Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: rozrzuty technologii VLSI

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Efekty niedopasowania tranzystorów MOS wykonanych w technologii VLSI

Gryboś P.

Elektrotechnika i Elektronika

2003

T. 22, z. 1

25--35

Praca prezentuje efekty niedopasowania tranzystorów MOS wykonanych w technologii VLSI. Omawiane są przyczyny niedopasowania i sposób modelowania tego efektu. Odpowiednia koncepcja układu elektronicznego, warunki jego polaryzacji oraz staranne wykonane masek układu scalonego pozwalają na minimalizację wpływu efektów niedopasowania na finalne parametry układu. Na przykładzie 64-kanałowego układu scalonego NEURO64 przedstawiono sposób modelowania tego typu efektów z użyciem analizy Monte Carlo, a otrzymane wyniki symulacji porównano z wynikami pomiarowymi układu wykonanego w technologii CMOS 0,7 (mikro)m.

This paper presents mismatch effects of MOS transistors manufactured using VLSI technology. The causes and modelling of mismatch are discussed. Proper concept of electronic circuit, its bias conditions and good layout could minimise the influence of mismatch effects on final parameters of integrated circuit. Evaluation of the matching performance is done for 64-channel integrated circuit using Monte Carlo analysis. The results of simulation are verified by the measurements of NEURO64 integrated circuit from CMOS 0,7 (micro)m.