Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Rozwój techniki laserowej : 2018

Jabczyński Jan K., Romaniuk Ryszard S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2019

|

Vol. 60, nr 1

4--15

PL

Artykuł jest przeglądem prac zaprezentowanych w czasie XII Krajowego Sympozjum Techniki Laserowej STL2018 [1]. Sympozjum Techniki Laserowej jest organizowane od roku 1984 co trzy lata [2-11], obecnie co dwa lata. Sympozja STL2016 i STL2018 były zorganizowane przez Instytut Optoelektroniki Wojskowej Akademii Technicznej, we współpracy z Politechniką Warszawską, Uniwersytetem Warszawskim i Politechniką Wrocławską w Jastarni. STL2018 było zorganizowane dniach 25-27 września 2018 roku. Sympozjum stanowi reprezentatywny portret prac prowadzonych w obszarze techniki laserowej w Polsce. Prace Sympozjum STL są tradycyjnie publikowane w serii wydawniczej Proceedings SPIE [12-23]. Spotkanie naukowo-techniczne zgromadziło ok. 120 uczestników którzy zaprezentowali ponad 100 artykułów badawczych i naukowo-technicznych. Krajowe Sympozjum Techniki Laserowej, organizowane obecnie co 2 lata, jest bardzo dobrym portretem rozwoju techniki laserowej i jej zastosowań w Polsce w laboratoriach uniwersyteckich, instytutach resortowych i rządowych, laboratoriach badawczych firm innowacyjnych itp. Sympozjum STL pokazuje także bieżące projekty techniczne, które są realizowane przez krajowe zespoły badawcze, rozwojowe i przemysłowe. Obszar tematyczny Sympozjum STL jest tradycyjnie podzielony na dwa duże pola – postępy techniki laserowej oraz zastosowania techniki laserowej. Nurty tematyczne Sympozjum obejmują: źródła laserowe dla bliskiej i średniej podczerwieni, lasery pikosekundowe i femtosekundowe, lasery i wzmacniacze światłowodowe, lasery półprzewodnikowe, lasery dużej mocy i ich zastosowania, nowe materiały i komponenty dla techniki laserowej, zastosowania techniki laserowej w inżynierii biomedycznej, przemyśle, inżynierii materiałowej, nano- i mikrotechnologiach oraz metrologii.

EN

The paper is a concise digest of works presented during the XIIth National Symposium on Laser Technology (SLT2018) [1]. The Symposium is organized since 1984 every three years [2-11], now every two years. SLT2016 and STL2018 were organized by The Institute of Optoelectronics, Military University of Technology, Warsaw, with cooperation of Warsaw University of Technology, Warsaw University, and Wrocław University of Technology in Jastarnia, STL2018 was organized on 25-27 September 2018. Symposium is a representative portrait of the laser technology research in Poland. Symposium Proceedings are traditionally published by SPIE [12-21]. The meeting has gathered around 120 participants who presented around 100 research and technical papers. The Symposium, organized now every 2 years is a good portrait of laser technology and laser applications development in Poland at university laboratories, governmental institutes, company R&D laboratories, etc. The SLT also presents the current technical projects under realization by the national research, development and industrial teams. Topical tracks of the Symposium, traditionally divided to two large areas – sources and applications, were: laser sources in near and medium infrared, picosecond and femtosecond lasers, optical fibre lasers and amplifiers, semiconductor lasers, high power and high energy lasers and their applications, new materials and components for laser technology, applications of laser technology in measurements, metrology and science, military applications of laser technology, laser applications in environment protection and remote detection of trace substances, laser applications in medicine and biomedical engineering, laser applications in industry, technologies and material engineering.

2

Materiały i przyrządy optoelektroniczne dla zastosowań w zakresie bliskiej i średniej podczerwieni

Maląg A., Stępień R., Pysz D., Franczyk M., Kujawa I., Podniesiński D., Kisielewski J., Leśniewska-Matys K., Teodorczyk M., Dąbrowska E., Kozłowska A., Pawlak D., Dumiszewska E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2018

|

Vol. 59, nr 3

32--38

PL

Przedstawiono powody rosnącego w ostatnich latach zainteresowania długofalową częścią zakresu optycznego NIR i pasmem MidIR. Opisano wybrane zastosowania cywilne i w sektorze militarnym, ze wskazaniem na korzyści z przesunięcia w kierunku długofalowym w stosunku do rozwiązań dotychczasowych. Przedstawiono opracowania ITME dla optoelektroniki w tym zakresie widma: dotyczące technologii kryształów (aktywnych i nieliniowych), szkieł aktywnych, włókien światłowodowych aktywnych i pasywnych, w szczególności włókien fotonicznych, przyrządów półprzewodnikowych (pomp optycznych) i impulsowych (nanosekundowych) laserów pompowanych optycznie.

