Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Problemy w pomiarach wysokich rezystancji

Dudek E., Mosiądz M., Orzepowski M., Snopek L.

Metrologia : biuletyn informacyjny Głównego Urzędu Miar

|

2010

|

nr 3

25--28

PL

W Głównym Urzędzie Miar (GUM) rozwijana jest dziedzina pomiarów wysokich rezystancji. Wyposażenie pomiarowe umożliwia wzorcowania rezystorów do 1 PΩ. Specyfika takich pomiarów wymaga stosowania specjalnych rozwiązań w projektowaniu układów pomiarowych, znajomości budowy i właściwości rezystorów wysokoomowych. Bardzo ważne jest zastosowanie specjalnej metody ekranowania przewodów pomiarowych i rezystorów. W referacie opisano metody pomiarowe stosowane w GUM, konstrukcję wzorców oraz niektóre problemy występujące podczas takich wzorcowań.

EN

In the Central Office of Measures (GUM) high resistance measurements and calibrations are being developed. Measurement equipment in the GUM gives the possibility of resistor calibrations of up to 1 PΩ. Such measurements require the use of specific measurement circuits, familiarity with design and properties of high-ohmic resistors, as well as the specialized knowledge. In this article, construction of the high-resistance comparator with binary voltage divider is described. During high-resistance measurements, we solved a lot of problems specific for this branch of metrology. To achieve the best accuracy in calibrations, the use of correction factors is necessary to account for variability of voltage and temperature. One of the most important challenges is the necessity of decreasing the leakage current to minimize the contribution of this effect to the uncertainty budget.

2

Charakterystyka odporności rezystorów Ti-Si na działanie impulsów wysokonapięciowych

Szwagierczak D., Kulawik J., Marek A., Gandurska J., Śnieżyńska I.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2000

|

Vol. 41, nr 7

26-29

PL

Badano odporność rezystorów opartych na krzemkach tytanu TiSi2, Ti5Si3 na odziaływanie impulsów wysokonapięciowych o kształcie fali 10/700us. Zniszczenie rezystorów następowało przy napięciu 1200-1500V. Zmiany rezystancji po udarach wynosiły 0-4,5% w zależności od napięcia, ilości impulsów, grubości warstwy i rodzaju krzemku.

EN

Surge performance of resistors based on titanium silicides TiSi2, Ti5Si3 and TiSi were investigated using 10/700 us hight voltage pulses. Failure of resistors occurred ar 1200-1500 V. Changes in resistance after pulsing were 0-4,5% depending on peak voltage, number of pulses, thick film thockness and kind of silicide.

3

Diamentowe przyrządy półprzewodnikowe

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1999

|

Vol. 40, nr 10

3-8

PL

Przedstawiono możliwości oraz próby wykorzystania diamentu półprzewodnikowego do budowy elementów elektronicznych: rezystorów, termistorów, fotorezystorów, piezorezystorów, hallotronów, diod pn, diod Schottky'ego, diody IMPATT, tranzystorów npn i tranzystorów polowych MESFET oraz MISFET. Rozważania uwzględniające właściwości elektryczne i cieplne diamentu wskazują m.in. na to, że przyrządy diamentowe mogą być wykorzystywane przy ponad 30-krotnie większej częstotliwości i przy ponad 8200 razy większej mocy od przyrządów krzemowych. Ponadto, ze względu na dużą odporność termiczną diamentu, w wielu opracowaniach naukowych przewiduje się możliwość zastosowania przyrządów diamentowych w wysokich temperaturach, rzędu 600°C.

EN

Many efforts to apply the semiconducting diamond for construction of electronic elements: resistors, termistors, photoresistors, piezoresistors, hallotrons, pn diodes, Schottky diodes, IMPATT diodes, npn transistor, MESFETs and MISFETs are reviewed. Considering the possibilities of acceptor and donor doping, electrical resistivity and thermal conductivity of diamond as well as high electric-field breakdown points, that diamond devices could be used at about 30-times higher frequency and morę then 8200-times power then silicon devices. Exept that, due to high heat resistant of diamond, it is concluded that diamond devices can be used in environment at high temperature, rangę of 600°C.