Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  saphire substrates
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy przedstawiono możliwości reaktywnego trawienia jonowego podłóż szafirowych w celu uzyskania struktur powierzchniowych przy użyciu maski z fotorezystu. Wyniki uzyskane w procesie reaktywnego trawienia jonowego wskazują, że dla głębokości ok. 10 mikrometrów można uzyskać bardzo wysoką anizotropię procesu.
EN
A potential of reactive ion etching of saphire substrates in order to generate pattern using a photoresist mask is presented. The results show that it is possible to etch channels as deep on 10 micrometers with a high degree of anisotropy.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.