Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: semiconductor bridge

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Research on the Mechanism of Pin-to-Pin ESD to SCB Initiators

Chen F., Zhou B., Qin Z.

Przegląd Elektrotechniczny

2011

R. 87, nr 12a

169-172

By ESD experiment, SEM-EDXA and firing experiment, the electrostatic-response characteristic of SCB was studied and the electrical explosion performance after ESD was measured. Results show that surface-damage of bridge is not obviously visible when lower than 25kV, but part of samples coated with explosive fire; the V-type angles start to be damaged at 25kV. After ESD, the function time and firing energy required decrease significantly. 25kV is the critical damage-voltage of the bridge. When less than 25kV, the electrical energy can only make the polysilicon melting and at 25kV, the temperature reaches the boiling point of silicon to generate plasma.

Analizowano odpowiedź elektrostatyczną i parametry inicjatora eksplozji. Uszkodzenia mostka są nie zawsze widoczne jeśli napięcie jest poniżej 25 kV. Dlatego stwierdzono że napięcie 25 kV jest krytyczne, poniżej powoduje topienie polisilikonu, ale powyżej skutkuje tworzeniem się plazmy.