Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Proces fotopolimeryzacji mieszanin akrylan/nanokrzemionka : badany metodami spektroskopii rozproszeniowej

Nowicka A., Ziobrowski P., Szybowicz M., Sądej-Bajerlein M., Andrzejewska E., Drozdowski M.

Przetwórstwo Tworzyw

|

2012

|

[R.] 18, nr 5

485-488

PL

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań procesu polimeryzacji inicjowanej promieniowaniem UV mieszaniny akrylanu 2-hydroxyetylu (HEA) zawierającego zdyspergowany nanonapełniacz w postaci hydrofobizowanej krzemionki Aerosil ® R7200. W badaniach wykorzystano metody spektroskopii rozproszeniowej: Brillouina i Ramana. Spektroskopia Brillouiona pozwoliła na określenie zmian właściwości sprężystych w trakcie procesu polimeryzacji dla różnej zawartości krzemionki (nanonapełniacza). Spektroskopia Ramana pozwoliła na monitorowanie procesu fotopolimeryzacji badanych układów. Została ona również wykorzystana do zbadania wpływu tlenu na proces polimeryzacji.

EN

This paper presents the results of the investigation of UV-initiated polymerization of 2-hydroxyetyl acrylate (HEA) containing a nanofiller (modified hydrophilic silica Aerosil ® R7200). The study was performed using scattering spectroscopy methods. Brillouin spectroscopy has been used to estimate changes in elastic properties occurring during the photopolymerization process of formulation containing different nanosilica contents. Raman scattering method was used to follow the photopolymerization process and to study the oxygen effect.

2

Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej

Borowicz P., Kuchuk A., Adamus Z., Borysiewicz M., Ekielski M., Kamińska E., Piotrowska A., Latek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

103-106

PL

Trzy próbki węglika krzemu o politypie 4H (4H-SIC) pokryte następującą sekwencją warstw węgiel/nikiel/krzem/nikiel/krzem były badane za pomocą spektroskopii ramanowskiej wykorzystującej widzialne, jak również nadfioletowe wzbudzenie. Różne warunki obróbki termicznej powodują zmiany w strukturze warstwy węglowej. Badania ramanowskie skoncentrowano w zakresie przesunięcia Ramana pomiędzy 1000 cm⁻¹ a 2000 cm⁻¹, ponieważ w tym zakresie leżą najważniejsze pasma węglowe historycznie oznaczone jako G oraz D. Analiza kształtu i położenia tych pasm oraz iloraz natężeń umożliwia określenie stopnia grafityzacji warstwy węglowej Zastosowanie wzbudzenia w nadfioletowym zakresie spektralnym umożliwia analizę struktury warstwy węglowej, która tworzy się na powierzchni swobodnej krzemku niklu.

EN

Three samples of 4H polytype of silicon carbide (4H-SiC) covered with following sequence of layers. carbon/nickel/silicon/nickel/silicon were investigated with visible (VIS) and ultraviolet (UV) micro-Raman spectroscopy Different thermal treatment of each sample result in differences of structure of carbonic layer. The range of Raman shift placed between 1000 cm⁻¹ and 2000 cm⁻¹ was taken into account because the main carbonic bands D and G are placed in this region. Analysis of the positions of these bands and their intensity ratio obtained from VIS excitation makes possible to estimate the graphitization of the carbonic layer. Application of UV excitation allowed us to analyze the carbonic layer built on the free surface of silicide layer.

3

Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu

Kwietniewski N., Pazio K., Sochacki M., Szmidt J., Droździel A., Kulik M., Prucnal S., Pyszniak K., Rawski M., Turek M., Żuk J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 6

32-35

PL

W pracy opisano wytwarzanie i charakteryzację diod p-i-n wytwarzanych w strukturach epitaksjalnych 4H-SiC. W celu uzyskania warstw typu p⁺ wykonano 4-krotną implantację jonami Al przy całkowitej dawce 7,1 · 10¹⁴ cm⁻2² dla uzyskania prostokątnego rozkładu głębokościowego. Implantację prowadzono przy temperaturze tarczy 500°C z użyciem implanatora jonów UNIMAS wyposażonego w plazmowe źródło jonów naszej konstrukcji. Zaimplantowany materiał został następnie wygrzany w argonie przez 20 min. w t = 1600°C. Przeprowadzono badania rozkładów głębokościowych SIMS oraz rozpraszania mikro-ramanowskiego. Z pomiarów metodą c-TLM wyznaczono wartości rezystancji charakterystycznej kontaktów. Pomiary Halla wykazały, że koncentracja nośników w warstwie implantowanej p⁺ o grubości 350 nm zawiera się w przedziale 3...4 · 10¹⁸ cm⁻³ Gęstość prądu wytworzonych diod osiąga maksymalną wartość 220 A/cm² przy polaryzacji w kierunku przewodzenia 10 V, natomiast napięcie przebicia zawiera się w granicach 550...600 V.

EN

We report on fabrication and characterization of 4H-SiC p-i-n diodes. In order to obtain p⁺ -type layer, a four energy Al box-like profile was implanted with atotal fluence of 7,1 • 10 ¹¹ cm ⁻² at 500°C, using the UNIMAS ion implanter equipped with a plasma ion source of our construction. Implanted material was subsequently annealed for 20 min at 1600°C in argon. SIMS depth profiling and micro-Raman scattering investigations we re performed. The values of specific contact resistance were determined by the c-TLM method. The performed Hall measurements have shown that 350 nm thick p⁺ layers are characterized by carrier concentration of 3...4 • 10 ¹⁸ cm ⁻³. The fabricated diodes have probed forward current density up to 220 A/cm² at 10 V forward drop and 550...600 V breakdown voltages.

4

Szkło nieliniowe dla fotoniki. Cz. 2, Nieliniowość mechaniczna i termiczna szkła

Romaniuk R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 3

100-105

PL

W artykule, który jest drugą częścią cyklu prac o szkłach nieliniowych, dokonano przeglądu nieliniowych właściwości mechanicznych i termicznych szkieł nieliniowych przeznaczonych dla fotoniki. Określono obszary mechanicznej i termicznej nieliniowości statycznej i dynamicznej szkieł, bazując na wzajemnym oddziaływaniu ośrodka, fali optycznej i pól termomechanicznych. Zebrano te nieliniowe cechy mechaniczne i termiczne szkieł, które decydują o ich nieliniowych właściwościach optycznych.

EN

The paper, which is the second part of a cycle on nonlinear glasses, digests the nonlinear mechanical and thermal properties of glasses for photonics. The areas of mechanical and thermal, dynamic and static nonlinearities of glasses were determined basing on mutual interaction of medium, optical wave and interacting external thermomechanical fields. There were gathered these nonlinear mechanical and thermal properties of glasses which decide of their nonlinear optical properties.