Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: semiconductor switch

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Model źródła przewodzonych zaburzeń elektromagnetycznych – weryfikacja, zastosowanie

Ruszel P.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 3

168-171

Niniejsze opracowanie zawiera wyniki prac teoretycznych i doświadczalnych weryfikujących proponowany przez autora model klucza tranzystorowego. Model ten reprezentuje klucz tranzystorowy jako źródło przewodzonych zaburzeń elektromagnetycznych. Określono ograniczenia i zakres częstotliwości w którym proponowany model reprezentuje modelowany klucz tranzystorowy. Podano przykład aplikacji modelu do określenia poziomu zakłóceń przy zastosowaniu programu symulacyjnego i porównano otrzymane wyniki obliczeń z wynikami pomiarów laboratoryjnych. Pomiary wykonano za pomocą „tradycyjnych” odbiorników pomiarowych.

This paper presents result of theoretical and empirical verification research of model of the semiconductor switch. This model that, is a representation of semiconductor switch as a wide frequency range sours of the conducted disturbance, is proposed by the author. Frequency range and boundary validation of the model are presented. Give an example of the model application to determine of the level of disturbance generated in the simple circuits. Compare results of computations and results of experiments. Measurements of the level of the conducted disturbances are by measurement receiver carry out.