Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  semiconductor physics
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy dokonano omówienia istotnych dla fizyki ciała stałego wielkości i parametrów fizykalnych związanych z powierzchniami ciał stałych, a mianowicie gęstości stanów powierzchniowych, ładunku elektrycznego w warstwach przypowierzchniowych, zmian potencjałów w tych warstwach i potencjałów na powierzchni. Rozpatrzono wygięcia pasm i przebiegi barier potencjału, również w przypadkach istnienia barier Schotky’ego. Do matematycznego opisu różniących się kształtów barier zastosowano równania Poissona. Wykonano przykładowe obliczenia grubości warstwprzypowierzchniowych w metalu i półprzewodniku.
EN
The paper reports important parameters which are related to the surface of solids, namely: densities of the occupied electron states in surface-charge regions and potentials of surface monolayers. The band-bending and shapes of potential distribution in a surface-charge region were considered including the shapes of the Schottky barrier. For mathematical presentation of different surface barriers, the Poisson’s equations are used. An individual calculation of the surface-layer width for metal and semiconductor was made.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.