PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  semiconductor element
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Zwiększenie częstotliwości łączeń w falownikach dzięki nowym elementom półprzewodnikowym z węglika krzemu (SiC)
Zdanowski M., Sobieski R.
Napędy i Sterowanie
|
2017
|
R. 19, nr 3
22--24
PL
Doskonałe właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów SiC MOSFET mogą być wykorzystane do przesunięcia obecnej bariery częstotliwości łączeń, występującej w dotychczas stosowanych krzemowych (Si) elementach półprzewodnikowych falowników napięcia w zakres nawet powyżej 100 kHz.
2
Content available Analysis of instantaneous power components of electric circuit with a semiconductor element
Zagirnyak M., Kalinov A., Maliakova M.
Archives of Electrical Engineering
|
2013
|
Vol. 62, nr 3
473--486
EN
Both a classical instantaneous power method and a method based on equations of instantaneous power orthogonal components balance have been used to analyze power processes in electric circuits with semiconductor elements. Automated method of forming instantaneous power harmonic components was used to obtain analytical expressions and numerical values of instantaneous power components of analyzed electric circuits. A coefficient for estimation of a semiconductor converter nonlinearity degree has been offered.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.