PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  rezystory
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Properties and structure of resistance short-circuit we-Ided joints in TMCP steel S700MC
Górka J.
Biuletyn Instytutu Spawalnictwa w Gliwicach
|
2018
|
Vol. 62, No. 1
36--38
PL
Przedstawiono badania dotyczące struktury i własności złączy zgrzewanych oporowo zwarciowo stali o wysokiej granicy plastyczności S700MC przy grubości 10 mm. Przeprowadzone badania wykazały wyraźny wpływ cyklu cieplnego zgrzewania na obniżenie własności wytrzymałościowych i plastycznych połączeń. W wyniku procesu zgrzewania następuje spadek własności wytrzymałości na rozciąganie z 820 MPa (wytrzymałość materiału rodzimego) do 660 MPa w obszarze złącza. Twardość obszaru zgrzewanego obniżyła się do wartości 215 HV1, przy twardości materiału rodzimego na poziomie 290 HV1. W obszarze SWC twardość wynosiła około 235 HV1. Proces zgrzewania silnie wpłynął na utratę własności plastycznych. Udarność stali spada z 50 J/cm2 (temperatura badania – 30 °C) do około 6 J/cm2 w linii zgrzeiny, około 8 J/cm2 na granicy obszaru zgrzeiny i SWC oraz około 11 J/cm2 w obszarze SWC.
EN
The article presents tests concerning the structure and properties of resistance short-circuit welded joints made of 10 mm thick high yield point steel S700MC. The tests revealed the significant effect of a welding thermal cycle leading to less favourable mechanical and plastic properties of the joints. The welding process led to a decrease in tensile strength from 820 MPa (base material strength) to 660 MPa in the joint area. The welded area hardness decreased to 215 HV1, whereas mat of the base material amounted to 290 HV1. The hardness in the HAZ area amounted to approximately 235 HV1. The welding process also resulted in a significant decrease in plastic properties. The toughness of the steel dropped from 50 J/cm2 (testing temperature being 30°C) to approximately 6 J/cm2 in the weld line, approximately 8 J/cm2 in the area between the weld and the HAZ and to approximately 11 J/cm2 in the HAZ area.
2
Content available remote Dual mode 4th order active-RC low-pass filter with tunable cut-off frequency from 3 MHz to 20 MHz in 65 nm CMOS
Kiela K., Jurgo M., Navickas R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 1
263--267
EN
In this paper, a 4th order active-RC filter with two approximation modes and a tunable bandwidth from 3 MHz to 20 MHz is presented. The filter can be configured to achieve maximally flat in-band magnitude or phase response by using a dual mode resistor bank and has gain control. PVT induced parameter drift compensation is accomplished by using a reduced-in-size resistor bank structure made of series and parallel connected resistors. Furthermore, a, design method for the resistor bank is presented, that allows component value calculation based on accuracy and tuning step requirements. The power dissipation is bandwidth depended and ranges from 13 mW to 23 mW from a 1.2 V supply for the entire tuning range, while the SFDR is higher than 72 dB and 65 dB at min and max bandwidth settings respectively. The proposed filter is designed and its parameters verified by using 65 nm CMOS technology and occupy a layout area of 0.172mm2.
PL
W artykule przedstawiony aktywny RC filtr dolnoprzepustowy czwartego rzędu z dwoma trybami aproksymacji i przestrajaną częstotliwością graniczną od 3 MHz do 20 MHz w technologii 65 nm CMOS. Przedstawiono też metodę projektowania zestawu rezystorów, która umożliwia obliczenie wartości składnika w oparciu na wymagania dokładności i kroku regulowania.
3
Content available remote Problemy w pomiarach wysokich rezystancji
Dudek E., Mosiądz M., Orzepowski M., Snopek L.
Metrologia : biuletyn informacyjny Głównego Urzędu Miar
|
2010
|
nr 3
25--28
PL
W Głównym Urzędzie Miar (GUM) rozwijana jest dziedzina pomiarów wysokich rezystancji. Wyposażenie pomiarowe umożliwia wzorcowania rezystorów do 1 PΩ. Specyfika takich pomiarów wymaga stosowania specjalnych rozwiązań w projektowaniu układów pomiarowych, znajomości budowy i właściwości rezystorów wysokoomowych. Bardzo ważne jest zastosowanie specjalnej metody ekranowania przewodów pomiarowych i rezystorów. W referacie opisano metody pomiarowe stosowane w GUM, konstrukcję wzorców oraz niektóre problemy występujące podczas takich wzorcowań.
