Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2005

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: ruthenium dioxide

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Źródła szumów w rezystorach grubowarstwowych na bazie dwutlenku rutenu

Kolek A., Zawislak Z., Stadler A. W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 10

38-40

Omówiono metodę pomiarów weryfikujących koncepcję, zgodnie z którą źródłem szumów niskoczęstotliwościowych są systemy dwustanowe o kinetyce aktywowanej termicznie. Pokazano, że takie systemy wywołują szumy w rezystorach grubowarstwowych wykonanych z past rezystywnych na bazie dwutlenku rutenu i szkła.

A study on low-frequency noise sources in thick film resistors made of resistive pastes based on ruthenium dioxide and glass has been presented. The paper focuses on the excess noise spectrum dependence on temperature in the range 77 K < T < 300 K. Experimental data have been then analyzed to extract characteristic values of activation energy and time constant describing unique features of the measured spectra. It has been proved that the noise in RuO2 + glass thick film resistors is caused by two-states systems of thermally activated kinetics.