Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Materiały i przyrządy optoelektroniczne dla zastosowań w zakresie bliskiej i średniej podczerwieni

Maląg A., Stępień R., Pysz D., Franczyk M., Kujawa I., Podniesiński D., Kisielewski J., Leśniewska-Matys K., Teodorczyk M., Dąbrowska E., Kozłowska A., Pawlak D., Dumiszewska E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2018

|

Vol. 59, nr 3

32--38

PL

Przedstawiono powody rosnącego w ostatnich latach zainteresowania długofalową częścią zakresu optycznego NIR i pasmem MidIR. Opisano wybrane zastosowania cywilne i w sektorze militarnym, ze wskazaniem na korzyści z przesunięcia w kierunku długofalowym w stosunku do rozwiązań dotychczasowych. Przedstawiono opracowania ITME dla optoelektroniki w tym zakresie widma: dotyczące technologii kryształów (aktywnych i nieliniowych), szkieł aktywnych, włókien światłowodowych aktywnych i pasywnych, w szczególności włókien fotonicznych, przyrządów półprzewodnikowych (pomp optycznych) i impulsowych (nanosekundowych) laserów pompowanych optycznie.

EN

The reasons for increasing in recent years interest in the long -wavelength part of optical NIR and in MidIR ranges have been presented. Selected applications, civilian and in the military sect have been described with an indication on the benefits of the shift towards the long-term compared to the current solutions. The works developed in IEMT in the field of optoelectronics of this spectral range, concerning technology of optical crystals (active and nonlinear), optically active glasses, optical (active and passive) fibers, especially photonic fibers, semiconductor devices for optical pumping and pulsed (nanoseconds) solid-state microlasers are presented.

2

Kinetic properties and charge transport physics of isotropic semiconductor crystals

Budzak Y. S., Wacławski T.

Czasopismo Techniczne. Nauki Podstawowe

|

2015

|

Y. 112, iss. 1-NP

39--48

EN

This paper presents general formulas for the kinetic properties of semiconductor crystals expressed in terms of the Fermi integrals. The formulas provide algorithms for the calculation or identification of the kinetic properties and constitute (together with the results of theoretical analysis and other presented relationships) the mathematical model of the charge carrier transport phenomena in semiconductor crystals.

PL

Uzyskane i przedstawione w artykule ogólne wzory opisujące własności kinetyczne kryształów półprzewodnikowych są wyrażone poprzez całki Fermiego. Te wzory są podstawą algorytmu do obliczenia i identyfikacji tych własności, stanowiąc (łącznie z wynikami analizy teoretycznej i innymi przedstawionymi zależnościami) model matematyczny zjawisk transportu nośników ładunku elektrycznego w kryształach półprzewodnikowych.

3

Wyznaczanie termodyfuzyjności kryształów CdMgSe z wykorzystaniem techniki radiometrii w podczerwieni

Pawlak M., Maliński M. A.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2013

|

Nr 5

55--62

PL

W pracy została wyznaczona termodyfuzyjność mieszanych kryształów półprzewodnikowych CdMgSe za pomocą radiometrii w podczerwieni. Badane próbki w obszarze widmowym pracy detektora są półprzepuszczalne dla promieniowania podczerwonego. Otrzymane wartości termodyfuzjności dla kryształów półprzewodnikowych CdMgSe za pomocą technik PPE i PTR różnią się w niewielkim stopniu.

EN

In this paper the thermal diffusivities of CdMgSe mixed crystals were determined by means of the photothermal radiometry. Investigated samples are semi-transparent in the infrared range. Obtained results are in a reasonable agreement with those determined from the photopyroelectric technique (PPE).

4

Od metody wyznaczania szybkości krystalizacji metali do nowoczesnej technologii otrzymywania kryształów półprzewodnikowych i białkowych

Siódmiak J., Gadomski A.

Chemik

|

2005

|

Vol. 58, nr 10

535-538

PL

W pracy przedstawiono krótki zarys historyczny najważniejszych, zmieniających się w czasie metod otrzymywania kryształów i badania ich własności. Przegląd rozpoczęto od metody wyznaczania szybkości krystalizacji metali, znanej jako metoda CZ, od nazwiska jej odkrywcy Jana Czochralskiego. Przy okazji, niejako, przypomniano życiorys i najważniejsze dokonania tego wybitnego, urodzonego dokładnie 120 lat temu Polaka rodem z Pałuk (z Kcyni), ważnego historycznie regionu etniczno-kulturowego, leżącego pomiędzy Bydgoszczą, Inowrocławiem a Poznaniem. Przegląd kontynuowano omawiając podstawowe cechy nowoczesnej technologii otrzymywania kryształów półprzewodnikowych, a zakończono podkreślając wielką rolę dla rozwoju technologii przyszłości eksperymentów prowadzących do właściwego otrzymywania kryształów białkowych - pod-stawowego, tzw. miękkiego materiału eksperymentalnego, służącego do badania krystalograficznego struktur pojedynczych łańcuchów białkowych.

EN

In this work, a brief historical survey of over-time-changing methods of growing crystals, and examining their properties, has been presented. The survey has been started with a method of determination of the crystallization speed of metals, known as the CZ method, termed after the name of its inventor, Jan Czochralski. Benefiting somehow from the right-now-emerging opportunity, the biography as well as the main achievements of this outstanding Pole, born exactly 120 years ago in the Pałuki-Region (in Kcynia), an important ethnic-and-cultural Polish region, somewhere between Bydgoszcz and Inowrocław, and Poznań, has been recollected. The survey has been continued by discussing basic properties of modern technology of growing semiconductor crystals, and finished by emphasizing an immense role of appropriately growing protein crystals - a basic experimental soft material, serving for crystallographic examination of single protein chains.