Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

1 2012

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: rezystancja złącza

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badanie wpływu spawania laserowego złącza TiO2:FTO na rezystancję wewnętrzną oraz sprawność ogniwa słonecznego uczulonego barwnikiem

Klein M., Sawczak M., Zalas M., Barbucha R.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

2012

z. 59, nr 2/II/I

381-388

Jednym z parametrów ograniczających sprawność ogniwa jest jego rezystancja wewnętrzna. W przypadku ogniw DSSC znaczącą składową rezystancji wewnętrznej jest rezystancja złącza elektrody TiO2 oraz warstwy przewodzącej FTO odprowadzającej ładunek elektryczny, wynikająca z ograniczonej powierzchni styku porowatej warstwy tlenku tytanu z warstwą FTO. W niniejszej pracy podjęto próbę redukcji rezystancji wewnętrznej oraz poprawy sprawności ogniwa poprzez spawanie laserowe złącza TiO2:FTO. Wykorzystano w tym celu laser impulsowy 355 nm, którym naświetlono całą powierzchnię złącza. Wykorzystując technikę XRD oraz spektroskopię ramanowską zbadano wpływ procesu spawania na strukturę elektrody TiO2. Parametry elektryczne ogniwa określono metodą elektrochemicznej spektroskopii impedancyjnej. Otrzymano prawie 38% wzrost sprawności ogniwa: z eta=0,08 % do eta=0,11 %. Wyznaczono optymalny zakres parametrów procesu spawania.

Poor electrical contact between the titanium-dioxide-nanoparticles layer and a transparent-conductive-oxide electrode builds-up a resistance which is a significant part of the total resistance of the cell. This resistance can be reduced by laser welding of the TiO2:FTO interface which results in simultaneous increase of the efficiency of the cell. The TiO2 film surface was irradiated with a pulsed ultraviolet laser beam at 355 nm. Influence of the welding process on the TiO2 electrode structure were examined using XRD and Raman techniques. Electrical parameters of the cell was determined by electrochemical impedance spectroscopy. Nearly 38% increase of the cellefficiency: from eta= 0.08% to eta= 0.11% has been achieved.