Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Detektory promieniowania sub-THz budowane z użyciem krzemowych tranzystorów typu MOSFET

Kopyt P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 7

37-41

PL

W artykule przeanalizowano z punktu widzenia projektanta wpływ elementów pasożytniczych występujących w krzemowych tranzystorach polowych typu MOSFET na działanie detektorów promieniowania sub-THz zbudowanych z użyciem takich przyrządów. Zaproponowano obwodowy model przyrządu zewnętrznego, a wartości elementów modelu dobrano w oparciu o typowe dane dostępne w literaturze. Model kanału tranzystora został zbudowany jako odcinek linii długiej opisanej za pomocą macierzy [Z], co ułatwiło zintegrowanie go z elementami pasożytniczymi. Uzyskany w ten sposób opis tranzystora MOSFET zastosowano do zbadania odpowiedzi kanału na pobudzenie sygnałem o częstotliwości sub-THz dostarczanego przez zaciski G i S. Wyniki takiej analizy przeprowadzonej dla tranzystorów MOSFET zintegrowanych z przykładową anteną łatową porównano z danymi uzyskanymi eksperymentalnie dla struktur o różnych wymiarach kanału uzyskując zadawalającą zgodność. Wydaje się zatem, że pomimo nieskomplikowanej budowy zaproponowany model może ułatwić projektowanie nowych detektorów promieniowania sub-THz i pełniejsze zrozumienie ich działania.

EN

In this paper an analysis of parasitic elements that are found in all typical metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) has been performed from a viewpoint of a designer of sub-THz radiation detectors. A simplified model of the extrinsic MOSFET device has been proposed. Typical values of its parameters have been assumed based on literature. The author has also built a model of the MOSFET’s channel (intrinsic device) employing the standard transmission line approach and defining a Z-matrix of the circuit in order to facilitate its integration with the parasitic elements. The full effective circuit model of the MOSFET has been employed to analyze the behavior of the detector when subjected to sub-THz radiation delivered through the Gate and Source pads. Finally, predictions of the responsivity of an example detector built of a typical MOSFET integrated with a patch antenna have been compared with measurements of several structures employing MOSFETs of various channel widths. Good agreement between the predictions and the measurements has been demonstrated, which indicates that despite its simplicity the presented model can significantly help to better understand operation of MOSFET-based detectors and also to improve the design process.

2

A quasi-2D small-signal MOSFET model : main results

Kordalski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 9

48-50

EN

Main results stemming from a new quasi‑2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.

PL

W artykule zaprezentowano ważniejsze wyniki nowoopracowanego quasi-dwuwymiarowego, niequasi-stycznego modelu małosygnałowego czterokońcówkowego tranzystora MOS. Wyniki weryfikacji eksperymentalnej w zakresie częstotliwości do 30 GHz potwierdzają porawność zaprezentowanego modelu.

3

SMIS : nowa struktura unipolarna

Rosowski A., Lisik Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 11

59-64

PL

Zaprezentowane zostały wyniki symulacji statycznych nowych struktur półprzewodnikowych, określanych jako struktury SMIS. Struktury te należy zaliczyć do grupy przyrządów unipolarnych z izolowaną bramką które wykorzystują właściwości prostujące złącza metal - półprzewodnik. Zaprezentowano podstawowe charakterystyki jednego z przyrządów typu SMIS i podstawowe zjawiska fizyczne istotne dla tego rodzaju struktur. Otrzymane wyniki zestawiono z symulacjami klasycznej struktury tranzystora MOS o analogicznych parametrach konstrukcyjnych.

EN

The results of numerical simulations of novel unipolar semiconductor structure called SMIS have been presented. The structure belongs to the family of isolate gate control devices, in which the rectifier metal - semiconductor junction is applied to form source or dren contacts. The results concerns the steady-state featurs of one of such SMIS structures and have been compared with the results obtained for clasical MOS structure having the same construction parameters.