EN
In the Central Office of Measures (GUM) high resistance measurements and calibrations are being developed. Measurement equipment in the GUM gives the possibility of resistor calibrations of up to 1 PΩ. Such measurements require the use of specific measurement circuits, familiarity with design and properties of high-ohmic resistors, as well as the specialized knowledge. In this article, construction of the high-resistance comparator with binary voltage divider is described. During high-resistance measurements, we solved a lot of problems specific for this branch of metrology. To achieve the best accuracy in calibrations, the use of correction factors is necessary to account for variability of voltage and temperature. One of the most important challenges is the necessity of decreasing the leakage current to minimize the contribution of this effect to the uncertainty budget.
4
Charakterystyka odporności rezystorów Ti-Si na działanie impulsów wysokonapięciowych
Szwagierczak D., Kulawik J., Marek A., Gandurska J., Śnieżyńska I.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2000
|
Vol. 41, nr 7
26-29
PL
Badano odporność rezystorów opartych na krzemkach tytanu TiSi2, Ti5Si3 na odziaływanie impulsów wysokonapięciowych o kształcie fali 10/700us. Zniszczenie rezystorów następowało przy napięciu 1200-1500V. Zmiany rezystancji po udarach wynosiły 0-4,5% w zależności od napięcia, ilości impulsów, grubości warstwy i rodzaju krzemku.
EN
Surge performance of resistors based on titanium silicides TiSi2, Ti5Si3 and TiSi were investigated using 10/700 us hight voltage pulses. Failure of resistors occurred ar 1200-1500 V. Changes in resistance after pulsing were 0-4,5% depending on peak voltage, number of pulses, thick film thockness and kind of silicide.
5
Content available Energy analysis of automobile electric energy sources in vehicle braking energy recuperation systems
Ocioszyński J.
Archiwum Motoryzacji
|
2000
|
Nr 4
243-253
EN
The paper presents the possibility of application of recuperated vehicle braking energy, that is converted by AC generator into electric energy and fed to heating resistors for particle filter to increase to temperature of carbon deposits. The final result is burning of soot. Selected AC generator properties, resulting from its current-rpm characteristics as well as its operation under controlled overload are provided. The results of the tests on recovered electric energy transmission to load resistors were compared to the results of the tests with DC generators applied. The tests analysis was based on a city bus driving cycle
PL
W publikacji omówiono możliwości wykorzystania energii hamowania samochodu, która przekształcona w alternatorze w energię elektryczną, zasila rezystory grzejne filtra cząstek stałych, zwiększając temperaturę nagromadzonej w nim sadzy. Końcowym efektem jest spalenie sadzy. Podano wybrane właściwości alternatora, wynikające z jego charakterystyki prądowo-prędkościowej oraz pracy w warunkach kontrolowanego przeciążenia. Wyniki badań, w których odzyskana energia elektryczna przekazywana była z alternatora do rezystorów obciążenia, porównano z badaniami stanowiskowymi, w których ta energia dostarczona była do rezystorów z prądnic prądu stałego. Analizy wyników dokonano w warunkach rzeczywistego cyklu jazdy autobusów komunikacji miejskiej.
6
Diamentowe przyrządy półprzewodnikowe
Polowczyk M., Klugmann E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
1999
|
Vol. 40, nr 10
3-8
PL
Przedstawiono możliwości oraz próby wykorzystania diamentu półprzewodnikowego do budowy elementów elektronicznych: rezystorów, termistorów, fotorezystorów, piezorezystorów, hallotronów, diod pn, diod Schottky'ego, diody IMPATT, tranzystorów npn i tranzystorów polowych MESFET oraz MISFET. Rozważania uwzględniające właściwości elektryczne i cieplne diamentu wskazują m.in. na to, że przyrządy diamentowe mogą być wykorzystywane przy ponad 30-krotnie większej częstotliwości i przy ponad 8200 razy większej mocy od przyrządów krzemowych. Ponadto, ze względu na dużą odporność termiczną diamentu, w wielu opracowaniach naukowych przewiduje się możliwość zastosowania przyrządów diamentowych w wysokich temperaturach, rzędu 600°C.
EN
Many efforts to apply the semiconducting diamond for construction of electronic elements: resistors, termistors, photoresistors, piezoresistors, hallotrons, pn diodes, Schottky diodes, IMPATT diodes, npn transistor, MESFETs and MISFETs are reviewed. Considering the possibilities of acceptor and donor doping, electrical resistivity and thermal conductivity of diamond as well as high electric-field breakdown points, that diamond devices could be used at about 30-times higher frequency and morę then 8200-times power then silicon devices. Exept that, due to high heat resistant of diamond, it is concluded that diamond devices can be used in environment at high temperature, rangę of 600°C.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.