PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 18

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  resistor
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Temperature distribution on a quad-core microprocessor and quad-core microprocessor / heat sink structure
Gierczak M., Stojek K., Dziedzic A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 2
210--213
EN
In this paper temperature distribution in a heat-sink was analyzed. Laboratory models of quad-core microprocessors (source of heat) were designed and fabricated. They were realized as four properly connected and supplied thick-film resistors, screen-printed on alumina substrate. Temperature distribution was monitored using thermovision camera.
PL
W niniejszym opracowaniu przeprowadzono analizę rozpływu ciepła na radiatorze. Zaprojektowano i wykonano w tym celu laboratoryjny model procesora czterordzeniowego (źródło ciepła). Został on zrealizowany w postaci czterech odpowiednio połączonych rezystorów grubowarstwowych naniesionych techniką sitodruku na podłoża alundowe. Rozkład temperatury był monitorowany za pomocą kamery termowizyjnej.
2
Content available remote Analiza błędów częstotliwościowych rezystorów Część 2. Korekcja częstotliwościowa impedancji rezystorów i jej skuteczność
Kubisa S., Warsza Z. L.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 7
197--201
PL
W części 1 rozpatrzono cztery schematy zastępcze jako modele impedancji rezystora przy prądzie przemiennym, tj. schematy z parametrem głównym R i parametrami pasożytniczymi L i C. Wyznaczono podstawowe ich parametry w funkcji względnej częstotliwości i rezystancji oraz dokonano ich analizy. Część 2 tego artykułu poświęcona jest analizie możliwości korekcji częstotliwościowej rezystora. Wykazano, że rezystory o rezystancji R mniejszej od ich wartości charakterystycznej R0 (zwykle rzędu kilkudziesięciu do kilkuset omów) można korygować częstotliwościowo przez bocznikowanie kondensatorem, a rezystory o rezystancji większej od R0 – przez dołączanie szeregowo cewki indukcyjnej. Oceniono realne możliwości i skuteczność takiej korekcji, użyteczny zakres częstotliwości skorygowanego rezystora oraz wpływ niedokładności elementu korygującego (cewki lub kondensatora) na jakość korekcji. Podano przykłady obliczeniowe.
EN
In the part 1 the basic model of the resistor for the AC current as the equivalent circuit with two RL and C parallel branches was chosen and considered in detail. The characteristic parameters of its impedance changes in relative terms are introduced and its properties as a function of relative frequency and relative resistance are analyzed. The formulas of relative frequency errors, i.e. changes of resistance and reactance components of the impedance of few other AC equivalent circuits of resistor have been determined and analyzed. The considerations are illustrated by the numerical example and conclusions were drawn. Correction of the resistor frequency characteristics are discussed in this Part 2 of work.
3
Content available remote Analiza błędów częstotliwościowych rezystorów Część 1. Modele rezystorów przy prądzie przemiennym i ich parametry
Kubisa S., Warsza Z. L.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 6
211--216
PL
W części 1 rozpatrzono cztery modele (schematy zastępcze) impedancji rezystora przy prądzie przemiennym zawierające parametr główny rezystancję R i parametry resztkowe:szeregową indukcyjność L i bocznikującą pojemność C. Przy prądzie przemiennym część rzeczywista impedancji rezystora nie jest równa jego rezystancji R przy prądzie stałym i pojawia się różna od zera część urojona. Wyznaczono wzory błędów częstotliwościowych rezystorów w formie uogólnionej, tj. w funkcji względnych wielkości rezystancji i częstotliwości. Wyniki obliczeń tych błędów przedstawiono w postaci wykresów. Rozważania zilustrowano przykładami liczbowymi i sformułowano wnioski. Część 2 pracy poświęcona będzie omówieniu możliwości korekcji charakterystyki częstotliwościowej rezystorów.
EN
In the part 1 four models of resistors for the AC current are considered. As the most useful model the equivalent circuit with two parallel branches R L and C is chosen. The characteristic parameters of its impedance in relative terms are introduced and its properties as a function of relative frequency are analyzed. The formulas of relative frequency errors, i.e. changes of resistance and reactance components of the impedance of few AC equivalent circuits of resistor have been determined in relative parameters and analyzed. The considerations are illustrated by the numerical example and conclusions were drawn. Corrections of the resistor frequency characteristic will be discussed in the Part 2 of this work.
4
Content available The frequency analysis of real resistors in relative values
Kubisa S., Warsza Z. L.
