Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: room-temperature operation

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni

Kosiel K., Szerling A., Karbownik P., Kubecka-Traczyk J., Pruszyńska-Karbownik E., Trajnerowicz A., Pierścińska D., Bugajski M

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 10

99-102

Lasery kaskadowe są przyrządami unipolarnymi, w których mechanizm emisji promieniowania koherentnego opiera się na wewnątrzpasmowych optycznych przejściach nośników. Istota ich działania pozwala na zastosowanie szerokiej gamy półprzewodnikowych materiałów epitaksjalnych, w celu otrzymania długości fali wybranej z bardzo szerokiego zakresu emisyjnego podczerwieni. Warunkiem sukcesu jest sprostanie wymaganiom skrajnie wysokiej precyzji podczas realizacji założeń konstrukcyjnych, zwłaszcza tych dotyczących geometrii krawędzi pasma przewodnictwa obszaru aktywnego. Prezentujemy tu opracowaną przez nas technologię wytwarzania laserów kaskadowych AlGaAs/GaAs, emitujących wiązkę (∼ 9,4 µm) o mocy ponad 1 W piku (77K) oraz moc optyczną - 12 W w temperaturze pokojowej.

Quantum cascade lasers are unipolardevices, in which the machanism of emission of coherent radiation is based on the intraband optical transitions of carriers, The idea of QCL enables the application of a wide range of epitaxial semiconductor materials in order to extract the needed wavelength, which is obtainable from the very wide emission spectrum. However only the extremely precise realisation of the appropriate constructional assumptions (towards the thicknesses, compositions and the doping levels of layers of the heterostructure) promotes the success in the field. The adequate MBE technology development as well as the perfect device processing elaboration enabled us to obtain AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers emitting the radiation (∼ 9 µm) with over 1W peak powers (77K). Lasers work at the room-temperature generating optical power - 12 mW.

Impact of mismatch-related phenomena on a room-temperature operation of nitride VCSELs.

Maćkowiak W., Nakwaski W.

Optica Applicata

2000

Vol. 30, nr 1

125-140

The influence of mismatch-related phenomena (mostly strain fields and structure defects) on a room-temperature (RT) operation of possible nitride VCSELs is examined using a simple but still detailed analytical model. Intentionally introduced stress fields within nitride VCSEL quantum-well (QW) active regions (band-gap engineering) are found to have a much weaker effect on their optical gain than in the case of conventional arsenide and phosphide VCSELs. Dislocation densities (including misfit dislocations), on the other hand, have a considerable harmful impact on VCSELs thresholds, mostly because of increasing scattering losses and decreasing internal quantum efficiency. Single-quantum-well nitride VCSELs are found to be very sensitive to the above impact. A reasonable increase in a number of QWs in multiple-quantum-well VCSELs tremendously improves their performance. In the case of relatively high dislocation densities, bulk double-heterostructure VCSELs may turn out to be the best nitride designs although they may also exhibit too high thresholds to lase at RT.