PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  semiconductor - metal transition
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ utleniania na właściwości elektryczne TiN, (x = 0,9 i x =1,0)
Baś B., Ziemnicka M., Sobaś P., Stobierski L., Rękas M.
Materiały Ceramiczne
|
2009
|
T. 61, nr 3
182-185
PL
Metoda van der Pauwa została wykorzystana do określenia rezystywności elektrycznej ceramiki TiN i TiN0,9 w zakresie temperatur 300-1000 K. Stwierdzono, że w zależności od składu chemicznego pokazuje ona albo właściwości metaliczne albo półprzewodnikowe. Procesowi utleniania towarzyszą przejścia metal —> półprzewodnik (w przypadku TiN) i półprzewodnik --> metal (w przypadku TiN0,9).
EN
The van der Pauw method has been applied to determine electrical resistivity of TiN and TiN0.9 ceramics in the temperature range of 300-1000 K. It was found, that depending on Chemical composition materials show either metallic or semiconducting properties. Transitions metal --> semiconductor (for TiN) and semiconductor --> metal (case TiN0.9) accompany to the oxidation process.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.