Measurement Automation Monitoring
|
2016
|
Vol. 62, No. 3
80--86
EN
Three-element impedance including the resistance R as the main parameter and the residual parameters: serial inductance L and a parallel capacitance C is used as an equivalent circuit of resistor. It is the basic model of resistor for AC current. The real component of this impedance is not equal to the resistance R for the DC current, and there is the imaginary component. Both components depend on the frequency. Variants of the model with four different connections are also analyzed. Patterns of the relative resistor frequency errors in the generalized form, i.e. as a function of the relative values of resistance and frequency of the circuit are determined and their curves are given. Considerations are illustrated by few numerical examples
5
Uogólniony opis właściwości częstotliwościowych rezystorów
Kubisa S., Warsza Z. L.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 3
39--46
PL
Podano trój-elementową impedancję z parametrem głównym – rezystancją R i parametrami resztkowymi: szeregową indukcyjnością L i bocznikującą pojemnością C jako schemat zastępczy rezystora przy prądzie przemiennym (AC) stanowiący jego model podstawowy. Składowa rzeczywista tej impedancji nie równa się rezystancji R przy prądzie stałym (DC) i pojawia się składowa urojona, obie zależne od częstotliwości. Analizowano też warianty tego modelu z czteroma różnymi przyłączami. Wyznaczono wzory względnych błędów częstotliwościowych rezystora w formie uogólnionej, tj. w funkcji względnych wartości rezystancji i częstotliwości układu oraz podano ich przebiegi. Rozważania zilustrowano przykładami liczbowymi Omówiono też możliwości i skuteczność korekcji charakterystyki częstotliwościowej rezystorów i sformułowano wnioski.
EN
A three-element impedance including the resistance R as the main parameter and the residual parameters: serial inductance L and a parallel capacitance C is proposed as an equivalent circuit of resistor and its basic model with AC current. The real part of this impedance is not equal to the resistance R for the DC current (), and there is the imaginary component, both frequency dependent. also variants of the model with four different connections are analyzed. Patterns of the relative resistor frequency errors in the generalized form, i.e. as a functions of the relative values of resistance and frequency of the circuit are determined and their curves are given. Considerations are illustrated by numerical examples. Capabilities and the effectiveness of the frequency correction of the resistors are also discussed and conclusions were drawn.
6
Content available Automation of determining the range of values for MEMS resistive parameters
Teslyuk V., Beregovska K., Pukach A., Ivantsiv R. A.
ECONTECHMOD : An International Quarterly Journal on Economics of Technology and Modelling Processes
|
2016
|
Vol. 5, No 2
105--112
EN
This paper is devoted to the development of automating methods of the ranges determination process of the resistance values measurements for the investigated MEMS resistive parameters (strain gauges, piezoresistors, thermistors, magnetoresistors and photoresistors, etc.), electric resistance of which is changing during functioning of MEMS, in order to improve the accuracy of investigated resistive parameter value determining and optimization of the entire measuring process in general. The developed method for automation of values range determination of the MEMS resistive parameters measurand is based on the designed models and algorithm of automation for the process of an exemplary resistor value determination. A measurand of the investigated MEMS resistive parameter is located in a neighborhood of this exemplary resistor value. The abovementioned method is also based on the developed model and algorithm for automation of the values range determination of the MEMS resistive parameters measurand.
7
Content available Conventional and hybrid vehicles spark plugs – modeling and computer simulation of glass seal resistor influence on electric field distribution
Fryśkowski B.
TTS Technika Transportu Szynowego
|
2015
|
R. 22, nr 10
48--53, CD
EN
Automotive spark plugs are electric parts connected to high-voltage ignition coil winding able to generate high energy sparks necessary to ignite the air/fuel mixture. Breakdown of the spark plug air gap is one of the effects responsible for ignition noise resulting in electromagnetic interference to vehicle’s electronic systems, including radio receivers. To eliminate the electrical disturbances present with spark discharge automotive spark plugs are provided with an additional resistor connected in series with the center electrode. The noise-suppressing resistor is made of borosilicate glass and conductive particles mixture having significant influence on electric properties of the spark plug. The present paper focuses on investigation of glass seal resistor placement affecting electric field distribution. MATLAB simulation results of potential and electric field strength distribution are presented and discussed.
8
Minimalizacja strat, maksymalizacja zysku poprzez zastosowanie utrzymania ciągłości działania
Berlińska J., Berliński A.
Logistyka
|
2014
|
nr 6
446--452, CD 2
PL
W pracy zamodelowano plan utrzymania działania dla przedsiębiorstwa wykonującego rezystory do dużych obciążeń mocy, stosowane między innymi w turbinach wiatrowych lub na platformach morskich. Od tego typu urządzeń wymagany jest długi okres gwarancji działania ze względu na niedostępne miejsca mocowania oraz trudności w ich wymianie. Kładziony jest również nacisk na niezawodność , gdyż koszty reklamacji są ogromne i nieadekwatne do kosztów ponoszonych przy użyciu najlepszych materiałów, czy kosztów dokładnych kontroli jakości. Model przedstawia zasady dobierania odpowiedniej procedury postępowania w razie wystąpienia określonego zdarzenia. Pozwala to w szybki sposób dobrać odpowiednie czynności, a następnie rozpocząć proces ich realizacji.
