Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: rezystory precyzyjne

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Influence of kinetics parameter of electroless nickel plating in order to optimalisation electrical parameters of Ni-P resistive layers

Pruszowski Z., Kowalik P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 9

77-79

In this paper the results of experimental studies of the influence of kinetics parameters of electroless Ni plating on the basic electrical parameters of Ni-P resistive layers like sheet resistance and temperature coefficient of resistivity (TCR) are presented. Our experiments showed, among others, that the required minimal value of TCR parameter can be obtained for the following parameters of technological solution: temperature in the range of 368...373K, acidity (pH) in the range of 2.00...2.05, and concentration of basic substrates (Ni salts and reducing hypophosphite salts) in the range of 50...60 g/dm³. For these conditions the atomic concentration of P in the obtained Ni-P resistive layers was at the level of 19.2%, a typical value for the euthectic form. Moreover, the activation energy of metallization process was equal to about 70 kJ/mol.

W niniejszym artykule przedstawiono wyniki badań doświadczalnych nad wpływem parametrów bezprądowego niklowania na podstawowe parametry elektryczne rezystancyjnych warstw Ni-P, takie jak rezystancja powierzchniowa i temperaturowy współczynnik rezystancji (TWR). Nasze doświadczenia wykazały, między innymi, że wymaganą, minimalną wartość parametru TWR można uzyskać dla następujących parametrów technologicznych roztworu: temperatura w zakresie od 368÷373 K, kwasowość (pH) w zakresie 2,00÷2,05 oraz stężenie podstawowych substratów (sól niklu i redukująca sól podfosforynu) w zakresie od 50÷60 g/dm³. Przy spełnieniu takich warunków technologicznych stężenie atomowe P w uzyskanych warstwach rezystywnych Ni-P kształtuje się na poziomie 19,2%, co jest typową wartością eutektyka. Energia aktywacji procesu metalizacji wynosiła około 70 kJ/mol.

Wytwarzanie warstw rezystywnych typu Ni-Cu-P

Kowalik P., Pruszowski Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 10

12-14

W niniejszej pracy zaproponowano wieloetapową metalizację celem osiągnięcia minimalnej rezystancji końcowej warstwy rezystywnej zawierającej amorficzny stop Ni-P oraz porównano Temperaturowy Współczynnik Rezystancji warstwy rezystywnej o identycznej rezystancji lecz osiągniętej metodą jedno i wieloetapową stwierdzając znaczące obniżenie tego współczynnika jeśli proces prowadzi się metodą wielostopniowej metalizacji.

In this paper the authors proposed a new technology of producing Ni-Cu-P amorphous layers characterized by minimized concentration of Cu. The authors found out that such an alloy, obtained by reducing Cu and Ni ions in an acid bath in the presence of complexons, can be used to produce resistors whose resistance is below 1 Ω. Resistors obtained in this process are characterized by TCR below 10 ppm/K if the process of thermal stabilization of the final product is conducted under the temperature ranging from 160 °C to 180 °C.