Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Multiple-input single-output biquadratic filter with adjustable amplitude

Sirithai Supawadee, Summart Saksit, Jantakun Adirek

Przegląd Elektrotechniczny

|

2020

|

R. 96, nr 8

20--23

EN

This article introduces a latest multiple-input single-output (MISO) biquadratic filter by using MO-CCCCTA, grounded resistor and capacitors. The proposed MISO construction consists of 3 inputs and 1 output; the output responses of filter can choose by using digital process. It allows five function of biquadratic filter with same circuit construction. Additionally, the output signals’ amplitude can be changed by biasing of current which provides no effects on the quality factor and natural frequency. The performance of proposed circuits can be proved by PSPICE simulation program; the results are good approval with the theoretical prediction.

PL

W artkule przedstawiono bikwadratowy filtr o wielu wejściach i jednym wyjściu MISO. Do projektu filtru wykorzystano układ MOCCCCTA, uziemiony rezystor i kondensatory. Filtr umożliwia pracę w wielu trybach I przy kontrolowanym prądzie.

2

Analiza błędów częstotliwościowych rezystorów Część 2. Korekcja częstotliwościowa impedancji rezystorów i jej skuteczność

Kubisa S., Warsza Z. L.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

R. 92, nr 7

197--201

PL

W części 1 rozpatrzono cztery schematy zastępcze jako modele impedancji rezystora przy prądzie przemiennym, tj. schematy z parametrem głównym R i parametrami pasożytniczymi L i C. Wyznaczono podstawowe ich parametry w funkcji względnej częstotliwości i rezystancji oraz dokonano ich analizy. Część 2 tego artykułu poświęcona jest analizie możliwości korekcji częstotliwościowej rezystora. Wykazano, że rezystory o rezystancji R mniejszej od ich wartości charakterystycznej R0 (zwykle rzędu kilkudziesięciu do kilkuset omów) można korygować częstotliwościowo przez bocznikowanie kondensatorem, a rezystory o rezystancji większej od R0 – przez dołączanie szeregowo cewki indukcyjnej. Oceniono realne możliwości i skuteczność takiej korekcji, użyteczny zakres częstotliwości skorygowanego rezystora oraz wpływ niedokładności elementu korygującego (cewki lub kondensatora) na jakość korekcji. Podano przykłady obliczeniowe.

EN

In the part 1 the basic model of the resistor for the AC current as the equivalent circuit with two RL and C parallel branches was chosen and considered in detail. The characteristic parameters of its impedance changes in relative terms are introduced and its properties as a function of relative frequency and relative resistance are analyzed. The formulas of relative frequency errors, i.e. changes of resistance and reactance components of the impedance of few other AC equivalent circuits of resistor have been determined and analyzed. The considerations are illustrated by the numerical example and conclusions were drawn. Correction of the resistor frequency characteristics are discussed in this Part 2 of work.

3

Analiza błędów częstotliwościowych rezystorów Część 1. Modele rezystorów przy prądzie przemiennym i ich parametry

Kubisa S., Warsza Z. L.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

R. 92, nr 6

211--216

PL

W części 1 rozpatrzono cztery modele (schematy zastępcze) impedancji rezystora przy prądzie przemiennym zawierające parametr główny rezystancję R i parametry resztkowe:szeregową indukcyjność L i bocznikującą pojemność C. Przy prądzie przemiennym część rzeczywista impedancji rezystora nie jest równa jego rezystancji R przy prądzie stałym i pojawia się różna od zera część urojona. Wyznaczono wzory błędów częstotliwościowych rezystorów w formie uogólnionej, tj. w funkcji względnych wielkości rezystancji i częstotliwości. Wyniki obliczeń tych błędów przedstawiono w postaci wykresów. Rozważania zilustrowano przykładami liczbowymi i sformułowano wnioski. Część 2 pracy poświęcona będzie omówieniu możliwości korekcji charakterystyki częstotliwościowej rezystorów.

