Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Bonding technologies for 3D-packaging

Wolter K. J., Meier K., Saettler P., Panchenko I., Froemmig M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 4

9-14

EN

Electronics System Integration by System in Package improves the performance, reduces the size, power and cost of electronic systems. Three dimensional Systems in Package are a new way for integrating functional blocks in vertical structures. This implementation leads to shorter signal and power interconnects and this results in lower propagation delay and power consumption. The paper will introduce the 3D-integration technologies and present bonding technologies for Package-on-Package (PoP) and Die-to-Wafer 3D-technologies. Results of our research group on "Highly Reliable 3D-Microsystems" in the field of reliable solder interconnections, through-silicon-via (TSV) technologies, self-alignment approaches for die stacking, die-to-die bonding by Cu/Sn solid-liquid-interdiffusion (SLID) technology and the application of Ag-nanowire arrays for anisotropic conductive adhesives will be demonstrated.

PL

Technologia Integracji Systemów Elektroniki przez metodę System w Pakiecie poprawia wydajność, zmniejsza wielkość, moc i koszt systemów elektronicznych. Trójwymiarowe Systemy w Pakiecie to nowy sposób na zintegrowanie funkcjonalnych bloków w struktury pionowe. Implementacja ta prowadzi do krótszego sygnału i mocy połączeń, a to prowadzi do zmniejszenia opóźnienia propagacji i zużycia energii. W tym artykule przedstawione zostanie wprowadzenie do tematu integracji technologii 3D i bondingu dla technologii 3D typu Package-on-Package (PoP) oraz Die-to-Wafer. Omówione zostaną wyniki dotyczące "Wysoce Niezawodnych Mikrosystemów 3D" w zakresie wiarygodnego lutowania połączeń, technologii przelotek wewnętrz krzemu (TSV), samowyrównywania stosu, bondingu die-to-die poprzez interdyfuzje Cu/Sn (SLID) oraz zastosowanie srebrnych nanorurek dla anizotropowo przewodzących klejów.

2

Badania teoretyczne łożysk ślizgowych podpartych na czaszy kulistej

Olszewski A., Wodtke M.

Tribologia

|

2009

|

nr 4

147-156

PL

Podparcie łożysk ślizgowych na czaszy kulistej umożliwia uzyskanie równoległości czopa wału względem powierzchni ślizgowej łożyska. Rozwiązanie tego typu jest często spotykane w maszynach o znacznych gabarytach, w których trudno zapewnić idealne osiowanie wszystkich gniazd łożyskowych. W pracy przedstawiono metodykę badań teoretycznych i doświadczalnych łożysk ślizgowych podpartych na czaszy kulistej. Badania teoretyczne prowadzono z wykorzystaniem programu komputerowego MES oraz programu wyznaczającego charakterystyki filmu olejowego. W celu opisu systemu tribologicznego łożysko–podpora stworzono trójwymiarowy model MES łożyska i gniazda. W czasie badań analizowano wpływ wielu czynników mogących ułatwiać lub utrudniać samonastawność, takich jak luz pomiędzy kulą a gniazdem, wpływ współczynnika tarcia, geometrię gniazda itp. Wyniki badań są aktualnie weryfikowane na specjalnie do tego celu zmodernizowanym stanowisku badawczym.

EN

A new concept of a hydrodynamic bearing computer model with selfaligning spherical support is presented in the paper. It takes into account the interaction between the bearing and spherical support. The model is composed of two modules. The first module is used for calculating hydrodynamic pressure distribution, and the second one (FEM module) describes the tribological characteristics of the spherical support of the bearing. During the simulations, both bearing geometry and spherical support geometry were changed. Several bearings were tested, varying clearance, length and preload. Different spherical seats were also studied, varying clearance and friction coefficient. The influence of the groove in the bearing shell sliding surface on tribological behaviour was also investigated. The proposed computer model offers an efficient design stage simulation of the behaviour of a sliding bearing in a spherical support. The model is being verified during experimental tests in a modernised test rig.

3

Excitation space anisotropy, coherence and coherent conductivity in hollow cathode discharge

Zhechev D., Parvanova N.

Opto-Electronics Review

|

2003

|

Vol. 11, No. 1

51-54

EN

Based on the excitation space anisotropy a partial polarisation of the spontaneous emission is found in hollow cathode discharge. This polarisation is ascribed to existing spontaneous coherence, i. e., self-alignment of the excited states. The aligning factors are the beam-like fast electrons from the cathode dark space. An expression for observed signal of the spontaneous emission magnetic depolarisation is obtained. Withim the frames of the ordinary opto-galvanic effect a separate coherent conductivity is analysed. a poor coherent conductivity due the self-aligned states is detected.

4

A hollow cathode discharge modification as a of sputtered atoms and their ions

Zhechev D., Tileva S., Mishinsky G. V., Zhemenik V. I.

Opto-Electronics Review

|

2001

|

Vol. 9, No. 4

419-422

EN

A nonconvectional hollow cathode discharge (HCD) modification grounded on a conical bottom (CB) cylindrical cathode is reported. this CBHCD enhances the main HCD property, i.e., the sputtering of the cathode surface/probe inserted. Comparative polarisation measurements with a conventional flat bottom HCD show a stronger narrowing of the Hanle signal width for the sputtered Cu atoms in CBHCD.This their density is higher in CBHCD. This result is specified by the redial optogalvanic profile. It contains two peaks of the mentioned density, i.e., near the cylindrical cathode surface and over the cone peak. Some preliminary examinations of CBHCD as an ion source in three arrangements are performed and discussed.