PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  rozkład natężenia pola
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Przestrzenne charakterystyki wiązek promieniowania emitowanego przez lasery półprzewodnikowe
Mroziewicz B., Pruszyńska-Karbownik E., Regiński K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 3
84-88
PL
Rozkład natężenia pola optycznego w wiązce emitowanej przez lasery, określany jako charakterystyka kierunkowa lasera, ma z reguły duże znaczenie z punktu widzenia zastosowań laserów w praktyce. W szczególności odnosi się to do laserów półprzewodnikowych, które generują wiązkę o dużej rozbieżności, często wielomodową i astygmatyczną. W artykule przedstawiono oryginalne urządzenie nazwane profilometrem goniometrycznym, które okazało się uniwersalne, a szczególnie przydatne do pomiarów kierunkowych charakterystyk kwantowych laserów kaskadowych emitujących w pasmie średniej podczerwieni. Załączono wyniki pomiarów testowych i płynące z nich wnioski. Pokazano, że opisywane urządzenie może również służyć do pomiaru charakterystyk laserów diodowych w innych pasmach częstotliwości pod warunkiem zastosowania odpowiedniego detektora.
EN
Spatial distribution of the optical field emitted by lasers, called also a radiation profile, is extremely important for laser applications. That is particularly relevant to semiconductor lasers due to a high divergence, often multimode character, and an astigmatism of the beam they emit. In the paper presented is an original instrument called a goniometric profiler which has proved to be very useful for measurements of the quantum cascade lasers operating in the mid–IR range. The paper includes measurement results and related conclusions. It has been demonstrated that the instrument can also serve to measure characteristics of other semiconductor diode lasers at the frequency range limited only by the used detectors.
2
Goniometryczna metoda pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania kwantowych laserów kaskadowych
Regiński K., Mroziewicz B., Pruszyńska-Karbownik E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
48-50
PL
W artykule omówiono goniometryczne metody pomiaru rozkładu promieniowania laserów półprzewodnikowych. Szczególny nacisk położono na problemy związane z pomiarem profili wiązek promieniowania laserów kaskadowych. Przedstawiono unikalny układ goniometryczny zaprojektowany w Instytucie Technologii Elektronowej przeznaczony do takich pomiarów. Omówiono budowę tego układu i jego parametry robocze. Przedstawiono możliwy zakres zastosowań tego układu w projektowaniu i diagnostyce laserów kaskadowych.
EN
The paper concerns goniometric methods of measuring the field intensity distribution in the beams generated by semiconductor lasers. Special attention is paid to the problems of measuring the profiles of beams of quantum cascade lasers. Certain unique goniometric set-up (called also beam profiler) designed in Institute of Electron Technology is presented. Details of construction of the beam profiler are discussed and selected parameters of the set-up are described. The range of application of the set-up in investigation of quantum cascade lasers is briefly discussed.
3
Content available remote Modelowanie rozkładu pola elektrycznego w komorze elektrofiltru w stanie przed rozwojem wyładowania ulotowego
Łasica A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 11b
311-314
PL
W artykule zaprezentowano wyniki trójwymiarowej symulacji rozkładu pola elektrycznego w komorze elektrofiltru. Zaproponowano optymalizację układu pod względem rozkładu natężenia pola elektrycznego. Rozkład natężenia pola sterowany był za pomocą różnego rozmieszczenia elektrod ulotowych w komorze elektrofiltru.
EN
The article presents the results of a three-dimensional simulation of electric field distributions inside the ESP chamber. Optimization of electric field distributions has been proposed. Distribution of electric field strength has been controlled using different deployment of discharge electrodes in an ESP chamber.
4
Content available remote Analiza rozkładu pola elektrycznego w komorze elektrofiltru dla różnych układów elektrod
Łasica A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2008
|
R. 84, nr 10
60-63
PL
W artykule zaprezentowano wyniki symulacji rozkładu pola elektrycznego w komorze elektrofiltru. Zaproponowano optymalizację układu pod względem ilości zastosowanych elektrod ulotowych oraz kształtu elektrod osadczych. Otrzymane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów uzyskanych na modelu komory elektrofiltru.
EN
The article presents the results of a simulation of electric field distributions inside the ESP chamber. Optimization quantity of used discharge electrodes and shape of collecting electrodes has been proposed. Results of simulations have been compared to results of measures from the ESP model.
5
Ocena poprawności założeń w procedurze komputerowej symulacji pola elektrycznego wokół izolatora liniowego na napięcie 110kv
Gielniak J., Nadolny Z.
Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
|
2000
|
Vol. 36, nr 11
59-67
PL
Analizując obraz pola elektrycznego wokół izolatora liniowego otrzymanego metodami numerycznymi, zbadano wpływ istotnych założeń decydujących o wyniku symulacji komputerowej. Założono różne typy warunków brzegowych, zmieniono dokładność, z jaką przedstawiono kształt izolatora liniowego, oraz zbadano zależność, jaka istnieje między dokładnością obliczeń numerycznych a stopniem zagęszczenia siatki naniesionej na analizowany obszar.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.