Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2 2015

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: rezystancja powłok

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Własności rezystancyjne powłok PVD ze stopów AlSi

Kucharska B., Kowalczyk J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2015

Vol. 56, nr 8

48-50

Nowoczesne metody modyfikacji własności i ochrony powierzchni materiałów, do których należy metoda fizycznego osadzania z fazy gazowej (PVD) znalazły zastosowanie w różnych gałęziach przemysłu, w tym w elektronice. Ze względu na silne rozdrobnienie struktury, powłoki metaliczne wytworzone tą metodą posiadają znacznie lepsze własności mechaniczne i odporność korozyjną w porównaniu do stopów wytworzonych metodami konwencjonalnymi. W pracy przedstawiono badania własności elektrycznych powłok Al-Si wykonanych metodą PVD. W procesie magnetronowym rozpylano targety ze stopów pod-, około- i nadeutektycznego. Powłoki badano w różnej temperaturze indukowanej przepływem przez nie prądu elektrycznego. W oparciu o charakterystyki prądowo-napięciowe, wyznaczono rezystancję powłok w każdej z temperatur. Określono wpływ udziału krzemu w powłoce oraz przygotowania stopów na targety (homogenizacja, modyfikacja TiAlB) na rezystancję powłok i ich temperaturę podczas badania.

Modern methods of modification of the properties and protection of material surface, which embrace gaseous phase physical deposition (PVD) methods, arouse the interest of many branches of industry, as well as of electronics. By virtue of their fine-grained structure, metallic coatings fabricated by these methods have superior mechanical properties and corrosion resistance compared to alloys made by traditional technologies. The paper presents a study of the electrical properties and structure of Al-Si coatings made by PVD method. Targets of hypo-, peri- and hyper-eutectic composition alloys, respectively, were sputtered in the magnetron process. The Al-Si coatings under various temperature conditions induced by the flow of electric current through the coatings was examined. Based on the current-voltage parameters, the coatings electrical resistance was determined at specified temperatures. The effects of silicon content in the coating and the preparation of target alloys (homogenization, modification TiAlB) on the electrical resistance of coatings and their temperature during the test was determined.

Charakterystyki prądowe układów wielowarstwowych Cu/Ni i Cu/stal (Cr-Ni)

Olejnik E., Olejnik M., Kucharska B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2015

Vol. 56, nr 9

79-82

W pracy przedstawiono wyniki badań powłok wielowarstwowych Cu/Ni oraz Cu/stal Cr-Ni osadzonych techniką rozpylania magnetronowego na monokrystalicznym podłożu krzemowym Si(100). Wielowarstwy złożone ze 100 biwarstw miały takie same grubości podwarstw z Cu (2 nm) i zróżnicowane grubości podwarstwy stali w zakresie od 1 do 4 nm. Badano trwałość wielowarstw w warunkach podwyższonych temperatur, indukowanych płynącym przez nie prądem elektrycznym. Wielowarstwy stanowiły element oporowy w obwodzie prądu stałego, a temperaturę wielowarstw ustalano poprzez zwiększanie mocy płynącego przez nie prądu. Eksperyment prowadzono do temperatury 200°C. Na podstawie parametrów prądowo-napięciowych dokonano wyznaczenia rezystancji wielowarstw w określonych temperaturach.

The paper describes the results of an investigation of Cu/Ni and Cu/stal Cr-Ni multilayers coatings deposited on a monocrystalline Si(100) silicon substrate by the magnetron sputtering method. Composed of 100 bilayers each, the multilayers were differentiated by the steel sublayer thickness (1 ÷ 4 nm), while maintaining the constant Cu sublayer thickness (2 nm). The stability of the multilayers under elevated temperature conditions induced by the flow of electric current through the multilayers was examined. The multilayers constituted a resistance element in the direct current circuit, and the multilayer temperature was established by increasing the power of the current flowing through the multilayers. The experiment was continued until a temperature 200ºC. Based on the current-voltage parameters, the multilayer resistance was determined at specified temperatures.