Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  results of simulations
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Przedstawiono strukturę oraz omówiono podstawowe właściwości i charakterystyki tranzystora CoolMOS. Zwrócono szczególną uwagę na parametry odpowiedzialne za obszar bezpiecznej pracy tranzystora, takie jak rezystancja włączenia oraz napięcie blokowania (przebicia) oraz silną zależność wartości tych parametrów od ładunku wbudowanego w naprzemiennie domieszkowanych obszarach (kolumnach) stanowiących warstwę epitaksjalną tranzystora. Przedstawiono otrzymane przez autora wyniki symulacji wybranych charakterystyk z wykorzystaniem makromodeli tranzystora CoolMOS, opracowanych przez firmę Infineon dla programu SPICE. Wybrane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów lu charakterystykami katalogowymi, co pozwoliło na wstępną ocenę tych makromodeli.
EN
The structure and basic features and characteristics of CoolMOS transistor are presented. The parameters determining CoolMOS Safe Operating as on-resistance (RON) as well as the breakdown voltage (UBR) and strong dependence of these parameters on the charge built-in inside the n, p-kolumns existing in the epitaxial layer are especially considered. Some results of CoolMOS characteristic simulations with the use of Infineon macromodels devoted to SPICE are given as well. The selected SPICE characteristics are compared with results of measurements or catalogue characteristics what makes it possible to estimate the usefulness of these macromodels.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.