Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Rezystancja statyczna i dynamiczna w modelu dwudiodowym dla ogniwa fotowoltaicznego

Pławecki M., Rówiński E., Bzowski B., Korasiak P.

Energetyka

|

2018

|

nr 7

410--412

PL

W artykule omówiono rezystancję statyczną i dynamiczną w modelu dwudiodowym oraz rozważono dodatkowo współczynnik dyfuzji i czasu relaksacji. Podano również wzory na obliczanie rezystancji statycznej i dynamicznej. W przypadku budowy ogniw z polikrystalicznych materiałów rezystancja dynamiczna zależy również od wielkości ziaren. Wykazano, że krzywa rezystancji statycznej przebiega lawinowo w pobliżu napięcia maksymalnego, a w przypadku krzywej rezystancji dynamicznej zaobserwowano silne oscylacje w pobliżu maksymalnego prądu.

EN

Discussed is the static and dynamic resistance in a two-diode (double diode) model and additionally considered is the coefficient of diffusion and relaxation time. Given are also equations for calculation of static and dynamic resistances. In case of cells made of polycrystalline materials the dynamic resistance depends also on the size of grains. Shown is that the static resistance curve passes exponentially near the maximum voltage and in the case of the dynamic resistance curve strong oscillations near the maximum current are observed.

2

Analysis of temperature dependence of dark current mechanisms in MWIR type-II superlattice photodiodes

Wróbel J., Madejczyk P., Gawron W., Rogalski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 9

113-116

EN

We report on temperature dependence characteristics of mid wavelength InAs/GaSb type-II superlattice photodiodes in a temperature range from 120 K to 240 K. A bulk based model with an effective bandgap of superlattice material has been used in modelling of the experimental data. Temperature and bias dependent differential resistances have been analyzed in detail due to contributing mechanisms that limit the electrical performance of the diodes. C1-HH1 reduced mass was estimated from the fitting to the high reverse bias (< - 1.0 V) voltage, and given about 0.015 m0 in the whole considered temperature range. This value agree well with much more complex simulations and cyclotron resonance measurements. Obtaining so good results was possible thanks to including series resistance into calculations.

PL

W pracy przedstawiono analizę charakterystyk prądowo-napięciowych oraz rezystancji dynamicznych fotodiod PIN z supersieci II typu InAs10ML/ GaSb10ML zakresu średniej podczerwieni. Rozważania teoretyczne transportu nośników przeprowadzono stosując teorię Shockley’a złącza wykonanego w materiale objętościowym. W zakresie temperatur 120 - 240 K zaobserwowano kilka mechanizmów składowych prądu ciemnego, w tym: mechanizm dyfuzyjny i generacyjno-rekombinacyjny, dwa mechanizmy tunelowania, oraz upływność powierzchniową. W obliczeniach uwzględniono również wpływ rezystancji szeregowej, który szczególnie w zakresie temperatur osiąganych przez chłodziarki termoelektryczne (T > 180 K), okazał się znaczący. Wybrane parametry dopasowujące uzyskane z analitycznych zależności na składowe prądu ciemnego (w tym masę zredukowaną przejścia C1-HH1) zostały porównane z dostępnymi literaturowymi danymi eksperymentalnymi.

3

Możliwości pomiaru parametrów cieczy za pomocą czujników ultradźwiękowych

Weiss K.

Chemik

|

2005

|

Vol.58, nr 11-12

582-587

PL

Przedstawiono zasady działania i konstrukcję czujnika lepkości cieczy na bazie rezonatora kwarcowego cięcia AT oraz wyniki badania zachowania czujnika w cieczach o różnej lepkości, oraz praktyczne wyniki prób wykorzystania czujnika do oceny jakości mleka.

EN

In the paper there are presented principles of acting and construction of viscosity sensor on the basis of AT-cut quartz resonator. There are also presented results of sensor frequency and resistance measurement in dependence on viscosity of liquid and results of practical test of sensor as milk quality tester.