Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Osadzanie i właściwości materiałów cienkowarstwowych otrzymywanych w procesie RP-CVD z różnych prekursorów krzemoorganicznych

Walkiewicz-Pietrzykowska A., Wróbel A. M.

Inżynieria Materiałowa

|

2012

|

Vol. 33, nr 6

565--568

PL

Amorficzne, uwodornione, cienkie, warstwy węglika krzemu (a-SiC:H) i węgloazotku krzemu (a-SiCN:H) były wytwarzane z różnych jednoźródłowych prekursorów krzemoorganicznych w selektywnym procesie plazmowym CVD (RP-CVD, remote plasma chemical vapor deposition), stosując wodór do generowania plazmy mikrofalowej (2,45 GHz). Warstwy były nanoszone dla różnej temperatury podłoża (TS = 30÷400°C) na polerowane płytki z krystalicznego krzemu jako podłoża modelowe. Wykonano badania składu elementarnego, struktury chemicznej i właściwości, takich jak: gęstość, współczynnik załamania światła, twardość, moduł sprężystości oraz adhezje do podłoża otrzymanych warstw. Rezultaty badań składu chemicznego warstw a-SiC:H wykonane metodami spektroskopii fotoelektronowej (XPS) i spektroskopii rozpraszania wstecznego Rutherforda (RBS) wykazały, że wzrost temperatury podłoża (TS) powoduje spadek udziału węgla oraz wzost udziału krzemu. Na podstawie wyników badań struktury chemicznej warstw wykonanych za pomocą spektroskopii absorbcyjnej w podczerwieni (FTIR) stwierdzono, że ze wzrostem TS następuje sieciowanie warstwy powodujące zanik grup organicznych oraz drastyczny wzrost udziału wiązań węglikowych Si-C dla warstw (a-SiC:H) oraz wiązać węgloazotku krzemu dla warstw (a-SiCN:H). Warstwy otrzymane dla wyższej temperatury podłoża charakteryzują się dużą gęstością, dużymi współczynnikami załamania światła oraz dużą twardością i modułem sprężystości. Stwierdzono, że temperatura jest czynnikiem decydującym o strukturze, budowie chemicznej i właściwościach otrzymywanych podłoży. Na podstawie uzyskanych wyników stwierdzono, że najlepszymi właściwościami oraz budową chemiczną charakteryzują się warstwy otrzymywane dla temperatury podłoża TS = 150÷300°C. Materiały te mogą być stosowane jako powłoki ochronne i utwardzające dla różnych elementów i ze względu na ich nietoksyczność mogą być stosowane w medycynie.

EN

Amorphous hydrogenated silicon carbonitride (a-Si:N:C:H) and amorphous hydrogenated silicon-carbon (a-Si:C:H) thin-film materials were produced by remote hydrogen plasma CVD (RP-CVD) from a structurally different and commercially available organosilicon precursors in remote plasma chemical vapour deposition process using hydrogen for microwave plasma generation (2.45 GHz). The a-Si:C:H films were deposited at different substrate temperature (TS = 30÷400°C), which appears to be the key parameter precisely controlling the structure and properties of resulting film. Chemical structure was examined by Fourier Transform Infrared (FTIR), X-ray photoemission spectroscopy (XPS) and Rutherford backscattering spectrometry (RBS).The increase the TS leads to the elimination of organic moieties from the film structure, and involved structural changes in the materials. The film undergoes a thermally induced transformation into highly crosslinked material mostly consisted of the Si-C and/or Si-N inorganic bonds. The thin films were characterized in terms of their density, surface free energy, corrosion resistance, mechanical properties (adhesion, hardness, elastic modulus), and optical properties (refractive index). Density, adhesion, hardness, and refractive index of the film are strongly influenced by the substrate temperature (TS) and increase markedly with rising value of this parameter. In view of the presented properties, the a-Si:C:H and a-Si:N:C:H) films produced by RP-CVD seem to be very promising coating materials for many technical and medical applications.

