PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  semiconductor materials
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Porównanie skuteczności algorytmów regresji nieliniowej w procesie identyfikacji centrów defektowych półizolujących materiałów półprzewodnikowych
Kaczmarek Witold, Suproniuk Marek, Piwowarski Karol, Perka Bogdan, Paziewski Piotr
Przegląd Elektrotechniczny
|
2021
|
R. 97, nr 10
110--113
PL
W artykule zostały przedstawione testy algorytmów regresji nieliniowej w zastosowaniu do identyfikacji parametrów centrów defektowych, z zasymulowanych relaksacyjnych przebiegów fotoprądu. Wyniki otrzymane w trakcie eksperymentu są podstawą do wykorzystania algorytmów regresji nieliniowej w procesie identyfikacji centrów defektowych.
EN
The article presents tests of nonlinear regression algorithms used to identify the parameters of defect centers from simulated photocurrent relaxation signal. The results of the experiment are the basis for the use of non-linear regression algorithms in the process of identifying defect centers.
2
Content available remote Direct formation of ZnO nanorods by hydrothermal process: study on its optical properties and electron transport
Mufti N., Fuad A., Fibriyanti A. A., Maryam S., Kurniawan R., Taufiq A., Sunaryono, Rusydi A.
Materials Science Poland
|
2020
|
Vol. 38, No. 1
91--96
EN
We report a new direct fabrication of the ZnO nanorods (NR) by hydrothermal method, in which the preparation of seed layer is eliminated. We show that the tuning of initial temperature rate during the hydrothermal process plays a key role in the structural modification of the ZnO NR. A highly oriented ZnO NR is successfully fabricated by using a low rate of initial temperature. The increase of optical absorption and electron transport was obtained by reducing the diameter and increasing distribution of the ZnO NR on the substrate. Interestingly, an additional absorption from the defects is obtained in the system, which plays an important role in expanding the optical absorption. Our system will provide a favourable characteristic for developing the high-performance optoelectronic devices with high optical absorption and high electron transport.
3
Content available remote Statistical evaluation of grain boundaries of varistors with modified bismuth oxide
Warycha J., Mielcarek W.
Materials Science Poland
|
2018
|
Vol. 36, No. 1
145--150
EN
Oxide varistors are made of inhomogeneous material whose properties are determined by active grain boundaries. It is essential that in the microstructure of a varistor only active grain boundaries are present as only such boundaries are involved in the process of conduction. Commercial varistors are characterized by a microstructure with a large amount of electrically inactive areas which include zinc-antimony spinel, bismuth oxide, and pores. Studies on elimination of inactive grain boundaries, which are the intergranular areas rich in reaction products of varistor components and pores, lead to an improvement in the microstructure, thereby improving the electrical properties of the varistor. The results were evaluated using statistical methods, defining the percentage of active grain boundaries in the varistor. Statistical analysis showed that the best results were obtained for a bismuth oxide varistor doped with antimony oxide, containing nearly 100 % conductive grain boundaries in its body.
4
Content available remote Wybrane zagadnienia pomiaru fotoprzewodnictwa w aspekcie badania struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych
Suproniuk M., Wierzbowski M., Pawłowski M., Majda-Zdancewicz E., Paziewski P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 10
49--52
PL
W artykule zaprezentowano wybrane zagadnienia pomiaru fotoprzewodnictwa w aspekcie badania struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych. Zaprezentowano dedykowany do tego celu system pomiarowy. Dokonano analizy niektórych przypadków związanych z niedokładnością pomiaru w prezentowanym systemie. Zaprezentowano wpływ pomiaru temperatury na niejednoznaczność otrzymanych na podstawie analizy fotoprądu parametrów centrów defektowych. Omówiono zagadnienia związane z wpływem sposobu wykonania kontaktów omowych na wyniki pomiaru. Opisano zjawiska związane z pomiarem niskich sygnałów oraz omówiono sposoby eliminacji zakłóceń w tych układach.
EN
The paper presents a measurement system for investigation of defect centres in semiconductor materials. Analysed were some aspects of measurement inaccuracies in the system. Shown was an influence of a temperature measurement on the ambiguity of parameters of defect centres obtained based on an analysis of photocurrent waveforms. Discussed were issues related to an influence of the way the ohmic contacts had been prepared on the measured signals. Described were the phenomena associated with the measurements of small signals and discussed were the ways of eliminating interferences from the system.
5
Recykling modułów fotowoltaicznych
Klugmann-Radziemska E., Kuczyńska A.