EN

The reasons for increasing in recent years interest in the long -wavelength part of optical NIR and in MidIR ranges have been presented. Selected applications, civilian and in the military sect have been described with an indication on the benefits of the shift towards the long-term compared to the current solutions. The works developed in IEMT in the field of optoelectronics of this spectral range, concerning technology of optical crystals (active and nonlinear), optically active glasses, optical (active and passive) fibers, especially photonic fibers, semiconductor devices for optical pumping and pulsed (nanoseconds) solid-state microlasers are presented.

3

Comparison of methods for simulation of the optical properties of VCSELs

Więckowska M., Dems M., Czyszanowski T.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

|

2017

|

Vol. 38

71--80

EN

This paper presents the differences arising from the use of scalar (Effective Frequency Method) and vector (Fourier’s and Bessel’s Admittance Methods) calculation methods in optical analysis of arsenide Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSELs). Discussed results demonstrate that the vector methods are more accurate than the scalar one, but also they are more time consuming. By comparing two vector methods, it can be seen that the Bessel’s Admittance Method allows to obtain similar qualitatively and quantitatively results in a slightly shorter time. The calculations were performed for structures with varied aperture radius and its location in the resonant cavity. Moreover, this paper includes the comparison of calculation results for a structure in which there are layers with gradually changing refractive index, and the structure in which these layers are replaced by a layer with a constant average refractive index.

PL

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki obliczeń propagacji emitowanej fali elektromagnetycznej (jej długości i czasu życia fotonów) dla arsenkowego lasera typu VCSEL. Celem pracy jest przedstawienie różnic płynących z zastosowania skalarnych i wektorowych metod obliczeniowych. Omówione wyniki pokazują, iż metody wektorowe są dużo dokładniejsze od metody skalarnej, ale jednocześnie bardziej czasochłonne. Obliczenia przeprowadzono dla struktur różniących się wartością średnicy apertury oraz jej położeniem wzdłuż wnęki rezonansowej. Ponadto metodą skalarną wykonano obliczenia dla struktury, w której występują warstwy o gradientowo zmieniającym się współczynniku załamania, oraz dla struktury, w której warstwy te zastąpiono warstwą pośrednią o stałym współczynniku załamania. Celem pracy jest również pokazanie różnic w wynikach otrzymanych dla powyższych przypadków.

4

Struktury tunelowe studnia kwantowa-kropki kwantowe jako ośrodek czynny laserów telekomunikacyjnych

Rudno-Rudziński W.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 8

20--23

PL

Kropki kwantowe mają wiele zalet jako laserowy materiał aktywny, jednak wykorzystanie ich w laserach telekomunikacyjnych wymaga uzyskania bardzo szybkiej modulacji emisji, trudnej do osiągnięcia w układzie czysto kropkowym, z powodu znacznej populacji gorących nośników. Możliwym rozwiązaniem jest zastosowanie hybrydowych struktur tunelowych, w których studnia kwantowa, oddzielona cienką barierą od warstwy kropek, służy jako rezerwuar nośników dostarczanych bezpośrednio do stanu podstawowego. W artykule zaprezentowane są różne układy materiałowe, w których zrealizowany został schemat tunelowy, umożliwiające uzyskanie emisji w zakresie podczerwieni telekomunikacyjnej. Uzupełniajace się techniki spektroskopii optycznej wykorzystane zostały do zbadania własności struktur pod kątem ich zastosowań w laserach. Przedstawione są również wyzwania na drodze do uzyskania lasera wykorzystującego szybkie i wydajne tunelowanie ze studni do kropek.

