Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The features of flame temperature measurement

Herasymenko V., Seheda O., Stadnyk B.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Elektrotechnika

|

2015

|

z. 34 [292], nr 3

81--85

EN

The flame temperature measurement gives the understanding of combustion processes and is important for the temperature control systems. In this paper the review and analyze of the methods of flame temperature measurement are represented. Each of them is effective under certain condition. Nowadays the method of Raman-scattering is promising in this field. It pretends to avoid some of the errors in other existing techniques.

PL

Pomiar temperatury płomienia pozwala zrozumieć procesy spalania i jest ważnym dla systemów kontroli temperatury. W artykule przedstawiona jest analiza metod pomiaru temperatury płomienia. Każda z nich jest skuteczna przy spełnieniu pewnych warunków. W tej dziedzinie metoda rozpraszania ramanowskiego jest obecnie obiecująca. Wspomniana metoda pozwala uniknąć niektórych błędów charakterystycznych dla innych technik.

2

Badania właściwości fizycznych warstwy SiO2 pod bramką aluminiową

Borowicz L., Rzodkiewicz W., Kulik M., Borowicz P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 11

29-32

PL

W pracy omówiono fizyczne właściwości warstwy dwutlenku krzemu położonego pod bramką aluminiową, ze szczególnym uwzględnieniem zachodzącego w tejże warstwie ciśnienia i występujących tam struktur. W badaniach wykorzystane zostały następujące narzędzia pomiarowe: spektrometr ramanowski, interferometr Fizeau i mikrointerferometr MII4.

EN

In this paper physical properties of silicon dioxide under the aluminium gate were described. Particularly, in our studies a pressure and two kinds of structures occuring in the layer were taken into account. In our investigations, the following measurements tools such as raman spectrometer, Fizeu interferometer and MII4 microinterferometerwere applied.

3

Experimental challenges for approaching local strain determination in silicon by nano-Raman spectroscopy

Zhu L., Atesang J., Dudek P., Hecker M., Rinderknecht J., Ritz Y., Geisler H., Herr U., Geer R., Zschech E.

Materials Science Poland

|

2007

|

Vol. 25, No. 1

19--31

EN

Raman intensity enhancement induced by nanoprobes (metal particles and metallised tips) approached to a strained silicon sample surface is reported. With silver nanoparticles deposited onto a silicon surface, high enhancements in the vicinity of particles were observed. Furthermore, metallised tips were scanned inside the spot of the laser used for Raman measurements. Both silver-coated and pure silver tips, mounted onto a tuning fork, indicated high Raman signal enhancement for optimised tip position within the laser spot. Atomic force microscopy was performed on a structured sample to investigate the stability of these tips. Focused ion beam was utilized to refine and to re-sharpen pure silver tips after the measurements. Complementary measurements were performed using pure tungsten tips. Due to the high hardness of W wires, a special pre-etching technique was applied in this case.

4

Badanie mieszanych kryształów metodą ramanowskiego rozpraszania światła

Ochmański K., Hulewicz A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 3

26-28

PL

W pracy przedstawiono badania półprzewodników kryształów mieszanych Zn1-xBexSe metodą ramanowskiego rozpraszania światła w zakresie temperatur 292; 225; 150; i 77 K dla stężenia Be z przedziału 0 < x < 0,25. Dla spolaryzowanych widm ramanowskich podłużne LO i poprzeczne TO mody optyczne odpowiadające pojedyńczym modom ZnSe-, BeSe- podobnym dla czystych kryształów są wyraźne. Teoretyczne obliczenia częstotliwości modów ZnSe-, BeSe- podobnych mieszanych kryształów Zn1-xBexSe zostały przeprowadzone przez zastosowanie teoretycznego modelu MREI [1, 2]. Dokonano również porównania modów optycznych Zn1-xBexSe dla różnych stężeń Be.

EN

In the paper, results of observations concerned Raman scattering in Zn1-xBexSe semiconductor mixed crystals are presented. Measurements of Zn1-xBexSe mixed crystals were made for temperatures 292; 225; 150 and 77 K with. Be content included in the range 0 < x < 0,25. From the polarized Raman spectra, the longitudinal optical (LO) and transverse optical (TO) modes that correspond to ZnSe-, BeSe- like single crystals, are distinguished. Theoretical calculations of the frequencies of the ZnSe-, BeSe- like modes of Zn1-xBexSe semiconductor mixed crystals were performed using MREI model. Furthermore, the optical modes of Zn1-xBexSe were compared for different concentrations of Be.