Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: scattering mechanisms

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Kinetic properties and charge transport physics of isotropic semiconductor crystals

Budzak Y. S., Wacławski T.

Czasopismo Techniczne. Nauki Podstawowe

2015

Y. 112, iss. 1-NP

39--48

This paper presents general formulas for the kinetic properties of semiconductor crystals expressed in terms of the Fermi integrals. The formulas provide algorithms for the calculation or identification of the kinetic properties and constitute (together with the results of theoretical analysis and other presented relationships) the mathematical model of the charge carrier transport phenomena in semiconductor crystals.

Uzyskane i przedstawione w artykule ogólne wzory opisujące własności kinetyczne kryształów półprzewodnikowych są wyrażone poprzez całki Fermiego. Te wzory są podstawą algorytmu do obliczenia i identyfikacji tych własności, stanowiąc (łącznie z wynikami analizy teoretycznej i innymi przedstawionymi zależnościami) model matematyczny zjawisk transportu nośników ładunku elektrycznego w kryształach półprzewodnikowych.

Scattering mechanisms in MOS/SOI devices with ultrathin semiconductor layers

Walczak J., Majkusiak B.

Journal of Telecommunications and Information Technology

2004

nr 1

39-49

Main scattering mechanisms affecting electron transport in MOS/SOI devices are considered within the quantum-mechanical approach. Electron mobility components (i.e., phonon, Coulomb and interface roughness limited mobilities) are calculated for ultrathin symmetrical DG SOI transistor, employing the relaxation time approximation, and the effective electron mobility is obtained showing possible mobility increase relative to the conventional MOSFET in the range of the active semiconductor layer thickness of about 3 nm.