2

Otrzymywanie i właściwości cienkich warstw a-SiC:H nanoszonych w procesie RP-CVD z tetrametylodisilaetylenu

Walkiewicz-Pietrzykowska A., Wróbel A. M.

Inżynieria Materiałowa

|

2010

|

Vol. 31, nr 4

1277-1279

PL

Amorficzne, uwodornione, cienkie, warstwy (a-SiC:H) były wytwarzane z 1,1,4,4-t Tetrametylodisilaetylenu (TMDSE) w selektywnym procesie plazmowym CVD (RP-CVD, remote plasma chemical vapor deposition), stosując wodor do generowania plazmy mikrofalowej (2,45 GHz). Warstwy nanoszone były przy rożnej temperaturze podłoża (TS = 30÷400°C), na polerowane płytki krystalicznego krzemu użyte jako podłoża modelowe Przedstawiono rezultaty badań nad wpływem temperatury podłoża na strukturę chemiczną oraz właściwości fizyczne, fizykochemiczne i mechaniczne otrzymanych cienkich warstwy węglika krzemu.

EN

Amorphous silicon carbide thin films were produced from 1,1,4,4- tetramethyldisilethylene in remote plasma chemical vapor deposition process using hydrogen for microwave plasma generation (2.45 GHz. The films were deposited on the polished crystalline silicon wafers used as a model substrates. In this work the effect of silicon base temperature on chemical structure, physical, physicochemical and mechanical properties of obtained thin films of silicon carbide has been presented.

3

Właściwości ciennkich warstw węgloazotka krzemu wytwarzanych w selektywnym procesie plazmowym CVD

Wróbel A. M., Błaszczyk-Łężak I., Walkiewicz-Pietrzykowska A.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

Vol. 27, nr 5

1275-1277

PL

Cienkie warstwy węgloazotka krzemu były wytwarzane z nowego unikatowego prekursora krzemoorganicznego, l,3-bis(dimetylosililo)-2,2,4,4-tetrametylocyklodisilazanu, w selektywnym procesie plazmowym CVD, w którym do generowania plazmy stosowano wodór. Warstwy były nanoszone na polerowane płytki krystalicznego krzemu użyte jako podłoża modelowe. Przedstawiono rezultaty badań nad wpływem temperatury podłoża na strukturę chemiczną, morfologię powierzchni, właściwości fizyczne i mechaniczne (gęstość, adhezja, twardość, moduł sprężystości, współczynnik tarcia) nanoszonych warstw.

EN

Silicon carbonitride thin films were produced from l,3-bis(dimethylsilyl)-2,2,4,4-tetramethylcyclodisilazane in remote plasma chemical vapor deposition process using hydrogen for plasma generation. The films were deposited on the polished crystalline silicon wafers used as the model substrates. The effect of substrate temperature on the chemical structure, surface morphology, physical and mechanical properties (density, adhesion, hardness, elastic modulus, friction coefficient) of the deposited films is reported.

4

Cienkie warstwy węglikoazotku krzemu wytwarzane z prekursora krzemoorganicznego w selektywnym procesie plazmowym CVD

Błaszczyk I., Wróbel A.M.

Inżynieria Materiałowa

|

2003

|

R. XXIV, nr 6

431-434

PL

Amorficzne uwodornione cienkie warstwy węglikoazotku krzemu były wytwarzane z tetrametylodisilazanu w selektywnym procesie plazmowym CVD, w którym do generowania plazmy stosowano mieszaninę wodór-azot. Przedstawiono rezultaty badań nad wpływem stężenia azotu w zasilającej plazmę mieszaninie wodór-azot na strukturę chemiczną, morfologię powierzchni i właściwości warstwy (gęstość, twardość, moduł sprężystości, współczynnik tarcia).

EN

Amorphous hydrogenated silicon carbonitride thin films were produced from tetramethyldisilazane by remote plasma chemical vapor deposition using the hydrogen-nitrogen mixture for plasma generation. The results of studies of the effect of the nitrogen content in the plasma feeding hydrogen-nitrogen mixture on chemical structure, surface morphology, and properties (density, hardness, elastic modulus, friction coefficient) of resulting film is reported.