EN

In the part 1 four models of resistors for the AC current are considered. As the most useful model the equivalent circuit with two parallel branches R L and C is chosen. The characteristic parameters of its impedance in relative terms are introduced and its properties as a function of relative frequency are analyzed. The formulas of relative frequency errors, i.e. changes of resistance and reactance components of the impedance of few AC equivalent circuits of resistor have been determined in relative parameters and analyzed. The considerations are illustrated by the numerical example and conclusions were drawn. Corrections of the resistor frequency characteristic will be discussed in the Part 2 of this work.

4

Uogólniony opis właściwości częstotliwościowych rezystorów

Kubisa S., Warsza Z. L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 3

39--46

PL

Podano trój-elementową impedancję z parametrem głównym – rezystancją R i parametrami resztkowymi: szeregową indukcyjnością L i bocznikującą pojemnością C jako schemat zastępczy rezystora przy prądzie przemiennym (AC) stanowiący jego model podstawowy. Składowa rzeczywista tej impedancji nie równa się rezystancji R przy prądzie stałym (DC) i pojawia się składowa urojona, obie zależne od częstotliwości. Analizowano też warianty tego modelu z czteroma różnymi przyłączami. Wyznaczono wzory względnych błędów częstotliwościowych rezystora w formie uogólnionej, tj. w funkcji względnych wartości rezystancji i częstotliwości układu oraz podano ich przebiegi. Rozważania zilustrowano przykładami liczbowymi Omówiono też możliwości i skuteczność korekcji charakterystyki częstotliwościowej rezystorów i sformułowano wnioski.

EN

A three-element impedance including the resistance R as the main parameter and the residual parameters: serial inductance L and a parallel capacitance C is proposed as an equivalent circuit of resistor and its basic model with AC current. The real part of this impedance is not equal to the resistance R for the DC current (), and there is the imaginary component, both frequency dependent. also variants of the model with four different connections are analyzed. Patterns of the relative resistor frequency errors in the generalized form, i.e. as a functions of the relative values of resistance and frequency of the circuit are determined and their curves are given. Considerations are illustrated by numerical examples. Capabilities and the effectiveness of the frequency correction of the resistors are also discussed and conclusions were drawn.

5

Minimalizacja strat, maksymalizacja zysku poprzez zastosowanie utrzymania ciągłości działania

Berlińska J., Berliński A.

Logistyka

|

2014

|

nr 6

446--452, CD 2

PL

W pracy zamodelowano plan utrzymania działania dla przedsiębiorstwa wykonującego rezystory do dużych obciążeń mocy, stosowane między innymi w turbinach wiatrowych lub na platformach morskich. Od tego typu urządzeń wymagany jest długi okres gwarancji działania ze względu na niedostępne miejsca mocowania oraz trudności w ich wymianie. Kładziony jest również nacisk na niezawodność , gdyż koszty reklamacji są ogromne i nieadekwatne do kosztów ponoszonych przy użyciu najlepszych materiałów, czy kosztów dokładnych kontroli jakości. Model przedstawia zasady dobierania odpowiedniej procedury postępowania w razie wystąpienia określonego zdarzenia. Pozwala to w szybki sposób dobrać odpowiednie czynności, a następnie rozpocząć proces ich realizacji.

EN

Aspect of business continuity is faster growing field of management. This is due to greater awareness of the owners about the impact of all risks on the business. More and more companies decide to introduce BCM as protection against possible risks that may cause stop, down-time and delay. The work will be modeled maintenance plan of action for the company performing the resistors used inter alia in wind turbines or on offshore platforms . Since this type of equipment is required for a long period of warranty action because of the available space and the difficulty of fixing the exchange. Emphasis is also placed on reliability, because the costs are huge complaints and inadequate to the costs incurred by using the best materials and the cost of accurate quality control. The model depicts the principle of selecting the appropriate procedures to be followed in the event of a specific event . This allows you to quickly find the right steps, and then begin the process of their implementation.

