Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  semiconductor technology
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC
PL
Zapewnienie wysokiego poziomu uzysku produkcyjnego w technologii półprzewodnikowej wymaga opracowania poszczególnych procesów technologicznych wytwarzania przyrządu oraz wysokiej jakości podłoża. Podstawowymi wskaźnikami jakości podłoży półprzewodnikowych jest gęstość określonego rodzaju defektów oraz poziom czystości powierzchni podłoży przed kolejnymi procesami. W niniejszym komunikacie dokonano przeglądu obecnego stanu wiedzy na temat metod przygotowania i czyszczenia powierzchni węglika krzemu.
EN
Fabrication of an efficient, reliable and durable semiconductor device requires not only the development of specific technological processes used during its production, but also a high quality substrate. The quality of the substrate can be determined by the level of contamination of their surfaces and the presence of defects. They can interfere with proper operation or shorten the life of the instruments. This article reviews the current state of knowledge on the methods of preparation and cleaning of silicon carbide surfaces.
PL
Zogniskowana wiązka jonów (Focused Ion Beam - FIB) stanowi uniwersalne narzędzie tworzenia, modyfikacji i badania mikro- i nanostruktur elektronicznych i fotonicznych. umożliwia trawienie wzorów oraz nanoszenie warstw metalicznych i dielektrycznych z bardzo wysoką rozdzielczością przestrzenną. Wiązka jonowa może służyć do unikalnego obrazowania preparatów niemożliwego w skaningowej mikroskopii elektronowej. Przedstawiono wyniki własnych badań, w których dobranie parametrów prądu wiązki i przebiegu skanowania pozwoliło na unikalne wykorzystanie możliwości oferowanych przez FIB, w tym rozdzielczości trawienia i depozycji rzędu 10 nm. udokumentowano je przykładowymi zastosowaniami zaawansowanych technik FIB.
EN
The Focused Ion Beam (FIB) is a versatile tool for creating, modifying and characterizing electronic and photonic micro- and nanostructures. It enables etching and deposition of patterns with very high spatial resolution. The ion beam can be used for unique imaging of specimens, being impossible with scanning electron microscopy. The results of own research are shown, in which an appropriate control of the ion beam current and the scanning process enabled to accomplish the unique possibilities offered by FIB, including a very high spatial resolution of etching and deposition of the order of 10 nm. Examples of applications of these advanced FIB techniques are presented.
PL
Silniki elektryczne prądu przemiennego stanowią obecnie największą grupę odbiorników energii elektrycznej na świecie. W Polsce w ubiegłym dziesięcioleciu skonsumowały one ponad 50% całej wyprodukowanej energii elektrycznej. Powodem tego jest szerokie zastosowanie napędów silnikowych w przemysłowych procesach technologicznych i układach automatyki. Największym problemem związanym ze sterowaniem trójfazowych silników prądu przemiennego (głównie asynchronicznych silników klatkowych) była regulacja prędkości obrotowej oraz zmiana ich momentu.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.