EN

Quantum dots (QD) offer many advantages as active material for lasers, however in order to take advantage of them in telecom lasers it is necessary to assure high modulation speed, difficult to achieve in purely QD system due to high population of hot carriers. One of feasible solutions is to use hybrid structures, where a quantum well, separated by a thin barrier from QD layer, serves as a reservoir of carriers supplied directly to the ground state. The article presents several material systems used to realise tunnel injection scheme, enabling emission in the telecom infrared range. Complementary optical spectroscopic techniques are employed to investigate the properties of structures in view of laser applications. There are also presented challenges on the way to obtain a laser based on fast and efficient tunneling.

5

Działalność Polskiego Komitetu Optoelektroniki Stowarzyszenia Elektryków Polskich

Woliński W., Romaniuk R.

Maszyny Elektryczne : zeszyty problemowe

|

2017

|

Nr 4 (116)

205--211

PL

Artykuł przedstawia w znacznym skrócie działalność Polskiego Komitetu Optoelektroniki Stowarzyszenia Elektryków Polskich (PKOpto SEP) od momentu jego powstania w roku 1985. Celem artykułu jest zebranie i przypomnienie wybranych danych historycznych dotyczących krajowej optoelektroniki przeżywającej burzliwy rozwój technologiczny w tym okresie. Autorzy artykułu byli obserwatorami, aktywnymi uczestnikami i inicjatorami wielu z tych procesów rozwojowych. PKOpto SEP, jako bardzo ważne i aktywne, opiniotwórcze i inicjatywne ciało społeczne, odegrał istotną rolę w życiu i rozwoju krajowego środowiska naukowo- technicznego optoelektroniki w Polsce, kształceniu ustawicznym kadr zawodowych, integracji lokalnej i otwarciu tego środowiska na współpracę międzynarodową. Wyraźne ślady tej wczesnej, niezwykle aktywnej i pożytecznej działalności Polskiego Komitetu Optoelektroniki obserwowane są w polskim środowisku naukowo- technicznym do dzisiaj. Z ówczesnej działalności Komitetu narodziło się wiele inicjatyw, przedsięwzięć, projektów które trwają do dnia dzisiejszego w postaci ustabilizowanych serii konferencji, zrealizowanych projektów badawczych na rzecz nauki i przemysłu, a także aktywnych społecznych organizacji naukowotechnicznych. We wstępie artykułu zasygnalizowano obszar działalności Komitetu. W dalszej kolejności przedstawiono osoby zaangażowane w jego powstanie. Zespoły robocze Komitetu, w których działało łącznie ponad 200 osób, obejmowały cały obszar optoelektroniki. Komitet podejmował inicjatywy krajowe i międzynarodowe na rzecz środowiska naukowo – technicznego optoelektroniki, angażował się w organizację Krajowych Szkół Optoelektroniki, sympozjów i konferencji, wspierał wydawnictwa zawodowe w obszarze techniki laserowej, zastosowań optoelektroniki w medycynie, telekomunikacji, przemyśle i badaniach naukowych. Artykuł podsumowano krótką refleksją dotyczącą całości dorobku historycznego oraz działalności Komitetu w dniu dzisiejszym i perspektywom w najbliższej przyszłości.

EN

The paper presents, in a concise manner, activities of the Polish Optoelectronics Committee of the Association of Polish Electrical Engineers (PKOpto SEP) since its establishment in 1985. Aim of the paper is to gather and remind chosen historical data concerning Polish optoelectronics experiencing tempestuous technological development during this time period. The authors were insightful observers, active participants and initiators of many of these developments, and among others were founder members of the Committee. PKOpto SEP was then very important and active, centrally located, opinion-forming and action-initiating community body. It played an important role in the life and development of the Polish optoelectronics technical and research communities, recurrent professional education and lifelong learning of experts in optoelectronics, local integration and opening of Polish research community to wide international cooperation. Traces of this early, exceptionally operative Committee activities may be observed in Polish optoelectronics research and technical community till today. These early activities of the Committee gave birth to numerable initiatives, undertakings, projects and programs, out of which some last till today in the form of recognized series of conferences, realized, implemented, and practically applied research projects for science, industry, safety, defense and medicine, but also for active research and technical community and social organizations. Introduction to the paper marks the area of PKOpto activities. Persons involved in Committee establishing are reminded. Working groups of the Committee embraced more than 200 persons and covered the whole area of optoelectronics. PKOpto SEP was undertaking continuously various domestic and international initiatives. It initiated and was engaged in organization of National Optoelectronics Schools, conferences, symposia, supported professional publishing in the area of laser technology, optoelectronics applications in medicine, telecommunications, industry and research. The paper is ended with a short reflection concerning PKOpto activities today and perspectives in the nearest future.

