Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  ruchliwość dryftowa elektronów
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
Applicability of the theories describing the discharge in thin-film insulators under open-circuit conditions for dispersive hopping systems is the subject of this paper. It is shown by means of computer simulation that the drift mobility obtained from application of the theories for such systems is underestimated. The computer simulation was carried out for a thin film system in which the charge transport is dominated by hopping of charge carriers among localized states in a narrow band at the Fermi level. The way of interpretation of the discharge under opencircuit conditions in such systems is suggested. The simulation results have also been applied for interpretation of the open-circuit discharge in thin diamond-like carbon films.
PL
Badano stosowalność teorii opisujących rozładowanie cienkich warstw izolatorów z przeskokowym transportem ładunku w warunkach obwodu otwartego. Pokazano, że wartości ruchliwości otrzymane w wyniku zastosowania tych teorii do układów dyspersyjnych są niedoszacowane. Symulację wykonano dla układów, w których transport przeskokowy odbywa się w wąskim paśmie w pobliżu poziomu Fermiego. Otrzymane wyniki zastosowano do reinterpretacji wyników badań ruchliwości w warstwach DLC.
2
Content available Electron drift mobility in anthrone layers
EN
There were investigated the magnitude of the mobility and the Type of the mechanism of the electron transport in the anthrone layers with a different grade of the structural order, namely in polycrystalline and quasi-amorphous layers. The anthron samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with different substrate temperatures and with different evaporation rates. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X-ray diffraction. Drift electron mobility for obtained polycrystalline and quasi amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results show the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Both obtained mobility values, were less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level but simultaneously estimated density of hopping states was relatively big. In this case it does not permit us to indicate the dominant transport mechanism.
PL
Badano proces transportu elektronów w warstwach antronu o różnym stopniu uporządkowania, to jest w warstwach polikrystalicznych i quasi-amorficznych. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano, że prawie nie występuje zależność ruchliwości od stopnia uporządkowania. Dla obu struktur uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs, z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Mimo iż wielkości te przemawiają za transportem hoppingowym, to wydaje się, że otrzymane wartości gęstości stanów są na tyle duże, że należy się zastanowić, czy faktycznie mamy do czynienia z transportem przeskokowym w wąskim paśmie w pobliżu poziomu Fermiego. Poza tym nie obserwujemy wpływu struktury krystalicznej warstw na wielkość ruchliwości, chyba, że dla polikrystalicznych warstw gęstość stanów jest na tyle duża, że nie należy spodziewać się jej wzrostu. Powyższe skłania nas do stwierdzenia, że nie można jednoznacznie określić, z jakim rodzajem transportu dla elektronów mamy tu do czynienia.
EN
There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous antrachinone layers. Antrachinone (C14H8O2) is the molecular crystal. The antrachinone molecules are planar, centrosymmetric and posses permanent dipole moment practically equal zero. The antrachinone layerss were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with reduced substrate temperatures. Structural examination of the obtained antrachinone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained mobility value, were less then 10-3 cm2 /Vs and activation energy value was on the kT level.
PL
Badano proces transportu elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie, z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Niemniej uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie również transportu hoppingowego, który wydaje się bardziej prawdopodobny, niż transport w paśmie z udziałem pułapek.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.