Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2021

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: semiconductor/dielectric interface

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ procesów utleniania i wygrzewania w atmosferze zawieraj ˛acej fosfor lub azot na jakos´c mi ˛ ´ edzypowierzchni dielektryk/półprzewodnik w strukturze MOS Ti/SiO2/4H-SiC

Kamiński Maciej, Brzozowski Ernest, Taube Andrzej, Sadowski Oskar, Król Krystian, Guziewicz Marek

Przegląd Elektrotechniczny

2021

R. 97, nr 2

99--104

W artykule przedstawiono wyniki prac nad formowaniem tlenku termicznego na powierzchni w ˛eglika krzemu oraz wpływ wygrzewania w atmosferze zawieraj ˛acej fosfor lub azot na jakos´c mi ˛ ´ edzypowierzchni dielektryk/półprzewodnik/ w układzie SiO2/4H-SiC. Stwierdzono, ze wygrzewanie ˙ dwuetapowe w atmosferze POCl3 w temperaturze 1000°C, oraz kolejno NO w temperaturze 1100°C pozwala zredukowac g˛ ´ estos´c stanów pułapkowych ´ do poziomu ok. 2×1011 cm−2 przy kraw ˛edzi pasma przewodnictwa.

The aim of this studies was investigation of the influence of oxidation and annealing processes in the phosphorus or nitrogen containing atmosphere on the quality of the dielectric/semiconductor interface in the Ti/SiO2/4H-SiC metal-oxide-semicondutor structure. It was found that twostage annealing, in POCl3-containing atmosphere at the temperature of 1000°C, and successively in NO-containing atmosphere at the temperature of 1100°C allows to reduce the density of interface trap to the level of approx. 2×1011cm−2 near the conduction band edge.