6

Wpływ podstawowych parametrów wytwarzania stopów Ni-Co-P oraz Co-P na rezystancję i temperaturowy współczynnik rezystancji

Kowalik P., Pruszowski Z., Filipowski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 9

64-66

PL

W pracy określono energie aktywacje kąpieli metalizacyjnych dla roztworów Ni-Co-P oraz Co-P pracujących w zakresie kwasowości 3÷5 Ph i temperaturze 368÷373 K oraz określono zakres temperaturowego współczynnika rezystancji (TWR) dla rezystorów otrzymanych w tym zakresie temperatur.

EN

In the following work, activation energy of metallization bath for Co-P and Ni-Co-P was established, worked in pH value between 3 and 5 and temperature value between 368 and 373K and temperature range of resistance coefficient for obtained resistors within this range of temperature.

7

Application of mathematical statistic in preliminary investigations of high gauge factor thick film resistors

Jurków D., Golonka L.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

R. 88, nr 7a

214-217

EN

Thick-film and Low Temperature Cofired Ceramics technologies are widely used in the microelectronics, sensors, actuators and microsystems. The parameters of the devices depend on the properties of thick-film components and the quality of 3D structures machining. Hence, the properties of the components must be carefully analysed. The influences of the following parameters: type of the substrates (DP 951, HL2000 and Ceram Tape GC), resistor configurations (surface and buried), resistor dimensions and state of LTCC tapes (fired and green state) on the properties of ESL 3414-B-HBM thick film high GF resistors have been investigated and discussed in this paper. The investigations were done using completely randomized design of the experiment with two input parameters and statistical analysis.

PL

Technologie grubowarstwowa i niskotemperaturowej ceramiki współwypalanej znajdują zastosowanie w produkcji układów mikroelektronicznych, czujników, aktuatorów i mikrosystemów. Parametry układów wykonanych tymi technikami zależą w znacznej mierze od właściwości biernych elektronicznych elementów grubowarstwowych oraz dokładności procesu obróbki mechanicznej lub laserowej materiału. Z tego względu właściwości elementów biernych naniesionych na różne podłoża ceramiczne muszą być dokładnie analizowane. W pracy sprawdzono wpływ następujących parametrów: rodzaju niskotemperaturowej ceramiki współwypalanej (DP951, HL2000, Ceram Tape GC), konfiguracji rezystorów (zagrzebane, powierzchniowe), wymiarów geometrycznych rezystorów wykonanych z pasty ESL 3414-B-HBM na podstawowy parametr rezystorów (rezystancję na kwadrat i jej rozrzut). Analiza została wykonana z zastosowanie statystyki matematycznej w celu weryfikacji poprawności wyników.

8

Mycie aparatury elektrycznej

Dąbrowski J.

Nowa Elektrotechnika

|

2005

|

nr 1 (5)

28--29

9

Elementy indukcyjne oraz rezystory dla napędowych przemienników częstotliwości

Dymitrowski A., Gędziorowski J.

Nowa Elektrotechnika

|

2005

|

nr 3 (7)

6--7

10

Wysokonapięciowe rezystory LTCC

Golonka L., Markowski A., Roguszczak H., Zawada T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 10

13-14

PL

Przedstawiono właściwości elektryczne wysokonapięciowych rezystorów grubowarstwowych wykonanych na podłożach alundowych i LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics) z past rezystywnych serii 9000V firmy Metech. Zagrzebany rezystor o rezystancji 1GO(Omega), wyprodukowany przy wykorzystaniu pasty 9171V, został z powodzeniem zastosowany do pracy w zakresie wysokich napięć.

EN

Electrical properties of high voltage thick film resistors produced from 9000V Metech inks on alumina and LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics) substrates are presented. LTCC 1 GO(Omega) buried resistor made from 9171V ink was succesfully used for high voltage application.