6

Porównanie metod symulacji właściwości optycznych laserów VCSEL

Więckowska M., Dems M., Czyszanowski T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2017

|

Vol. 58, nr 9

37--40

PL

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki obliczeń propagacji emitowanej fali elektromagnetycznej (jej długości i czasu życia fotonów) dla arsenkowego lasera typu VCSEL. Celem pracy jest przedstawienie różnic płynących z zastosowania skalarnych i wektorowych metod obliczeniowych. Omówione wyniki pokazują, iż metody wektorowe są dużo dokładniejsze od metody skalarnej, ale jednocześnie bardziej czasochłonne. Obliczenia przeprowadzono dla struktur różniących się wartością średnicy apertury oraz jej położeniem wzdłuż wnęki rezonansowej. Ponadto metodą skalarną wykonano obliczenia dla struktury, w której występują warstwy o gradientowo zmieniającym się współczynniku załamania, oraz dla struktury, w której warstwy te zastąpiono warstwą pośrednią o stałym współczynniku załamania. Celem pracy jest również pokazanie różnic w wynikach otrzymanych dla powyższych przypadków.

EN

This paper includes the results of calculation for arsenic VCSEL laser. The aim of this paper is to present the differences arising from the use of scalar and vector calculation methods. Discussed results demonstrate that the vectorial methods are more accurate than scalar method, but also more time consuming. The calculations were performed for structures of varying the radius of the aperture and its location along the resonant cavity. Moreover, tis paper includes the results of calculations for a structure in which there are layers of the gradually changing refractive index, and the structure in which these layers were replaced by the intermediate layer with a constant refractive index. The aim is also to show the differences in the results obtained for the above cases.

7

Lasery półprzewodnikowe pompowane promieniowaniem słonecznym

Nakwaski W.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

R. 92, nr 9

141--144

PL

Niniejsza praca jest poświęcona analizie możliwości zastosowania promieniowania słonecznego do pompowania laserów półprzewodnikowych. Spośród wszystkich struktur tych laserów, najbardziej odpowiednie w takim zastosowaniu byłyby pompowane optycznie lasery VECSEL. Przykładów możliwych zastosowań takich laserów jest mnóstwo, jednakże najbardziej obecnie przydatne byłyby one w systemach optycznej łączności, zarówno na Ziemi, jak i w przestrzeni kosmicznej. Natomiast całkiem możliwym, choć nieco futurystycznym zastosowaniem takich laserów byłoby użycie ich do masowego przetwarzania energii promieniowania słonecznego na energię elektryczną.

EN

In the present paper, an analysis of a possible application of the solar radiation for pumping of semiconductor lasers is presented. From among all structures of these lasers, optically pumped VECSEL lasers are the most applicable for such a pumping. There are very many possible applications of such lasers, they could be, however, the most useful in optical communication, both on the Earth or in the space. Besides, quite possible although somewhat futuristic application of such lasers could be in productive systems transferring solar energy into electrical power.

8

Rozwój techniki laserowej w Polsce : 2016

Jabczyński J. K., Romaniuk R. S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 11

