Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Małachowski M.

1 2001

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: semiconductor detectors of UV

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wydajność kwantowa w zakresie ultrafioletowym selektywnego detektora wykonanego z AlxGa1-xN

Małachowski M.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

2001

Vol. 50, nr 6

5-20

Przedstawiono wyniki teoretycznej analizy wydajności kwantowej selektywnego detektora promieniowania ultrafioletowego (UF). Obliczenia wydajności przeprowadzono dla dwuwarstwowego detektora p-n składającego się z dwóch półprzewodników AlxGa1-xN różniących się pod względem składu x oraz grubości. Dobierając odpowiedni skład i grubość warstwy AlxGa1-xN odcinającej U F od strony krótkofalowej oraz skład molowy części AlxGa1-xN ze złączem p-n, można w praktyce dowolnie modelować selektywność detektora UF. Prezentowane krzywe obrazujące spektralną zależność wydajności kwantowej obejmują zakres przerw energetycznych od 3,4 eV do 4,3 eV. Krzywe nie są symetryczne - bardziej "stromy" spadek występuje od strony długofalowej.

The results of theoretical analysis of quantum yield of selective detector in ultraviolet (UV) radiation range are presented. The yield calculations were carried out for two layer p-n detector, which consists of two AlxGa1-xN semiconductors differing by the composition parameter x and the thickness. Selection of the proper composition as well as the thickness of the AlxGa1-xN layer cutting off the UV from the short wavelength side and the mole composition of the p-n junction side of AlxGa1-xN allows practically arbitrary modeling the selectivity of the UV detector. The presented curves showing the spectral dependence of the quantum yield cover the rage from 3.4 eV to 4.3 eV. The curves were found to be unsymmertial - from the long wavelength side the fall is more rapid.