Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: semiconductor layers

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

Dikme Yilmaz, Sinhoff Volker

Inżynieria Materiałowa

2023

Vol. 44, nr 3

12--15

In this work data of thin aluminum nitride (AlN) layers grown by next level epitaxy (NLE) process on sapphire, GaN (gallium nitride) and glass are presented. The NLE layers are grown below 250°C surface temperature combining PVD (physical vapor deposition) and CVD (chemical vapor deposition). The NLE growth process is in principle following the MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) growth standard, including substrate cleaning, start layer and main layer. All steps use different plasma sources in various combinations. In total four different plasma sources have been used. On sapphire epitaxial AlN with a smooth surface could be demonstrated which have been further overgrown by MOCVD. In further experiments MOCVD AlN and GaN layers have been overgrown with NLE AlN demonstrating the epitaxial growth character of the NLE process. The AlN on glass resulted in smooth surfaces and highly c-plane oriented AlN where even the 105-peak could be detected. The NLE process has the capability for the mass production of various semiconductor layer and thin films.

W pracy przedstawiono dane dotyczące cienkich warstw azotku glinu (AlN) wytworzonych w procesie epitaksji następnego poziomu (NLE) na szafirze, azotku galu (GaN) i szkle. Warstwy NLE hodowano poniżej temperatury powierzchni 250°C, łącząc fizyczne osadzanie z fazy gazowej (PVD) i chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD). Proces wzrostu NLE był zasadniczo zgodny ze standardem wzrostu w procesie osadzania metali organicznych z fazy gazowej (MOCVD), w tym czyszczenie podłoża, warstwa początkowa i warstwa główna. Wszystkie etapy wykorzystywały różne źródła plazmy w różnych kombinacjach. W sumie zastosowano cztery różne źródła plazmy. Na szafirze można było wykazać epitaksjalny AlN o gładkiej powierzchni, który został dodatkowo porośnięty przez MOCVD. W dalszych eksperymentach warstwy MOCVD AlN i GaN zostały porośnięte NLE AlN, co świadczy o epitaksjalnym charakterze wzrostu procesu NLE. AlN na szkle dał gładkie powierzchnie i AlN zorientowany w płaszczyźnie c, gdzie można było wykryć nawet pik 105. Proces NLE umożliwia masową produkcję różnych warstw półprzewodników i cienkich warstw.

Fizyczne własności epitaksjalnych warstw PbTe otrzymywanych przez odparowywanie laserowe.

Piotrowski T.

Inżynieria Materiałowa

2000

R. XXI, nr 6

392-394

Przedstawiono metodykę uzyskiwania warstw epitaksjalnych ze związków AIVBVI z wykorzystaniem modulowanej wiązki lasera dużej mocy (10 do potęgi piątej W/cm kwadratowy) o długości fali 10,6 mm. Badano, w funkcji temperatury, zmiany współczynnika Halla warstw epitaksjalnych PbTe otrzymywanych przez laserowe odparowanie krystalicznego źródła, dla różnych temperatur (160-380 stopni Celsjusza) krystalicznego podłoża z BaF2(111). Zaobserwowano zmianę typu przewodności warstw z przewodności typu p na przewodność typu n, przy podwyższaniu temperatury podłoży, począwszy od 210 stopni Celsjusza. Wykorzystując pomiary STM badano topografię powierzchni warstw, określono wielkości ziaren na około 20-30 nm i po nałożeniu cienkiej warstwy złoża chropowatość powierzchni (<5 nm). Metoda epitaksji laserowej pozwoliła uzyskać warstwy o nietypowych elektrofizycznych właściwościach i koncentracjach elektronów w zakresie nie osiągalnym innymi metodami.

In this report the investigation of PbTe layers are presented. The layers have been grown by source evaporation technique using a modulated infrared (10,6 micrometer) large power (10 to the 5th W/square centimetres) laser beam. Tempearture dependence of the Hall coefficient of PbTe layers has been investigated. The PbTe layers have been grown on monocrystal BaF2(111) substrate, using the laser beam assisted evaporation for various substrate temperatures in the range 160-380 degrees centigrade. During the increase of substrate temperature beginning from the temperature approximately 210 degrees centigrade the layer conductivity changed from p to n type. The topographic measurements with the STM for the determination of the surface roughness (after gold covering) and grain dimensions have been presented. The grain size (20-30 nm) and the surface roughness (<5nm) of layers were determined. Using the laser evaporation technique it is possible to obtain the non-typical electrophysical properties of epitaxial PbTe films and electron concentration in the range which is impossible to reach with other methods.