Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Zastosowanie InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Latkowska M., Kovac J., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 7

90-92

PL

Wzrost światowego zapotrzebowania na energię elektryczną wymusza rozwój badań w zakresie alternatywnych źródeł energii. Fotowoltaika wydaje się być perspektywicznym i nieszkodliwym dla środowiska sposobem konwersji promieniowania słonecznego na sygnał elektryczny. Obok powszechnych już ogniw i modułów krzemowych aktualnie badane są wysokosprawne, wielozłączowe ogniwa bazujące ma materiałach AIIIBV. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki dotyczące zastosowania poczwórnych związków półprzewodnikowych InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n.

EN

The worldwide increase of electric power consumption forces the development of alternative sources of energy. Photovoltaics seems to be a promising and harmless to the natural environment method of producing electrical power. Besides silicon cells and panels, present researches are focused on high efficiency and multijunction solar cells based on AIIIBV semiconductors. This paper presents the results of application of the new InGaAsN semiconductor compounds in the p-i-n solar cell construction.

2

Parametry detektorów MSM wykorzystujących heterostruktury GaAsN/GaAs i MQW InGaAsN/GaAs

Zborowska-Lindert I., Ściana B., Pucicki D., Radziewicz D., Boratyński B., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 2

52-54

PL

W artykule przedstawione zostały parametry fotodetektorów MSM wykonanych na warstwach czynnych GaAsN/GaAs i MQW InGaAsN/GaAs. Wszystkie warstwy czynne optycznie wykonane zostały w technologii epitaksji MOVPE. W warstwach GaAsN/GaAs struktura czynna GaAsN miała grubość 100...330 nm, a zawartość atomów azotu mieściła się w zakresie 0,85...2,2%. Struktury MQW InGaAsN/GaAs stanowiły trzy studnie InGa-AsN o grubości 15 nm i zawartości 11% indu rozdzielone barierami GaAs o grubości 30 nm. W pracy przedstawiono charakterystyki prądowo-napięciowe detektorów MSM bez i z oświetleniem, co pozwala określić podstawowe parametry wykonanych fotodetektorów. Z uzyskanych wyników widać bardzo wyraźny wpływ składu materiałowego wykonanych heterostruktur na fotoprąd i czułość wykonanych fotodetektorów MSM.

EN

In this paper the comparison of GaAsN/GaAs and InGaAsN/GaAs MSM photodetectors has been presented. All of the devices were made by MOVPE technology. The GaAsN/GaAs MSM devices were made on undoped GaAsN layers with concentration of nitrogen varied from 0.85...2.2%. The thickness of these layers was from 100...330 nm. The InGaAsN/GaAs active layer for MSM detectors consisted of triple InGaAsN MQW with 11% of indium in 15 nm thick QWs layers and 30 nm thick GaAs barrier layers. The dark and illuminated l-V characteristics of the designed devices were presented. The photoresponse characteristics have shown a strong influence of material composition on the MSM photocurrent for both GaAsN/GaAs and InGaAsN/GaAs heterostructures.

3

Lasery z obszarami czynnymi z rozcieńczonych azotków wytworzone na podłożu InP emitujące w zakresie średniej podczerwieni

Sarzała R. P., Szczerbiak P., Kudrawiec R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 10

82-84

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące możliwości wytworzenia laserów złączowych emitujących w zakresie 2...3,5 μm powstałych na bazie technologii fosforkowej. Obszary czynne tych laserów stanowią tzw. rozcieńczone azotki (w szczególności związek GaInNAs) dopasowane sieciowo do podłoża InP. Jak pokazują wyniki wstępnych badań tak wykonane emitery światła spójnego mogą stanowić poważną alternatywę dla obecnie stosowanej technologii antymonkowej. Zaprojektowane i zamodelowane numerycznie obszary czynne laserów wykazywały w podanym obszarze na tyle duże wzmocnienie materiałowe, że na ich bazie można myśleć nie tylko o wytworzeniu laserów o emisji krawędziowej ale i laserów typu VCSEL.

EN

In the present paper, results of our investigations concerning possible manufacturing of InP-based diode lasers emitting the 2...3.5 μm radiation are presented. Their active regions are produced from dilute nitrides (from GaInNAs in particular) lattice matched to the InP substrate. According to initial results of our investigations, the above koherent light emitters may become a serious alternative for currently used antimony technology. Computer simulations of their performance confirm such a high optical gain within their active regions that they may be used not only to produce edge-emitting lasers but vertical-cavity surface-emitting lasers as well.