Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Influence of Plasma Parameters on Light Emission in GD-OES Analysis of Ni–Cu System

Nowak Wojciech J., Wierzba Patrycja

Advances in Manufacturing Science and Technology

|

2020

|

Vol. 44, nr 1

21--27

EN

In the present work, an effect of plasma-forming parameters on light emission during analysis by glow discharge optical emission spectrometry of Ni–Cu model alloys is studied. To evaluate the effects of plasma-forming parameters on light emission, argon pressure was varied in the range between 600 Pa and 1000 Pa under a constant power of 20 W. Moreover, a variation of power at 20 W and 30 W under a constant Ar pressure of 1000 Pa was investigated. An effect of the element content on light emission was found. Namely, for Cu, a monotonic, non-linear increase in measured light intensity with an increasing Cu content was found. Surprisingly, for pure Ni, a lower light intensity was measured as for Ni90–Cu10 (at.%). Possible reasons causing this was listed as: (i) possible effect of hydrogen, (ii) overlapping of lines for Cu and Ni and (iii) self-absorbing of Ni line at 341.574 nm.

2

Influence of annealing on properties of barium titanate thin films

Firek P., Taube A., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 2

31-33

EN

Thanks to unique electrophysical properties, in particular piezoelectricity, a high dielectric constant and refractive index values, barium titanate (BaTiO₃ or BT] ceramic has been one of the most extensively investigated dielectric materials for electronic applications. This work presents barium titanate thin films, deposited on silicon substrates by means of Radio Frequency Plasma Sputtering (RF PS]. The BT samples were annealed in the presence of oxygen in the range of the temperature from 300 °C to 80O °C. We studied an influence of trie annealing process on structural and electrical properties of BT thin films. In order to obtain metal-insulator-semiconductor (MIS) structures, aluminum (Al] electrodes were evaporated on the top of both types of films (non-annealed and annealed). Electrical characterizations of MIS capacitors were investigated using current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V] measurements. The surface of both types of BT films was studied using scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) techniques. Our results showed that annealing temperature in an oxygen atmosphere affected on crystal Unity, surface morphology and topography of BT films and also on their electrical properties.

PL

Dzięki unikatowym właściwościom elektrofizycznym. w szczególności piezoelektryczności, dużej wartości przenikalności dielektrycznej i współczynnika załamania światła, tytanian baru (BaTiO₃, BT] był jednym z najintensywniej badanych materiałów do zastosowań w elektronice. W tej pracy przedstawiono cienkie warstwy tytanianu baru wytworzone na podłożach krzemowych techniką rozpylania targetu w plazmie o częstotliwości radiowej. Próbki BT poddano procesom wygrzewania w atmosferze tlenu, w zakresie temperatur od 300 do 300°C. Na potrzeby pomiarów elektrycznych na powierzchnię warstw BT (niewygrzewanych i wygrzewanych) naparowano próżniowo glin. Powstała w ten sposób struktura MIS (metal-dielektryk-pólprzewodnik) z warstwą dielektryka z BaTiO3. Wykonane zostały pomiary prądowo-napięciowe (I-V] i pojemnościowe-napięciowe (C-V) dla uzyskanych kondensatorów MIS Powierzchnie obu typów warstw badano przy użyciu skaningowej mikroskopii elektronowej oraz mikroskopii sił atomowych. Przeprowadzone badania pokazały, że temperaturę wygrzewania w atmosferze tlenu wpływa na krystaliczność, morfologię i topografię powierzchni warstw BT oraz na ich właściwości elektryczne.

3

Rozpylanie dwuskładnikowych katod wyładowania jarzeniowego w tlenie

Wroński Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 9

76-78

PL

Rozpylanie mosiężnej katody w wyładowaniu jarzeniowym w tlenie badano eksperymentalnie i modelowano metodą elektrodynamiki molekularnej. Szybkości ret [nm/s] trawienia katody zmierzone przy stałych parametrach wyładowania, gęstości prądu jd = 0,5 mA/cm2 i długości Lcf = 2 cm obszaru katodowego spadku potencjału, dla różnych zestawów gaz - katoda są następujące: ret (Ne→brass) = 1,68, ret(N₂ →brass) = 0,622, ret(O₂ →brass) = 0,202. Szybkość ret(O₂ →brass) jest proporcjonalna do gęstości mocy deponowania energii na katodzie przez bombardujące cząsteczki O₂ ⁺ i O₂. Stechiometria [Cu0.35 Zn0.20.45] warstwy powierzchniowej mosiężnej katody zmodyfikowanej plazmą O₂ liczona znanym programem TRIM, jest bliska stechiometrii mieszaniny tlenków CuO i ZnO formowanych na użytym mosiądzu. Utlenienie powierzchni katody, wtórne osadzanie się rozpylonych atomów na jej powierzchni są głównymi przyczynami małej wydajności rozpylania katody mosiężnej plazmą tlenową.

EN

Cathode sputtering in the O2 brass glow discharge was studied experimentally and modelled by method of molecular electrodynamics. Rates ret [nm/s] of the cathode etching measured at justed discharge parameters, current density jd = 0.5 mA/cm² and length Lcf = 2 cm of the cathode voltage fall space, for various gas-cathode sets are as follows: ret(Ne→brass) = 1.68, ret(N₂ →brass) = 0.622, ret(O₂ →brass) = 0.202. Rate ret(O₂ →brass) was found to be proportional to power density of energy deposition by bombarding species, (O₂ ⁺ O₂),into brass cathode bulk. Stoichiometry [Cu0.35 Zn0.2 O0.45] of the surface layer modified by O₂ plasma, calculated with program TRIM, is close to the stoichiometry of the mixture of CuO and ZnO oxides produced on used brass. Cathode surface oxidation and redeposition of sputtered cathode atoms seem to be the main reason of low efficiency of brass sputtering by oxygen plasma.