Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Błąd adekwatności modelu obrazowania struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych badanej metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej.

Pawłowski M., Suproniuk M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2011

|

R. 87, nr 10

230-235

PL

Celem pracy jest określenie wpływu błędu adekwatności modelu metody korelacyjnej na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PITS). Stwierdzono, że nieadekwatność modelu metody korelacyjnej powoduje przesunięcie wykresu Arrheniusa w kierunku niższych temperatur w odniesieniu do wykresu otrzymanego metodą odwrotnego przekształcenia Laplace’a. Do pokazania tego wpływu wykorzystano rejestracje relaksacji fotoprądu charakterystyczne dla centrum A (kompleksu luka-tlen) występującego w próbkach FZ Si:Sn napromieniowanych neutronami.

EN

The effect of model adequacy error of the correlation method for studies of defect centres by photoinduced transient spectroscopy (PITS), on the values of activation energy and capture cross-section obtained from the Arrhenius plot is discussed. It is shown that due to model inadequacy, there is a shift towards lower temperatures of the Arrhenius plot obtained from correlation method in comparison with that obtained from inverse Laplace transformation. The effect is exemplified by the Arrhenius plots calculated by both methods using photocurrent transients for the centre A (vacancy-oxygen complex) in neutron irradiated silicon doped with tin.

2

Baza wiedzy w inteligentnym systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących

Suproniuk M., Kamiński P., Pawłowski M., Kozłowski R., Pawłowski M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2010

|

R. 86, nr 12

249-252

PL

Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do charakteryzacji centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Parametry centrów defektowych wyznaczono na podstawie dwuwymiarowej analizy niestacjonarnych przebiegów fotoprądu opartej na odwrotnej transformacie Laplace’a i metodach inteligencji obliczeniowej. W celu określenia przypuszczalnej konfiguracji atomowej wykrytych centrów wyznaczone parametry porównano z danymi zawartymi w bazie wiedzy systemu, gdzie gromadzone są w sposób zorganizowany informacje o zaobserwowanych defektach wprowadzone na podstawie danych z pomiarów własnych i opublikowanych w dostępnej literaturze.

EN

An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The basic advantage of the system relies on the application of two dimensional analysis of the photocurrent decays and computational intelligence to extract the parameters of defect centres from the two-dimensional spectra in the domain of temperature and emission rate. The spectral analysis is carried out the procedure based on the inverse Laplace transformation algorithm. For identification of each defect centre, the obtained parameters are compared with the data in the knowledge base, where the defect properties reported in the available publications are stored and catalogued.

3

Zastosowanie metod inteligencji obliczeniowej do analizy struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych

Jankowski S., Kamiński P., Kozłowski R., Szymański R., Będkowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 8

285-290

PL

Inteligentne algorytmy obliczeniowe, maszynę wektorów nośnych oraz maszynę wektorów istotnych, zaimplementowano w systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii foto-prądowej. Skuteczność działania tych algorytmów sprawdzono poprzez ich zastosowanie do badania centrów defektowych w niedomieszkowanym monokrysztale InP, którego własności półizolujące otrzymane zostały w wyniku długotrwałej obróbki termicznej w atmosferze par fosforu.

EN

Intelligent computational algorithms support vector machine (SVM) and relevance vector machine (RVM) has been implemented in the experimental system dedicated to studies of defect centres in high resistivity semiconductors by photoinduced transient spectroscopy (PITS). Functional effectiveness of these algorithms has been tested through their application to studying defect centres in an undoped InP single crystal whose semi-insulating properties were obtained by a long-term heat treatment in phosphorus vapour atmosphere.

4

Intelligent measuring system for characterisation of defect centres in semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy

Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Jankowski S., Wierzbowski M.

Metrology and Measurement Systems

|

2005

|

Vol. 12, nr 2

207-228

EN

An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures. The spectral analysis is carried out by two independent methods: the two-dimensional correlation procedure and the procedure based on the inverse Laplace transformation algorithm. Parameters of a defect centre are determined using the neural network algorithm which is based on two hidden neurons in the form of two-dimensional sigmoid functions used to obtain a morphological match of the approximating function to the shape of the fold on the spectral surface. The system is shown to be a powerful tool for studies of defect structure of high-resistivity semiconductors.

PL

Przedstawiono inteligentny system pomiarowy dedykowany do charakteryzacji centrów defektowych w materiałach półizolujących. Działanie systemu polega na rejestracji relaksacyjnych przebiegów fotoprądu w szerokim zakresie temperatur oraz realizacji dwuwymiarowej analizy temperaturowych zmian stałych czasowych tych przebiegów. Analiza widmowa przeprowadzana jest za pomocą dwóch niezależnych metod: dwuwymiarowej procedury korelacyjnej i procedury wykorzystującej odwrotną transformatę Laplace'a. Parametry centrów defektowych wyznaczane są za pomocą sieci neuronowej, która złożona jest z dwóch neuronów w postaci dwuwymiarowych funkcji tangensa hiperbolicznego i realizuje morfologiczne dopasowanie funkcji aproksymującej do kształtu fałdy na powierzchni widmowej. Wartości parametrów centrów defektowych otrzymywane są jako wartości parametrów aproksymatora po procesie dopasowania. Przedstawiono przykłady zastosowania systemu do badania centrów kompensujących w półizolującym InP oraz centrów radiacyjnych w krzemowych, wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych napromieniowanych protonami o dużej energii. Porównano strukturę defektową SI InP domieszkowanego żelazem w procesie monokrystalizacji oraz strukturę defektową SI InP, którego półizolujące właściwości otrzymano w wyniku długotrwałej obróbki termicznej w atmosferze par fosforu. W krzemowych warstwach epitaksjalnych określono zmiany struktury defektowej w funkcji dawki protonów.

5

Zintegrowany system pomiarowy jako narzędzie identyfikacji głębokich centrów defektowych półprzewodników

Ćwirko J., Ćwirko R.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

|

2004

|

Vol. 53, nr 5

83-94

EN

In this paper measurement system for electric and photoelectric characterization of semiconductor materials and heterostructures is presented. The unique feature of the presented system is comprehensive approach to characterization of material's electrical properties. System utilizes the powerful techniques such as: High Resolution Photo-Induced Spectroscopy HRPITS, Modulated Photocurrent Technique MPC and Low Frequency Noise LFNS. The samples are measured in temperature range from 10 K to 450 K in temperature-controlled nitrogen cryostat, helium cryostat or high-temperature module, respectively. The measured signals are amplified in low noise current or voltage amplifiers and processed in specialized devices. The sample can be illuminated by calibrated LED or laser diode, if necessary.

PL

W artykule przedstawiono zintegrowany system pomiarowy, umożliwiający diagnostykę materiałów i przyrządów półprzewodnikowych przez analizę struktury głębokich centrów defektowych. System pomiarowy pozwala na wykonywanie badań w zakresie temperatury 10 K - 500 K. Rozbudowany moduł wymuszeń optycznych umożliwia pobudzanie światłem badanej próbki punktowo lub przez skaning jej powierzchni. Najważniejszą zaletą prezentowanego systemu pomiarowego jest możliwość prowadzenia badań trzema metodami (HRPITS, MPC, LFNSW) identyfikacji głębokich centrów defektowych. Poszczególne metody pomiarowe wykorzystują różne algorytmy pomiarowe ale korzystają ze wspólnego modułu stabilizacji temperatury, toru wzmocnień małosygnałowych i wymuszeń optycznych, co pozwala na minimalizację błędów pomiarowych.