Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2012

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: rozproszenie Ramana

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych : porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu

Borowicz P., Adamus Z., Ekielski M., Piotrowska A., Kuchuk A., Borysiewicz M., Kamińska E., Latek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 9

31-34

Trzy próbki węglika krzemu o politypie 4H (4H-SiC) pokryto sekwencją warstw węgiel/nikiel/krzem/nikiel/krzem, a następnie poddano wygrzewaniu w celu wytworzenia kontaktów omowych. Analiza pasm ramanowskich wskazuje na różnice pomiędzy widzianą z obu stron strukturą warstwy węglowej pomimo, że grubość samej warstwy węglowej odpowiada 8 do 10 monowarstwom grafenowym.

The structure of carbonic layer in three samples composed of 4H polytype of silicon carbide covered with the following sequence of layers: carbon/ nickel/silicon/nickel/silicon was investigated with Raman spectroscopy. Different thermal treatment of the samples lead up to differences in the structure of carbonic layer. Raman measurements with excitation focused on two interfaces: silicon carbide/carbon and carbon/silicide show differences in the structure of carbonic film at both sides although its thickness corresponds to 8 + 10 graphene layers.