Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: rezystancja kontaktu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Application Examples for the Different Measurement Modes of Electrical Properties of the Solar Cells

Musztyfaga-Staszuk M., Dobrzański L.A., Rusz S., Staszuk M.

Archives of Metallurgy and Materials

2014

Vol. 59, iss. 1

247--252

The aim of the paper was to apply the newly developed instruments ‘Corescan’ and ‘Sherescan’ in order to measure the essential parameters of producing solar cells in comparison with the standard techniques. The standard technique named the Transmission Line Method (TLM) is one way to monitor contacting process to measure contact resistance locally between the substrate and metallization. Nowadays, contact resistance is measured over the whole photovoltaic cell using Corescanner instrument. The Sherescan device in comparison with standard devices gives a possibility to measure the sheet resistance of the emitter of silicon wafers and determine of both P/N recognition and metal resistance. The Screen Printing (SP) method is the most widely used contact formation technique for commercial silicon solar cells. The contact resistance of manufactured front metallization depends of both the paste composition and co-firing conditions. Screen printed front side metallization and next to co-fired in the infrared conveyor furnace was carried out at various temperature from 770°C to 920°C. The silver paste used in the present paper is commercial. The investigations were carried out on monocrystalline silicon wafers. The topography of co-fired in the infrared belt furnace front metallization was investigated using the atomic force microscope and scanning electron microscope (SEM). There were researched also cross sections of front contacts using SEM microscope. Front contacts of the solar cells were formed on non-textured silicon surface with coated antireflection layer. On one hand, based on electrical properties investigations using Sherescan instrument it was obtained the knowledge of the emitter sheet resistance across the surface of a wafer, what is essential in optimizing the emitter diffusion process. On the other hand, it was found using Corescan instrument that the higher temperature apparently results in a strongly decreased contact resistance.

Celem pracy było zastosowanie niedawno opracowanych urządzeń. Corescan” i „Sherescan” do zmierzenia zasadniczych parametrów wytwarzanych ogniw słonecznych w porównani z standardowymi technikami. Standardowa technika nazywana metodą linii transmisyjnych TLM (ang. Transmission Line Method) jest jednym ze sposobów monitorowania procesu pomiaru rezystancji strefy połączenia elektrody z podłożem. Obecnie, rezystancja kontaktu ogniwa słonecznego jest mierzona przy użyciu urządzenia Corescan. Urządzenie Sherescan w porównaniu ze standardowymi urządzeniami daje możliwość pomiaru rezystancji powierzchniowej warstwy dyfuzyjnej emitera płytek krzemowych i rozpoznania typu przewodności P/N i rezystancji kontaktu. Obecnie większość krzemowych ogniw fotowoltaicznych produkowanych na skalę przemysłową wytwarza się z zastosowaniem metody sitodruku do nanoszenia przedniej i tylnej metalizacji. Rezystancja kontaktu wytworzonej przedniej metalizacji zależy zarówno od składu pasty i warunków wypalania. Elektrodę przednią nadrukowano metodą sitodruku, a na- stępnie wypalano w piecu taśmowym w zakresie temperatury od 770°C do 920°C. W niniejszej pracy zastosowano komercyjną pastę srebrną. Badania wykonano na płytkach krzemowych monokrystalicznych. Topografię powierzchni wypalanej w piecu taśmowym przedniej elektrody wykonano stosując mikroskop sił atomowych i skaningowy mikroskop elektronowy. Zbadano również przekroje poprzeczne przednich elektrod stosując skaningowy mikroskop elektronowy. Elektrody przednie ogniw słonecznych wytworzono na powierzchni krzemowej nieteksturowanej z naniesioną warstwą antyrefleksyjną. Na podstawie uzyskanych badań własności elektrycznych za pomocą urządzenia Sherescan stwierdzono, że w zakresie temperatury od 770°C do 920°C, rezystancja właściwa kontaktu mieści się w zakresie 0.43÷1,01 μ Ω/ i rezystancja warstwowa kontaktu mieści się w zakresie 0,28÷0.67 mΩ/ krzemowego ogniwa fotowoltaicznego. W wyniku badań własności elektrycznych wykonanych z wykorzystaniem urządz.enia Corescan uzyskano szczegółową mapę powierzchni oporu styku pomiędzy emiterem a warstwą metalizacji ogniw słonecznych.

Selektywne przenoszenie w systemach tribologicznych z kompozytem ślizgowo-sensorowym

Zimowski S., Rakowski W.

Tribologia

2008

nr 4

211-221

W opracowanym systemie diagnostycznym podstawowym elementem jest polimerowy kompozyt piezorezystywny, który pełni podwójną funkcję – materiału ślizgowego oraz czujnika zarówno siły, jak i temperatury w łożysku. Istotnymi składowymi sygnału pomiarowego takiego systemu są: rezystancja kompozytu, rezystancja kontaktu i rezystancja warstwy naniesionej. Tworząca się w procesie tarcia dodatkowa warstwa zaporowa nieznacznie zwiększa wartość rezystancji systemu. Ze względu na poprawne funkcjonowanie systemu diagnostycznego, w tym analizę sygnału pomiarowego, konieczna jest identyfikacja procesu przenoszenia warstewki oraz zbadanie jej właściwości. W pracy określono ilościowy udział rezystancji naniesionej warstwy w rezystancji całego systemu. Przedstawiono pomiary przewodności elektrycznej podczas tarcia kompozytu ślizgowo-sensorowego ze stalą. Opisano mechanizm przenoszenia kompozytu na stalową przeciwpowierzchnię oraz przeprowadzono analizę struktury naniesionej warstwy przy użyciu SEM.

The main element of the invented diagnostic system is a piezoelectric polymer composite that can fulfil a purpose of bearing materials and a sensor measuring load and temperature simultaneously. Electric conductivity of these composites is proportional to the applied thermal or mechanical stress and strain, and this phenomenon is called a "piezoresistive effect". The important components of this diagnostic system are composite resistively, contact resistance, and interlayer resistance. The transfer of the layer is a typical phenomenon that proceeds during the friction of polymer composites. Due to proper operation of this diagnostic system with the analysis of the measured signal, it is necessary to identify the process of the layer transfer and to investigate its properties. An additional resistance layer, which is formed during friction, slightly increases the electric resistance of the system. The transferred layer consists of the electric conductive and non-conductive components simultaneously. The physical structure of this layer is different than the composite obtained in the chemical process. In this paper, the ratio of the electric resistance of the transfer layer in the system resistance was determined. The electric conductivity of the sliding-sensor composite with steel measured during friction was presented. The mechanism of the layer transfer on steel counterpart was described. The analysis of this layer structure was determined with the use of the SEM method.