Recykling
|
2015
|
nr 6
24--26
6
Content available remote Modelowanie kinetyki fotoprzewodnictwa półizolującego GaAs
Suproniuk M., Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 9
165-168
PL
Rozwój energetyki w dużej mierze zależy od właściwości materiałów półprzewodnikowych, z których wytwarzane są elementy układów przekształtników energoelektronicznych. Stosowane dotychczas elementy na bazie krzemu są obecnie wypierane przez elementy produkowane na bazie arsenku galu. Parametry nowego typu przyrządów silnie zależne są jednak od właściwości i koncentracji defektów punktowych sieci krystalicznej w tym materiale, które badane są metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. W artykule zaproponowano model i przeprowadzono analizę wpływu szybkości generacji par elektron-dziura na szybkość narastania koncentracji nadmiarowych nośników ładunku dla założonych właściwości i wartości koncentracji centrów defektowych w półizolującym GaAs.
EN
Energy development largely depends on the properties of semiconductor materials, which are used for fabrication of power converters system components. Used so far silicon-based components are now being replaced by elements of made of gallium arsenide. The parameters of the new type of devices, however, are strongly dependent on the properties and concentrations of lattice point defects in this material. The photoinduced transient spectroscopy is a powerful method for studying defect centers in semi-insulating (SI) GaAs. A model is proposed and the analysis of the effect of the electron-hole pairs generation rate on the rise of the excess charge carriers concentrations in semi-insulating GaAs for the assumed properties and concentrations of defect centers has been performed.
7
Zastosowanie zjawiska modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych do nieniszczących badań materiałów półprzewodnikowych
Chrobak Ł., Maliński M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 12
110-113
PL
W pracy przedstawiono rozważania teoretyczne i wyniki eksperymentalne badań parametrów rekombinacyjnych materiałów krzemowych z wykorzystaniem techniki MFCA. Wykorzystana technika badawcza bazuje na zjawisku modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych.
EN
This paper presents theoretical and experimental results of investigations of the recombination parameters of the silicon materials with the MFCA method. The applied technique is based on the phenomenon of the modulated free carriers absorption.
8
Węglik krzemu - nowe perspektywy w energoelektronice
Janke W.
Nowa Elektrotechnika
|
2005
|
nr 7 (11)
28--30
9
Nowe materiały półprzewodnikowe
Zymmer K., Berowski P.
Nowa Elektrotechnika
|
2005
|
nr 4 (8)
10--11
10
Content available remote Elektronika wysokotemperaturowa
Lisik Z.
Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji
|
2003
|
Vol. 49, z. 2
225-245
PL
Typowy sprzęt elektroniczny jest projektowany do pracy w maksymalnym zakresie temperatur -55C do 125C, nazywany zakresem militarnym (ang. "military range"). W pewnych sytuacjach występuje jednak konieczność wprowadzenia aparatury elektronicznej do otoczenia o znacznie wyższej temperaturze lub też może wystąpić wysoka temperatura wewnątrz przyrządów elektronicznych wywołana efektem samonagrzewania. Stało się to impulsem do zainicjowania badań nad możliwościami konstrukcji takiej aparatury, a ich efektem było wyodrębnienie nowej dziedziny elektroniki, nazwanej "elektroniką wysokotemperaturową" (lub skrótowo HTE od ang "High-temperature electronics"). W pracy skupiono się na przedstawieniu specyfiki tej nowej dziedziny elektroniki. W szczególności, co należy rozumieć pod terminem elektronika wysokotemperaturowa, jakie obszary aplikacji ona obejmuje i jakie jest jej miejsce na rynku. Przedstawiono także jakie nowe problemy są z nią związane i jak one mogą być rozwiązywane, skupiając się w tym przypadku na materiałach półprzewodnikowych, które są kluczowym elementem rozwoju HTE.
EN
The standard electronics equipment is designed to work within the temperature range called the "military range". For some cases, however, one needs to introduce electronics into the environment with higher temperature or the higher inside temperatures caused by the selfheating are required. These needs had became the impulse to start the research how to manufacture such an equipment, which resulted in creation of the new field of electronics called "high temperature electronics" (HTE). The paper is aimed at the introduction of the HTE specifity. In particularly, what this term means, which kinds of application it covers and which place it has on the market. New problems created by the HTE applications and how they can be solved are presented as well, but in this case the interest is limited to the semiconductor materials that are of crucial importance for HTE development.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.