3--12

PL

Artykuł jest przeglądem prac zaprezentowanych w czasie XI Sympozjum Techniki Laserowej STL 2016 [1]. Sympozjum Techniki Laserowej jest cykliczną konferencją naukową organizowaną, co trzy lata od 1984 r. [2–8]. STL 2016, zorganizowane w tym roku przez Instytut Optoelektroniki Wojskowej Akademii technicznej [9] we współpracy z Politechniką Warszawską [10], Uniwersytetem Warszawskim [11] i Politechniką Wrocławską [12], odbyło się w Jastarni w dniach 27–30 września. Sympozjum stanowi reprezentatywny przegląd prac prowadzonych w obszarze techniki laserowej w Polsce. Prace Sympozjum STL są tradycyjnie publikowane w serii wydawniczej Proceedings SPIE od roku 1987 [13–21]. Spotkanie naukowo-techniczne zgromadziło ok. 150 uczestników którzy zaprezentowali ponad 120 artykułów badawczych i naukowo-technicznych. Sympozjum Techniki Laserowej jest miarodajnym obrazem rozwoju techniki laserowej i jej zastosowań w Polsce w laboratoriach uniwersyteckich, instytutach resortowych i rządowych, laboratoriach badawczych firm innowacyjnych, itp. Na konferencji STL prezentowane są także bieżące projekty techniczne, realizowane przez krajowe zespoły naukowe, badawcze-wdrożeniowe i przemysłowe. Zakres tematyczny Sympozjum jest tradycyjnie podzielony na dwa duże obszary – postępy techniki laserowej oraz zastosowania techniki laserowej. Nurty tematyczne Sympozjum obejmują: źródła laserowe dla bliskiej i średniej podczerwieni, lasery pikosekundowe i femtosekundowe, lasery i wzmacniacze światłowodowe, lasery półprzewodnikowe, lasery dużej mocy i ich zastosowania, nowe materiały i komponenty dla techniki laserowej, zastosowania techniki laserowej w inżynierii biomedycznej, przemyśle, inżynierii materiałowej, nano- i mikrotechnologiach, oraz metrologii.

EN

The paper is a concise digest of works presented during the XIth Symposium on Laser Technology (SLT 2016) [1]. The Symposium is organized since 1984 every three years [2–8]. SLT 2016 was organized by the Institute of Optoelectronics, Military University of Technology (IOE WAT) [9], Warsaw, in cooperation with Warsaw University of Technology (WUT) [10], Warsaw University [11], and Wrocław University of Technology [12] in Jastarnia on 27-30 September 2016. Symposium is a representative portrait of the laser technology research in Poland. Symposium Proceedings are traditionally published by SPIE [13–21]. The meeting has gathered around 150 participants who presented around 120 research and technical papers. The Symposium, organized every 3 years, is a reliable image of laser technology and laser applications development in Poland at university laboratories, governmental institutes, company R&D laboratories, etc. The SLT also presents the current technical projects under realization by the national research, development and industrial teams. The works of the Symposium, traditionally are divided in two large areas – sources and applications. The main topics of SLT were: laser sources in near and medium infrared, picosecond and femtosecond lasers, optical fiber lasers and amplifiers, semiconductor lasers, high power and high energy lasers and their applications, new materials and components for laser technology, applications of laser technology in mea surements, metrology and science, military applications of laser technology, laser applications in environment protection and remote detection of trace substances, laser applications in medicine and biomedical engineering, laser applications in industry, technologies and material engineering.

9

Kwantowe Lasery Półprzewodnikowe w ITE

Bugajski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 8

16--26

PL

W artykule podsumowano ostatnie 25 lat prac badawczych i aplikacyjnych nad laserami półprzewodnikowymi prowadzonych w Zakładzie Fotoniki ITE. Prace te dotyczyły nowej generacji laserów półprzewodnikowych, których działanie opiera się na wykorzystaniu specyficznych zjawisk fizycznych zachodzących w nanostrukturach. Były to prace pionierskie w skali kraju, nawiązujące do aktualnych trendów nauki światowej. Stały się one możliwe dzięki wprowadzeniu do Polski nowych technologii wzrostu struktur półprzewodnikowych, nowych sposobów finansowania prac badawczych i szerokiemu otwarciu na współpracę międzynarodową.

EN

The paper summarizes the last 25 years of research and application works on semiconductor lasers carried at the Department of Photonics at the Institute of Electron Technology. The research dealt with a new generation of semiconductor lasers which operations is based on quantum effects in nanostructures. These were pioneering works in Poland, following actual trends in world science and technology. Their realization became possible due to the advent of new technologies of the growth of semiconductor structures, introduction of new instruments of funding research and opening for international cooperation.

