Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: selektywne osadzanie

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Selektywne osadzanie powłok cynkowych

Przywóski A., Czerwiński R.

Inżynieria Powierzchni

2012

nr 4

26-31

Przedstawiono metodę selektywnego nakładania powłok metalicznych zwłaszcza cynku i jego stopów. Omówiono właściwości funkcjonalne i zastosowanie powłok cynkowych i stopowych cynku z niklem, kobaltem i żelazem nakładanych metodą selektywną. Otrzymano powłoki o dobrych właściwościach, wdrożone do zastosowań praktycznych jako powłoki ochronne i regeneracyjne.

Method of selective metal plating especially zinc and its alloys is presented. The functional properties of the coatings and the use of zinc and zinc alloy with nickel, cobalt and iron imposed by selective plating are discussed. The method has been implemented in practical applications and coatings have been obtained with good protective properties and for regeneration.

Selektywne osadzanie warstw GaN na podłożach krzemowych metodą reaktywnego sputteringu

Stańczyk B., Jagoda A., Domański A. W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 2-3

27-28

Zbadano możliwość uzyskania warstw GaN metodą reaktywnego sputteringu przy wykorzystaniu techniki selektywnego osadzania. Założono, że zastosowanie selektywności poprawi parametry warstw w stosunku do osadzanych w sposób nieselektywny . Selektywność osadzania warstw GaN w sputronie uzyskano, ograniczając powierzchnię wzrostu do niskowymiarowych, periodycznych obszarów (tarasów), które otrzymano w wyniku fotolitografii i pionowego, głębokiego trawienia plazmowego podłożowych płytek krzemowych.

In this work, we tried to deposit GaN layer by reactive sputtering using technique of selective growth, on silicon substrate. We assumed that the selectivity correct parameters layers in compare with nonselective layer. In sputtering, dielectric tilms, used in ELO, don't assure selective grown. We achieved selectivity deposition GaN layer by limitation area growth to low size, periodic terraces, which obtained using photolithography and plasma etching ot silicon wafers.