The paper deals with design analysis and synthesis of the storage elements of LCTLC power resonant inverter with sinusoidal output voltage. The filter used for creating it has to remove higher harmonic components from the supplying voltage to reach the harmonic distortion roughly 5% in the whole range of the load (0-100%). Non-symmetrical control is used for voltage to be constant. Right choosing and design of LC storage components is important from the point of view voltage and current stresses, overvoltages and requested THD values. Design procedure of them is demonstrated and confirmed by computer simulation.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
In this paper a parallel operation of MOSFET and IGBT transistors in soft switching applications is analysed by means of the simulation procedure and implementation in test circuits. Power loses in MOSFET, IGBT and for parallel connection was compared. It shows that parallel configuration is the best choice for high power resonant mode converters.
PL
W artykule przedstawiono wyniki symulacji i pomiarów układu równolegle połączonych tranzystorów MOSFET i IGBT pracujących w zasilaczu rezonansowym w trybie „soft-switching”. Porównano straty mocy w poszczególnych tranzystorach oraz w przypadku równoległego ich połączenia. Wykazano, że konfiguracja równoległa jest obiecującą konfiguracją do zastosowania w zasilaczach rezonansowych w których występują, ze względu na charakter układu, duże przetężenia prądu.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.