10

Five-wavelength laser microrefractometer

Bodurov I, Yovcheva T, Sainov S

Optica Applicata

|

2015

|

Vol. 45, nr 2

199--204

EN

Corresponding author: In this paper, the design and testing of a five-wavelength laser microrefractometer are presented. Five semiconductor lasers are used for the spectral region of 405–1320 nm. The presented device is based on the critical angle method. In this case, the critical angle of total internal reflection is determined with the help of a CCD camera detecting the disappearance of the diffraction pattern, created by a metal diffraction grating. The samples of a thin liquid layer (< 10 μm) are placed between a flint-glass prism and a chromium diffraction grating. The refractive indices of two matching liquid products of Cargille Laboratories are investigated for the approbation of the presented device. The measured values of the refractive indices are used for the dispersion curves construction. The obtained values of the refractive indices are compared with the catalog data given by the manufacturer.

11

Model lasera o emisji krawędziowej z obszarem czynnym GaN/AlGaN emitującego promieniowanie ultrafioletowe

Piskorski Ł., Kuc M., Walczak J., Sarzała R. P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 9

33-36

PL

W niniejszej pracy zaprezentowano samouzgodniony elektryczno-termiczno-optyczno-wzmocnieniowy model lasera o emisji krawędziowej emitującego promieniowanie ultrafioletowe. Model ten pozwala głębiej zrozumieć nie tylko zjawiska fizyczne zachodzące w wykorzystanej do analizy numerycznej strukturze laserowej, ale także wzajemne powiązania między tymi zjawiskami. Ponadto może on zostać zastosowany do sprawdzenia użyteczności wybranych modyfikacji struktury lasera i ich wpływu na oferowane przez ten przyrząd charakterystyki wyjściowe. Przedstawiony model stanowi zatem wygodne narzędzie do projektowania laserów o emisji krawędziowej emitujących promieniowanie ultrafioletowe i do optymalizacji ich struktur w celu uzyskania wymaganych charakterystyk eksploatacyjnych.

EN

In the present paper, a self-consisted electrical-thermal-optical-gain model of the ultraviolet edge-emitting laser has been presented. This model supports deeper understanding not only the physical phenomena occurring in the laser structure used for numerical analysis but also mutual interactions between these phenomena. Furthermore, it may be used to verify an utility of selected structure modifications and their influence on the laser output characteristics. The presented model is therefore a useful tool to design ultraviolet edge-emitting lasers and to optimise their structures in order to achieve required output characteristics

12

Technologia i Zastosowania Laserów 2012

Gajda J., Romaniuk R. S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 11

115-121

PL

Wyniki badań i osiągnięcia techniczne w zakresie laserów są podsumowywane co trzy lata w czasie Krajowego Sympozjum Techniki Laserowej STL, organizowanego od prawie trzydziestu lat w Świnoujściu we wrześniu przez WAT, PW i ZUT. Artykuł przedstawia przegląd prac prezentowanych i dyskutowanych na STL. Pokazano tendencje rozwojowe materiałów laserowych i technologii oraz dziedzin związanych z techniką laserową i optoelektroniką w kraju, włączając w to wysiłki środowiska akademickiego, instytutów PAN i resortowych, oraz przemysłowych ośrodków badawczych. Obok rozwoju laserów, druga część STL jest poświęcona zastosowaniom laserów, gdzie operatorzy systemów laserowych przedstawiają własne osiągnięcia aplikacyjne. Przedstawiono zakresy tematyczne sesji STL oraz plenarne referaty zaproszone wygłoszone przez kluczowych reprezentantów przemysłu laserowego.

EN

The research and technical achievements in the area of lasers are summarized every three years by the National Symposium on Laser Technology held in the Baltic See Resort Świnoujście near Szczecin, Poland. The paper presents a preview of the symposium works to be shown and debated during this key event in September 2012. There are shown development tendencies of laser materials and technologies and laser associated branches of optoelectronics in this country, including the efforts of academia, governmental institutes, research businesses and industry. The second branch of the symposium works are laser applications, where the laser systems operators and laser users present their achievements. Topical tracks of the meeting are presented, as well as the keynote and invited subjects delivered by key representatives of the laser industry.