11

Zagrożenie porażeniowe w miejskich sieciach elektroenergetycznych uziemionych przez rezystor

Skliński R.

Zeszyty Naukowe Politechniki Białostockiej. Elektryka

|

2002

|

Z. 16

93-101

PL

Coraz częściej w kablowych sieciach miejskich SN stosowane jest rezystancyjne uziemienie punktu neutralnego, wymuszające czynne prądy jednofazowego zwarcia na poziomie wartości około 400 A, co powoduje, że wypadkowa (maksymalna) wartość prądu metalicznego zwarcia nie przekracza 500A. W sieciach peryferyjnych aglomeracji miejskich z przewagą linii napowietrznych (lub tylko napowietrznych) zaleca się wartości nieprzekraczające 250 A. W artykule przedstawione są wyniki badań skuteczności ochrony przeciwporażeniowej w sieci SN, uziemionej przez rezystor.

EN

In the municipal MV cable networks resistance earthing of the neutral point is increasingly applied. This forces active currents of one phase short circuits of a value of approximately 400 A, which means that resultant (maximum) of the metallic current of the short circuit does not exceed 500 A. In the peripheral municipal networks with the predominance of overhead lines (or only overhead) values not exceeding 250 A [2] are recommended. In the article the results of studies of indirect contact protection in such networks are presented.

12

Uziemienie punktu zerowego sieci SN przez układ równoległy dławika i rezystora

Kożuchowski J.

Wiadomości Elektrotechniczne

|

2002

|

R. LXX, nr 5

199-202

PL

Przedstawiono uwarunkowania, jakie należy uwzględnić ustalając sposób uziemienia punktu zerowego sieci SN. Omówiono działanie zabezpieczenia ziemnozwarciowego linii 15 kV przez układ równoległy dławika i rezystora.

EN

Conditions to be taken into account while selecting a way of grounding the neutral point of a medium voltage network. The action of a ground-fault protection of a 15 kV line using the choke and resistor parallel system.

13

Technologie wbudowywania rezystorów w wielowarstwowe płytki drukowane

Hackiewicz H., Kozioł G.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 11

32-35

PL

Rozwój technologii wbudowywania podzespołów biernych takich jak rezystory, kondensatory i elementy indukcyjne wewnątrz płytki drukowanej został spowodowany potrzebą zmniejszenia liczby montowanych elementów, zmniejszenia wielkości płytek, poprawy funkcjonalności płytki i obniżenia całkowitego kosztu wyrobu gotowego. Artykuł omawia różne technologie wbudowywania rezystorów wewnątrz płytki drukowanej z uwzględnieniem pewnych rozważań materiałowych i projektowych, które należy brać pod uwagę w momencie integrowania struktur elementów biernych w strukturę wysoko precyzyjnych płytek drukowanych.

EN

Development of embedded passives (EP) technologies is driven by the need to decrease part count and board size, increase board functionality, and lower overall product costs. This article describes the different embedded resistor technologies with regard to some design and material considerations, that must be taken into account when integrating EP structures into HDI-PCBs.

14

Uziemienie punktu zerowego sieci ŚN przez układ równoległy dławika i rezystora

Kożuchowski J.

Automatyka Elektroenergetyczna

|

2002

|

Nr 1 (34)

14-17

PL

Jedną ze znaczących cech czasopisma fachowego jest podejmowanie na swoich łamach tematyki dyskusyjnej, ujmowanej nierównoznacznie a wymagającej, poprzez rozwiązania analityczne, osiagnięcia konsensusu zainteresowanych stron. Do tych tematów w naszym środowisku należy sposób pracy punktu zerowego sieci ŚN. Przedstawione przez autora propozycje dotyczace zmniejszenia zagrożeń wynikajacych z oddziaływania przepływu prądu ziemnozwarciowego, jak i związanej z tym ochrony przeciwpożarowej mogą stanowić podstawę do określenia jednoznacznego stanowiska w tej sprawie.

