeregowej w funkcji temperatury z zastosowaniem dwóch metod obliczania: metodzie opartej na modelu jednodiodowym, opartej na analizie charakterystyk ciemnych i standaryzowanej metodzie analizy charakterystyk dynamicznych. Wskazano na różnice w otrzymanych za pomocą tych metod wynikach.

EN

In this paper the influence of rising temperature on the series resistance values across crystalline silicon solar cells was considered. In introduction theoretical and practical information about origins and impacts of series resistance on quality parameters of crystalline cells were specified in introduction. In order to prove that temperature of the surface of a crystalline silicon solar cells influences series resistance and to examine the magnitude of that influence, two experimental setups, enabling to collect dark and dynamic current-voltage characteristics, were constructed. On the basis of achieved dark and dynamic characteristics of crystalline silicon solar cells, the value of series resistances versus temperatures of different cells were determined in accordance with two different methods of calculation. The diode forward characteristic method based on one-diode equivalent model of photovoltaic cell under dark conditions and standardized method under illumination was chosen. The differences between them were compared.

4

Influence of series resistance on thermally induced limitations of SiC Schottky diodes

Janke W., Hapka A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 2

163-165

EN

The calculations and measurement results of static DC characteristics of SiC Schottky barrier diodes, including self-heating effect are presented in this paper. In particular, the influence of the value of parasitic series resistance of a diode on the shape of its non-isothermal I-V curves is analyzed. The electro-thermal interactions in a diode working in high-current region may lead to the thermal runaway, therefore the serious limitations of operation conditions exist. The analysis presented by other authors [1-3] show, that the maximum junction temperature (corresponding to the onset of runaway) may be, in some conditions, as low as 110°C, substantially below the generally expected temperature limit of SiC devices. According to the analysis and measurements presented in this paper, the SiC device is able to operate with much higher junction temperature than that predicted in [1-3]. On the other hand, as it is shown, the higher values of series resistance may strongly restrict the values of the diode current ratings, therefore the decrease of series resistance in the manufacturing process is of vital importance.

PL

W artykule zaprezentowano obliczenia oraz pomiary statycznych charakterystyk DC diod Schottky'ego z węglika krzemu, z uwzględnieniem efektu samonagrzewania. Szczególną uwagę poświęcono wpływowi szeregowej rezystancji strat na kształt nieizotermicznych charakterystyk prądowo-napięciowych. Wzajemne oddziaływania elektro-termiczne w diodach pracujących z relatywnie dużymi prądami mogą doprowadzić do efektu określanego jako thermal runaway - czyli niekontrolowanego wzrostu napięcia na pasożytniczej rezystancji elementu. Z tego powodu istnieją poważne ograniczenia wartości zależnych od temperatury parametrów określających warunki pracy elementów (dopuszczalna temperatura pracy, maksymalny prąd przewodzenia). Znajduje się doniesienia [1—3], z których wynika, że maksymalna temperatura pracy elementów z węglika krzemu to 110°C, a przekroczenie tej temperatury może prowadzić do zniszczenia elementu. Wartość 110°C jest stanowczo za niska w odniesieniu do ogólnie oczekiwanych temperatur pracy elementów z węglika krzemu. Wyniki prezentowane w niniejszym opracowaniu wskazują na możliwości bezpiecznej pracy w zakresie temperatur znacznie szerszym niż zakres przewidywany w [1-3]. Z drugiej strony, pokazano że duże wartości szeregowej rezystancji strat mogą poważnie ograniczać zakres prądów dopuszczalnych dla elementów TL węglika krzemu. W związku z tym, dążenie do zmniejszenia udziału rezystancji pasożytniczej w tych elementach jest bardzo istotne.

5

On the extraction of threshold voltage, effective channel length and series resistance of MOSFETs

Ortiz-Conde A., Garcia Sánchez F.J., Liou J.J.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2000

|

nr 3-4

43-58

EN

The first part of this article presents the modeling of the long-channel bulk MOSFET as a particular case of the SOI MOSFET. The second part reviews compares and scrutinizes various methods to extract the threshold voltage, the effective channel and the individual values of drain and source resistances. These are important device parameters for modeling and circuit simulation.