13

Granice widma promieniowania laserów półprzewodnikowych : résumé po 50 latach rozwoju ich technologii

Mroziewicz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 10

81-90

PL

Lasery półprzewodnikowe powstały 50 lat temu i od tego czasu głęboko wpisały się w wiele dziedzin naszej techniki, a od pewnego czasu również medycyny. Złożyły się na to liczne ich zalety, a jedną z nich jest wyjątkowa możliwość uzyskania generacji promieniowania w paśmie częstotliwości rozciągającym się od ultrafioletu do teraherców. Cecha ta wynika bezpośrednio z faktu, że wytwarzane są z połprzewodników, a te przez swoją różnorodność i specyficzne właściwości fizyczne pozwalają na wzbudzenie akcji laserowej na zadanej długości fali. Niestety i w tym względzie występują pewne ograniczenia, które uwidaczniają się w postaci luk w widmie ich promieniowania oraz dolnej i górnej granicy długości emitowanych przez nie fal. Zagadnienia te będą tematem niniejszego résumé.

EN

Semiconductor lasers have been around for 50 years and have deeply affected many domains in our technical environment not to mention medicine. This position they owe to many advantages but perhaps the most important one is that their emission covers a very wide spectral range extending from UV to terahertz frequencies This feature results directly from the fact that they are made of semiconductors which because of their variety and specific physical properties make possible to excite laser action at the demanded wavelength. However, there are also some flows in this respect. They appear in form of gaps in the semiconductor laser's emission spectrum and we are also facing limitations in the lower and upper wavelengths range of that spectrum. These topics we will discuss over in the present review.

14

Lasery z obszarami czynnymi z rozcieńczonych azotków wytworzone na podłożu InP emitujące w zakresie średniej podczerwieni

Sarzała R. P., Szczerbiak P., Kudrawiec R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 10

82-84

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące możliwości wytworzenia laserów złączowych emitujących w zakresie 2...3,5 μm powstałych na bazie technologii fosforkowej. Obszary czynne tych laserów stanowią tzw. rozcieńczone azotki (w szczególności związek GaInNAs) dopasowane sieciowo do podłoża InP. Jak pokazują wyniki wstępnych badań tak wykonane emitery światła spójnego mogą stanowić poważną alternatywę dla obecnie stosowanej technologii antymonkowej. Zaprojektowane i zamodelowane numerycznie obszary czynne laserów wykazywały w podanym obszarze na tyle duże wzmocnienie materiałowe, że na ich bazie można myśleć nie tylko o wytworzeniu laserów o emisji krawędziowej ale i laserów typu VCSEL.

EN

In the present paper, results of our investigations concerning possible manufacturing of InP-based diode lasers emitting the 2...3.5 μm radiation are presented. Their active regions are produced from dilute nitrides (from GaInNAs in particular) lattice matched to the InP substrate. According to initial results of our investigations, the above koherent light emitters may become a serious alternative for currently used antimony technology. Computer simulations of their performance confirm such a high optical gain within their active regions that they may be used not only to produce edge-emitting lasers but vertical-cavity surface-emitting lasers as well.

15

Application of microscope thermography in testing temperature distribution in a semiconductor laser

Rybinski J., Bednarek M., Wisniewski P., Swietlik T.

Optica Applicata

|

2010

|

Vol. 40, nr 3

609--614

EN

Microscope thermography with the use of thermovision camera with spatial resolution 8 žm was applied in testing temperature distribution in semiconductor lasers produced on the basis of nitrides. The conducted tests have shown that the microscope thermography has a potential in characterizing microelectronic devices like semiconductor laser diodes and can be considered as a complementary tool in establishing thermal characteristics of these devices.

16

Photoluminescence characterization of AlGaAs/GaAs test superlattices used for optimization of quantum cascade laser technology

Wojcik-Jedlinska A., Wasiak M., Kosiel K., Bugajski M.

Optica Applicata

|

2009

|

Vol. 39, nr 4

967-974

EN

In this paper, we present the application of photoluminescence spectroscopy as a diagnostic method for evaluation of correctness and homogeneity of AlGaAs/GaAs test superlattices used in the development of quantum cascade laser technology. The structures investigated are used for the growth rate calibration of quantum-cascade-laser structures. The influence of various structural parameters on the observed photoluminescence signal is studied experimentally and theoretically. On the basis of this discussion we analyse spatial uniformity of the epitaxial material over the wafer and diagnose accuracy of the deposition process.

