Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: rezystancja równoważna

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

The impact of equivalent resistance on power generation using PV module during different seasons

Mushtag Amir, Mussadig Usman, Mahmood Anzar, Jafri Syed Hassan Mujtaba

Journal of Power Technologies

2022

Vol. 102, nr 4

175--186

In the promoted study, the impact of equivalent resistance on power generation using pv module during different seasons is calculated as well as measured. The promoter of this research work intends to complete it in different phases: problem identification, data analysis and the description of results. In the first instance, the technical literature has been put into review to bridge the research gap, to estimate the impact of equivalent resistance on power generation by using PV module during changing seasons. In the second step, the impact estimation is made through Simulink model in MATLAB which is previously not used to calculate the power losses to the best of authors knowledge and an experimental study on a 20kW solar-based energy system in the department of Electrical Engineering, Mirpur University of science and technology is also performed. The results find that the series resistance has a direct relation with working temperature and the shunt resistance varies inversely with solar irradiance.

Analysis of an anti-parallel memristor circuit

Mladenov V., Kirilov S.

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

2018

T. 8, nr 2

9--14

The basic purpose of the present paper is to propose an extended investigation and computer analysis of an anti-parallel memristor circuit with two equivalent memristor elements with different initial values of the state variables using a modified Boundary Condition Memristor (BCM) Model and the finite differences method. The memristor circuit is investigated for sinusoidal supply current at different magnitudes – for soft-switching and hardswitching modes, respectively. The influence of the initial values of the state variables on the circuit’s behaviour is presented as well. The equivalent i-v and memristance-flux and the other important relationshipsof the memristor circuit are also analyzed.

Podstawowym celem niniejszego artykułu jest zaproponowanie rozszerzonego badania i komputerowej analizy przeciwrównoległego układu memrystorowego z dwoma równoważnymi elementami memrystorowymi o różnych wartościach początkowych zmiennych stanu z wykorzystaniem zmodyfikowanego modelu Boundary Condition Memristor (BCM) i metody różnic skończonych. Obwód memrystorowy jest badany dla sinusoidalnego prądu zasilania o różnych wielkościach – odpowiednio dla trybów miękkiego przełączania i twardego przełączania. Przedstawiono również wpływ wartości początkowych zmiennych stanu na zachowanie obwodu. Analizowane są również równoważne charakterystyki prądowo-napięciowe zależność między memrystancją i strumieniem magnetycznym oraz inne ważne cechy obwodu memrystora.