PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  ruchliwość dziur
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Hole drift mobility in anthrone and antrachinone layers
Kania S.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2012
|
Vol. 33
55-63
EN
Drift mobility of holes in antrachinone and anthrone polycrystalline thin films evaporated in the vacuum of the order of 10-5 Torr was measured with time-of-flight- method. The one order difference in mobility values for both -four ring acenes purified with zone melting before vaporization and identical in crystallization structure but with different molecule symmetry may have the origin in the presence of the difference in permanent dipole moment for both molecules.
PL
Badano proces transportu dziur w polikrystalicznych warstwach antronu i antrachinonu. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. Obydwa związki z punktu widzenia krystalograficznego posiadają prawie jednakową strukturę układu jednoskośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla antrachinonu. Dla obu związków uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Wielkości te mogą przemawiać za transportem hoppingowym, nie mniej dopiero badanie mechanizmu transportu z uwzględnieniem zmiany struktury warstw może w pełni zweryfikować hipotezę. Na podstawie badań wydaje się, że moment dipolowy cząsteczek, mimo identycznej struktury kryształu, może mieć wpływ na wielkość ruchliwości nośników ładunku.
2
Content available Conductivity due to active collisions channel of adsorption of ethanol to thin layer of acenes
Kania S., Kuliński J.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2012
|
Vol. 33
65-72
EN
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggests influence of collisions as a source of injection of the charge through surface potential barrier of adsorption.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-kwaterfenylu. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora sugeruje wzrost natężenia prądu związanego z adsorpcją jako wynik procesów dwuciałowych zderzeń z wstrzykiwaniem nośników ładunku do warstwy. Uzyskane wartości potwierdzają wyniki dla badanych związków uzyskane przy założeniu hoppingowego mechanizmu przewodzenia opisanego w [3, 4].
3
Content available Activation processes for two chosen aromatic hydrocarbon materials
Kania S., Kuliński J.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2009
|
Vol. 30
47-64
EN
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest that tetracene is better for utilization as a vapour sensors.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu nośników w warstwach tetracenu i czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne. Wydaje się, że większe możliwości zastosowań w technologii cienkowarstwowej ze względu na dużą głębokość modulacji konduktywności i niewystępowania efektu przebicia ma p-czterofenyl. Tetracen może mieć zastosowanie jako materiał modulujący swoje przewodnictwo w obecności gazów pod warunkiem zastosowania grubszych warstw.
4
Content available Hole drift mobility in antrachinon layers
Kania S.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2007
|
Vol. 28
27-32
EN
The drift mobility of holes in the antrachinon layers were determined. The layers were evaporated in the vacuum of the order of 10 -5 Torr. Due to the substrate temperature the layers were in the structure polycrystalline or the quasi-amorphous. There were no obtained the effect of the layers structure on the magnitude of the mobility of the carriers and on the transport mechanism.
PL
Badano ruchliwość dziur w polikrystalicznych i quasi-amorficznych warstwach antrachinonu. Określono typową dla acenów o takim stanie nieuporządkowania wartość ruchliwości. Na podstawie uzyskanych rezultatów nie można jednoznacznie określić z jakim mechanizmem transportu mamy do czynienia. Nie stwierdzono na tym poziomie nieuporządkowania wpływu struktury na mechanizm transportu, choć można się było tego spodziewać
5
Content available remote Charge carrier conductivity mechanism for activated p-quaterphenyl layers
Kania S.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2006
|
Vol. 27
23-34
EN
Charge carrier conductivity mechanism for holes in activated p-quaterphenyl layers was investigated in this work. The results suggest that hopping transport through the localized states near the Fermi level dominate in those layers. The process of activation leads to the growth of the dc conductivity in aromatic hydrocarbons and this is the reversible process. This suggest the possibility to utilize in practice.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu dziur w warstwach p-czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, z jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
6
Content available remote The magnitude of the order and the hole transport in the tetracene films
Kania S.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2004
|
Vol. 24
47-59
EN
The hole drift mobility for polycrystalline, quasi-amorphous and amorphous tetracene films were carried out. The tetracene films were obtained with the aid of vacuum evaporation technique. Tetracene was deposited on the glass substrates with the room temperature as a polycrystalline and with the substrate temperature 140 - 150 K as a amorphous one in vacuum of the order of 10 -5 Torr. The hole mobilities were evaluated using the time-of-flight method in the air environment. Obtained results suggest that we have to do with hopping transport through localized states near the Fermi level.
PL
Przeprowadzono kompleksowe badania ruchliwości dziur metodą czasu przelotu w cienkich warstwach tetracenu, będącego przedstawicielem niskowymiarowych związków organicznych. Warstwy tetracenu były uzyskane metodą próżniowego naparowywania na podłoża szklane w temperaturze pokojowej (warstwy polikrystaliczne) i chłodzone ciekłym azotem do temperatury 140 - 150 K (warstwy quasi-amorficzne i amorficzne). Badania miały na celu uchwycenie korelacji pomiędzy własnościami elektrycznymi, a uporządkowaniem strukturalnym warstwy. Uzyskane rezultaty dla ruchliwości dryftowej dziur (warstwy polikrystaliczne ok. 2,5-10 -3 cm²/Vs, zaś quasi-amorficzne i amorficzne od 6-10 -4 do 3-10 -3 cm²/Vs) zdają się sugerować, że zwiększanie stopnia nieuporządkowania strukturalnego warstw tetracenu nie ma istotnego wpływu na transport dziur w przypadku badań prowadzonych w powietrzu. Tłumaczy się to przez konkurencję pomiędzy licznymi stanami wprowadzanymi przez oddziaływanie z cząsteczkami powietrza (N2, O2) a stanami wprowadzanymi przez istnienie barier na granicy ziaren. Zjawisko to zdaje się potwierdzać uzyskiwanie prawie Gaussowskiego kształtu impulsu prądowego nawet w przypadku struktur amorficznych. Wydaje się, że dominującym mechanizmem transportu dziur w warstwach tetracenu jest transport hoppingowy poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego.
7
Content available remote Drift hole mobility in the amorphus tetracene films
Kania S., Kondrasiuk J.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2003
|
Vol. 23
25-32
EN
For the first time the investigations of hole drift mobility for amorphous tetracene films were carried out. The amorphous tetracene films were obtained with the aid of vacuum evaporation technique. Tetracene was deposited on the glass substrates with the temperature 140 - 150 K in vacuum of the order of 10-5 Torr. The carrier mobility was evaluated with the aid of the time-of-flight method. Obtained results suggest that we have to do with hopping transport through localized states near the Fermi level.
PL
Po raz pierwszy przeprowadzono badania dryfowej ruchliwości dziur dla amorficznych warstw tetracenu. Amorficzne warstwy tetracenu uzyskano metodą naparowywania próżniowego, osadzając w próżni rzędu 10-5 Torr tetracen na szklane podłoża o temperaturze 140 - 150 K. Ruchliwość dziur wyznaczono metodą time-of-flight. Uzyskane rezultaty sugerują, że mamy do czynienia z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.