17

Generacja fal terahercowych z zastosowaniem laserów półprzewodnikowych

Mroziewicz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 9

132-143

PL

Pasmo częstotliwości terahercowych w widmie promieniowania elektromagnetycznego to ostatni skrawek tego widma dotychczas słabo wykorzystywany w technice. Powodem tego stanu rzeczy są trudności w osiągnięciu fal o częstotliwości terahercowej. Tymczasem technika ta znajduje coraz szersze możliwości aplikacyjne. W artykule omówiono metody generacji fal terahercowych oparte na wykorzystaniu promieniowania emitowanego przez lasery - szczególnie lasery półprzewodnikowe. Znaczną część artykułu poświęcono opisowi zjawisk leżących u podstaw tej techniki z położeniem nacisku na zjawisko mieszania częstotliwości. Szczególną uwagę zwrócono na potencjał tkwiący w kwantowych laserach kaskadowych i laserach dwufalowych, które uważane są za szczególnie perspektywiczne z punktu widzenia budowy generatorów promieniowania terahercowego o znaczącej mocy wyjściowej.

EN

The terahertz frequency band is the last shred of the electromagnetic radiation spectrum that had been left al most unused in practical applications. The situation has been caused by difficulties encountered when trying to generate terahertz wavelengths of meaningful power. However, this technique finds ever increasing applications and has aroused a great interest in its development. In the paper we describe basic phenomena leading to generation of terahertz signals by optical methods. Photo-mixing of laser beams is treated more in detail due to variety of possibilities offered by the method itself and semiconductor lasers in particular. Quantum Cascade Lasers and two-colour external cavity lasers deserve special attention as promising sources of high output power terahertz signals and the state of the art in this field has been therefore enlightened more thoroughly.

18

Development of laser technology in Poland

Gajda J., Romaniuk R. S.

Electronics and Telecommunications Quarterly

|

2009

|

Vol. 55, No 4

683-692

EN

The paper presents chosen development threads of laser technology and associated branches of optoelectronics in this country. An occasion to summarize the work and show their current status is the 50 th anniversary of construction of the first laser. The first laser in Poland was launched successfully in 1969, almost simultaneously at WAT and PW. Domestic achievements in this area are summarized every three years by Symposium on Laser Technology held traditionally in Świnoujscie. The work carried on in Poland concerns technology of laser materials, construction of new lasers and associated equipment as well as laser applications. Many technical teams participate in laser oriented European structural and framework projects.

19

Application of spatially resolved thermoreflectance for the study of facet heating in high power semiconductor lasers

Bugajski M., Ochalski T., Piwonski T., Wawer D.

Optica Applicata

|

2006

|

Vol. 36, nr 2-3

339-349

EN

We have developed a new technique for monitoring the facet heating in semiconductor lasers and for correlating these measurements with the performance and reliability of the device. The method is based on thermoreflectance, which is a modulation technique relying on periodic facet temperature modulation induced by pulsed current supply of the laser. The periodic temperature change of the laser induces variation of the refractive index and consequently modulates the probe beam reflectivity. The technique has a spatial resolution of about 1 m and temperature resolution better than 1 K, and can be used for temperature mapping over a 300 m × 300 m area. It can be applied to any kind of edge emitting lasers or laser bars. The technique is crucial for understanding the thermal behavior of a device.

20

Lasery półprzewodnikowe wciąż pozostają przedmiotem zainteresowań nauki i przemysłu. Cz. 1, Lasery bipolarne : technologia podąża za potrzebami rynku

Mroziewicz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 5

30-42

PL

Celem artykułu jest wprowadzenie czytelnika w zagadnienie laserów półprzewodnikowych, postrzegane z perspektywy aktualnych kierunków ich rozwoju. Omówiono w nim ważniejsze aspekty technologii laserów dużej mocy, laserów niebieskich i laserów typu VCSEL oraz rynku na te przyrządy. Przedstawiono nowe perspektywy związane z technologią kropek kwantowych. Całość materiału została uzupełniona krótkimi wykładami wyjaśniającymi zasady działania i budowy omawianych laserów.

EN

The aim of the paper is to acquaint the reader with semiconductor lasers looked at in perspective of their current development and further progress. Topics related to high power lasers, blue-violet lasers and VCSELs, including markets for these devices, are discussed. New features associated with quantum dots are also presented. The contents is supplemented by short lectures on devices in question.