Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu

Stańczyk B., Jagoda A., Dobrzański L., Caban P., Możdżonek M.

Materiały Elektroniczne

|

2011

|

T. 39, nr 2

18-23

PL

Węglik i azotek krzemu są obiecującymi materiałami, które dzięki swym właściwościom mogą być wykorzystane do uzyskiwania różnego rodzaju przyrządów elektronicznych. Oba są wysoko temperaturowymi półprzewodnikami używanymi jako izolatory i stosowanymi jako bariery dyfuzji w urządzeniach mikroelektronicznych. SiCN znajduje liczne praktyczne zastosowania w ogniwach słonecznych, płaskich monitorach telewizyjnych, pamięciach optycznych, jako warstwy antyrefleksyjne. Kontrola parametrów procesu sputteringu pozwala na uzyskiwanie warstw o różnych właściwościach fizycznych i chemicznych np. o różnej przerwie energetycznej, od 2,86 V dla SiC do 5 eV dla Si3N4 [1]. W artykule opisane zostały właściwości warstw SiCN otrzymane metodą reaktywnego sputteringu z targetu węglika krzemu oraz w atmosferze argonowo - azotowej. SiCN osadzany był na podłożach Si(111) oraz na podłożach krzemowych z warstwą AlN. Skład, struktura, powierzchnia uzyskiwanych warstw była określana za pomocą metod diagnostycznych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS), mikroskopia sil atomowych (AFM). Badano wpływ parametrów sputteringu na jakość warstw analizując widma transmisji i z zakresu podczerwieni i światła widzialnego.(FTIR - spektroskopia optyczna w zakresie podczerwieni).

EN

Silicon carbide and silicon nitride are prospective candidates for potential high-temperature structural applications because of their excellent mechanical properties [1]. Both are high-temperature semiconductor materials used as electrical insulators or diffusion barriers in microelectronic devices. Apparently, amorphous silicon carbide nitride (SiCxNy) has tenability over a very wide range of x and y. In this context, SiCXNY alloys are interesting materials, among which one can enumerate the SiC band gap (2,86eV) and insulating Si3N4 films (5eV) [1]. In our paper, we describe the properties of SiCN fabricated by magnetron sputtering from a silicon carbide target in a reactive atmosphere of nitrogen and argon. SiCN was deposited on both Si(111) substrates and silicon substrates with AlN layers. The composition, structure and surface roughness (RMS) of the SiCN films were characterized by X-Ray Diffraction (XRD), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS), Atomic Force Microscopy (AFM), and Scanning Electron Microscopy (SEM).The influence of the gas composition, gas flow rate and working gas pressure on the quality of layers was examined by the analysis of the spectrum of Optical Absorption and by Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR).

2

Microwave dielectric properties of BiFeO3 multiferoic films deposited on conductive layers

Sobiestianskas R., Vengalis B., Banys J., Devenson J., Oginskis A. K., Lisauskas V., Dapkus L.

Materials Science Poland

|

2011

|

Vol. 29, No. 1

41--46

EN

Nondoped BiFeO3 (BFO) and doped Bi0.9La0.1Fe0.9Mn0.1O3 (BLFMO) thin films (d = 200-350 nm) were grown at 650- 750 °C by RF sputtering on Si and SrTiO3(100), coated by conductive LaNiO3 films and La2/3Ca1/3MnO3/SrRuO3 bilayers. The complex dielectric permittivity of the films was measured at room temperature in the frequency range from 10 MHz to 10 GHz using parallel plate capacitor structures. Dielectric properties of the polycrystalline BFO films were compared with those of the epitaxial quality BLFMO films, and it was seen that the latter has better microwave performance than the former. The dielectric losses were below 0.05 at 1 GHz frequency, which may be acceptable for microwave applications.

3

Osadzanie warstw CdTe na podłożach GaAs metodą rozpylania katodowego

Madejczyk P., Gawron W.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

|

2011

|

Vol. 60, nr 2

313-320

PL

W pracy przedstawiono wyniki eksperymentów zmierzających do otrzymania warstw buforowych CdTe na podłożach GaAs. Chropowatość próbek z udanych eksperymentów zawiera się w przedziale 30-40 nm, co wstępnie kwalifikuje te warstwy do dalszych eksperymentów w systemie MOC VD. Uzyskano również dostateczną jednorodność grubości osadzonej warstwy CdTe na całej powierzchni podłoża GaAs. Badania struktury krystalograficznej otrzymanych warstw wykazały istnienie dwóch orientacji (100) i (111), co sugeruje, że otrzymane warstwy nie są monokrystaliczne.

EN

In this report, the results of CdTe buffer layers deposition on GaAs substrates by RF sputtering are presented. Surface roughness of CdTe layers was in the range from 30 nm to 40 nm. These CdTe layers are promising material as buffer layers for HgCdTe deposition in MOC VD technology. Sufficient thickness uniformity has been achieved on the whole surface of GaAs substrate. X-ray measurements show that deposited CdTe layers have two crystallographic orientations: (100) and (111) what suggest that those layers are not monocrystallic ones.

4

Preparation and ferroelectric properties of the thin LiNbO3 and BaTiO3 films

Surowiak Z., Czekaj D., Bakirov A.A., Dudkevich V.P.

Archiwum Nauki o Materiałach

|

2000

|

T. 21, nr 1

5-19

EN

Technological conditions of the BaTiO3 and LiNbO3 thin film preparation by r.f. sputtering are presented. It was found that the thin films obtained were characterized by the polycrystalline structure. However, the type of texture as well as the degree of teksture of the formed thin films depended on the technological conditions of the thin film preparation. It was also determined that both BaTiO3 and LiNbO3 thin films showed ferroelectric properties similar to the ones of bulk ferroelectrics. Some peculiarities of the prepared thin films were observed, namely diffused phase transition and the state of intrinsic unpolarity (self-contained polarization).

PL

Przedstawiono warunki otrzymywania cienkich warstw LiNbO3 i BaTiO3 metodą rozpylania w polu w.cz. Otrzymane cienkie warstwy wykazywały strukturę polikrystaliczną . Stopień i rodzaj tekstury takich cienkich warstw zależy od warunków ich otrzymywania. Stwierdzono, że cienkie warstwy BaTiO3 i LiNbO3 charakteryzują się właściwościami ferroelektrycznymi zbliżonymi do właściwości typowych dla ferroelektryków masywnych. Osobliwością otrzymywanych cienkich warstw jest rozmycie przemiany fazowej i obecność wewnętrznej unipolarności (samoistnej polaryzacji).

5

Rf sputtered TiO2 thin films modified by WO3.

Sobaś P., Komornicki S., Radecka M., Zakrzewska K.

Inżynieria Materiałowa

|

1998

|

R. XIX, nr 4

856-859

EN

TiO2 thin films modified by WO3 were deposited by rf sputtering from Ti-W metallic target. Tungsten content, W(Ti+W) in TiO2-WO3 thin films was varied from 0 to 0.5. Anatase polymorphic form was obtained in films with relatively high tungsten atomic ratio. The optical transmission spectra of as-sputtered and annealed samples confirmed the transformation from amorphous to polycrystalline state. High level of diffused transmission (10%) in the vicinity of the fundamental absorption edge was observed for annealed samples.