15

Praca zabezpieczeń ziemnozwarciowych w sieci ŚN uziemionej przez rezystor

Floryn J.

Automatyka Elektroenergetyczna

|

2002

|

Nr 3 (36)

25-27

PL

Podczas 5. Krajowej Konferencji Naukowo-Technicznej pn. "Automatyzacja Sieci Rozdzielczych Krajowego Systemu elektroenergetycznego" w 1998 przedstawiono wyniki eksploatacji sieci kablowych i sieci napowietrzno-kablowej z uziemionym punktem zerowym przez rezystor. Niniejszy artykuł stanowi kontynuację wcześniejszych rozważań, ukierunkowana na problematyke zabezpieczeń ziemnozwarciowych. W artykule przedyskutowano problematyke tych zabezpieczeń w sieciach z uziemionym punktem zerowym przez rezystor. Szczególna uwagę zwrócono na identyfikacje wysokooporowych zwarc doziemnych. Przedstawiono również doświadczenia wynikajace z ponad jedenastoletniej eksploatacji takich sieci.

16

Ocena działania zabezpieczeń i automatyki SPZ sieci średniego napięcia uziemionej przez rezystor w Zakładzie Energetycznym Białystok SA

Woliński K., Wyrzykowski W.

Automatyka Elektroenergetyczna

|

2002

|

Nr 2 (35)

31-33

PL

Publikowane na naszych łamach wyniki analizy działania układów EAZ przeprowadzanych w spółkach dystrybucyjnych stanowią nie tylko wattość poznawczą, ale mają również swe znaczenie praktyczne w oparciu owynikające z analizy wnioski. W tym zakresie prawie że wyłączną aktywność wykazuje ZE Białystok SA. Pozostałe jednostki, zajmujące się eksploatacją sieci średniego napięcia, czyżby nie dostrzegały tego istotnego dla Służb Zabezpieczeń problemu?Czy wymiana doświadczeń w tym obszarze może zostać niedostrzeżona przez tych, którzy są odpowiedzialni za nieprzerwaną dostawę energii elektrycznej?

17

Próby ziemnozwarciowe w sieci 15kV uziemionej przez rezystor w stacji RPZ-8 Białystok

Woliński K.

Automatyka Elektroenergetyczna

|

2000

|

Nr 4(29)

24-28

PL

Poddawanie urządzeń elektroenergetycznych próbom eksploatacyjnym w warunkach ekstremalnych bądź awaryjnych należy do czynności z zaktesu zapewnienia niezawodności pracy tych urządzeń, a tym samym ciągłości zasilania odbiorców energii elektrycznej. Natomiast opis stosowanej metodyki prowadzonych prób, jak i analiza ich wyników, obok funkcji informacyjnej, wzbogaca kompetencje pracowników eksploatacji sieci średnich napięć. Wyczerpującym przykładem takiej postawy autorskiej jest poniższe przedstawienie przebiegu prób, wyników pomiarów oraz wniosków wynikających z przeproqwadzonych analiz zjawisk ziemnozwarciowych.

18

Ceramic composite resistor of B4C modified by TiO2 and glass phase.

Klimec E., Stobiecki T., Zaraska W.

Inżynieria Materiałowa

|

1998

|

R. XIX, nr 4

864-867

EN

Technical progress in the manufacturing technology of composite materials resulted in arising of new generation of bulk resistors, resistant to high levels of overloads and high temperature. These resistors can be applied in extremly heavy working conditions, for instance in cooperation with ignition circuits. The resistors investigated in our research were performed on the basis of ceramic composite consisted of semiconductor boron carbide B4C as conductive phase, aluminium oxide Al2O3 and non-alkali glass as insulators and titanium dioxide TiO2. The technological procedure of the fabrication of resistors and the results of the tests, such as temperature dependence of the electrical resistance and exploitation trials, are presented.