Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: ruchliwość nośników

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Organic field effect transistor with zinc phthalocyanine

Metel E., Jarosz G.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

2006

Vol. 26

67-71

Output characteristics of an organic field effect transistor with zinc phthalocyanine are presented. As a substrate highly conductive silicon wafers with an insulation layer of silicon dioxide (SiO2) on the top and gold source-drain electrodes on the SiO2 have been used. The field effect mobility of holes estimated from the lower range of source-drain voltage (linear regime) was 9x10-4 cm2/(Vs).

W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoża zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 µm (jest to odległość między elektrodą źródła i elektrodą drenu) i szerokości 1048 µm. Warstwy ftalocyjaniny cynku o grubości 60 nm naparowywano na podłoże ze średnią szybkością 0.1 Å/s pod wysoką próżnią (10-6 mbar). Pomiary prowadzono w temperaturze pokojowej w atmosferze powietrza. Obejmowały one zależności natężenia prądu źródło-dren w funkcji napięcia źródło-dren przy różnych stałych wartościach napięcia źródło-bramka. W obszarze liniowym charakterystyk wyznaczono kondunktację kanału tranzystora, na podstawie której następnie oszacowano ruchliwość dziur w badanych warstwach ftalocyjaniny cynku.

Badanie transportu nośników w niedomieszkowanym krzemie porowatym metodą niestacjonarnego fotoprzewodnictwa

Bratkowski A., Łukasiak Z., Korcala A., Borowski P., Bała W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

15-16

Warstwy krzemu porowatego otrzymano metodą elektochemicznej anodyzacji krzemu typu p. Wykonano pomiary krzemu typu p. Wykonano pomiary przebiegów czasowych fotonapięcia dla różnych długości fal światła wzbudzającego w różnych temperaturach. Pomiary pozwoliły wyznaczyć ruchliwość nośników prądu oraz określić energię głębokich poziomów w strukturze krzemu porowatego.

Porous silicon layers were produced by electrochemical anodisation method. Photocurrent curves at different wavelength of excitation, temperatures and polarization voltages have been measured. Mobility of carriers and deep level energies were determined from photovoltage curves.