Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  secondary electrons
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Omówiono detektory elektronów stosowane w elektronowych mikroskopach skaningowych w warunkach wysokiej próżni w komorze preparatowej. Przedstawiono detektory przeznaczone do otrzymywania kontrastu topograficznego i materiałowego. Główny nacisk położono na detektory elektronów rozproszonych wstecznie, przeznaczone do otrzymywania kontrastu topograficznego. Podano rozwiązania konstrukcyjne, analiz: działania, wyniki test6w eksperymentalnych oraz zastosowania detektorów. Przedyskutowano wpływ rodzaju zbieranych elektron6w (wtórych lub rozproszonych wstecznie), rodzaju elementu detekcyjnego (scyntylator, dioda półprzewodnikowa, powielacz elektronowy), usytuowania detektora w komorze mikroskopu, efektywności zbierania elektronów wyemitowanych z próbki oraz cech powierzchni próbki na sygnał detektora. Opisano metody stosowane podczas projektowania i optymalizacji detektorów, a mianowicie metod;: Monte Carlo do symulacji rozproszenia elektron6w w próbce i obliczania sygnałów detektorów oraz metody testów doświadczalnych. Przedstawiono wyniki obliczeń elektronooptycznych, wyniki obliczeń sygnałów oraz wyniki testów dla różnych próbek i różnych detektorów. Przedstawiono sposób obliczania oraz wyniki pomiar6w wsp6lczynnika szumów różnych detektorów. Głównym kierunkiem badan autora było opracowanie nowych detektorów kontrastu topograficznego wykorzystujących elektrony rozproszone wstecznie wyemitowane z próbki pod małymi kątami w stosunku do powierzchni. Wyniki testów pokazują, że nowe detektory zapewniają uzyskanie wysokiego poziomu kontrastu topograficznego w obrazach mikroskopowych, zarówno w zakresie elektronowej mikroskopii skaningowej standardowej (napięcie przyspieszające wyższe od 5 kV), jak i niskonapięciowej (napięcie przyspieszające niższe od 5 kV).
EN
Electron detectors used in scanning electron microscopes with high vacuum in the specimen chamber are described. Detectors used for obtaining topographic and material contrast are presented, electron detectors of backscattered electrons used for obtaining topographic contrast are emphasized. Construction solutions, functional analysis, results of experimental tests and applications of detectors are presented. A dependence of the detector signal on the type of collected electrons (secondary or backscattered electrons), on the type of a detection element (scintillator, semiconductor diode, electron multiplier), on position of the detector in a microscope chamber, on efficiency of collection of electrons emitted from the specimen surface and on specimen surface features is discussed. Methods used in a stage of design and optimization of the detector, i.e. Monte Carlo method of simulation of electron scattering in the specimen and computation of detector signals and methods of experimental tests are described. Results of electro-optical and signal computations and results of experimental tests for different specimens and different detectors are presented. A method of computation of detector noise coefficient and results of its measurements for different detectors is presented. The main direction of author's research was development of new topographic contrast detectors utilizing backscattered electrons emitted at low angles in respect to the specimen surface. Tests results show, that new detectors enable to obtain high level of topographic contrast in micrographs, in the range of standard scanning electron microscopy (accelerating voltage higher than 5 kV), as well as in the range of low voltage scanning electron microscopy (accelerating voltage lower than 5 kV).
PL
W artykule przedstawiono podstawowe zalety i problemy wynikające ze stosowania analizatorów EDS do identyfikacji pierwiastków w materiale badanych próbek. Omówiono różnice pomiędzy analizatorami EDS i WDS ze względu na zasadę działania i rozdzielczość. Przedstawiono przykład zastosowania analizatora EDS do mikroanalizy chemicznej materiału łopatki turbiny silnika lotniczego po eksploatacji.
EN
The most essential merits and drawbacks resulting from applying the EDS detectors to identity elements in the materiaIs of specimens under examination have been presented. Differences between the EDS and WDS detectors due to both the principle of operation and resolution have been discussed. An instance of applying the EDS detector to microchemical analysis of the material of an aircraft turbine blade withdrawn from service has been discussed.
EN
Testing Si3N4 membrane windows is a preliminary research for the single-ion-single-cell irradiating programme prepared at the Cracow nuclear microprobe facility. The present investigation is concerned with finding a method to register every single particle of the microprobe beam when passing through a membrane to the atmosphere. The 200 nm thick membranes covered with different layers were investigated. The alpha particles, after passing the membrane window, were registered by a particle detector. Secondary electrons ejected from the membrane by alpha particles were registered by a channeltron. The channeltron signals were collected in coincidence with the silicon detector signals. The detection efficiency is the ratio of the fast coincident channeltron signal number to the total number of the silicon detector signals. The results of investigation of the membranes with different coverages are reported in the present work.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.