EN
Aspect of business continuity is faster growing field of management. This is due to greater awareness of the owners about the impact of all risks on the business. More and more companies decide to introduce BCM as protection against possible risks that may cause stop, down-time and delay. The work will be modeled maintenance plan of action for the company performing the resistors used inter alia in wind turbines or on offshore platforms . Since this type of equipment is required for a long period of warranty action because of the available space and the difficulty of fixing the exchange. Emphasis is also placed on reliability, because the costs are huge complaints and inadequate to the costs incurred by using the best materials and the cost of accurate quality control. The model depicts the principle of selecting the appropriate procedures to be followed in the event of a specific event . This allows you to quickly find the right steps, and then begin the process of their implementation.
9
Wpływ podstawowych parametrów wytwarzania stopów Ni-Co-P oraz Co-P na rezystancję i temperaturowy współczynnik rezystancji
Kowalik P., Pruszowski Z., Filipowski W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 9
64-66
PL
W pracy określono energie aktywacje kąpieli metalizacyjnych dla roztworów Ni-Co-P oraz Co-P pracujących w zakresie kwasowości 3÷5 Ph i temperaturze 368÷373 K oraz określono zakres temperaturowego współczynnika rezystancji (TWR) dla rezystorów otrzymanych w tym zakresie temperatur.
EN
In the following work, activation energy of metallization bath for Co-P and Ni-Co-P was established, worked in pH value between 3 and 5 and temperature value between 368 and 373K and temperature range of resistance coefficient for obtained resistors within this range of temperature.
10
Content available remote Application of mathematical statistic in preliminary investigations of high gauge factor thick film resistors
Jurków D., Golonka L.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 7a
214-217
EN
Thick-film and Low Temperature Cofired Ceramics technologies are widely used in the microelectronics, sensors, actuators and microsystems. The parameters of the devices depend on the properties of thick-film components and the quality of 3D structures machining. Hence, the properties of the components must be carefully analysed. The influences of the following parameters: type of the substrates (DP 951, HL2000 and Ceram Tape GC), resistor configurations (surface and buried), resistor dimensions and state of LTCC tapes (fired and green state) on the properties of ESL 3414-B-HBM thick film high GF resistors have been investigated and discussed in this paper. The investigations were done using completely randomized design of the experiment with two input parameters and statistical analysis.
PL
Technologie grubowarstwowa i niskotemperaturowej ceramiki współwypalanej znajdują zastosowanie w produkcji układów mikroelektronicznych, czujników, aktuatorów i mikrosystemów. Parametry układów wykonanych tymi technikami zależą w znacznej mierze od właściwości biernych elektronicznych elementów grubowarstwowych oraz dokładności procesu obróbki mechanicznej lub laserowej materiału. Z tego względu właściwości elementów biernych naniesionych na różne podłoża ceramiczne muszą być dokładnie analizowane. W pracy sprawdzono wpływ następujących parametrów: rodzaju niskotemperaturowej ceramiki współwypalanej (DP951, HL2000, Ceram Tape GC), konfiguracji rezystorów (zagrzebane, powierzchniowe), wymiarów geometrycznych rezystorów wykonanych z pasty ESL 3414-B-HBM na podstawowy parametr rezystorów (rezystancję na kwadrat i jej rozrzut). Analiza została wykonana z zastosowanie statystyki matematycznej w celu weryfikacji poprawności wyników.
11
Content available remote Modern micropassives: fabrication and electrical properties
Dziedzic A.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2006
|
Vol. 54, nr 1
9-18
EN
This paper presents the concept and modem technological approach to the fabrication of discrete, integrated and integral micropassives. The role of these components in modem electronic circuits is discussed too. The material, technological and constructional solutions and their relation with electrical and stability properties are analyzed in details for linear and nonlinear microresistors made and characterized at the Faculty of Microsystem Technology, Wrocław University of Technology.
12
Mycie aparatury elektrycznej
Dąbrowski J.
Nowa Elektrotechnika
|
2005
|
nr 1 (5)
28--29
13
Elementy indukcyjne oraz rezystory dla napędowych przemienników częstotliwości
Dymitrowski A., Gędziorowski J.
Nowa Elektrotechnika
|
2005
|
nr 3 (7)
6--7
14
Wysokonapięciowe rezystory LTCC
Golonka L., Markowski A., Roguszczak H., Zawada T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 10
13-14
PL
Przedstawiono właściwości elektryczne wysokonapięciowych rezystorów grubowarstwowych wykonanych na podłożach alundowych i LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics) z past rezystywnych serii 9000V firmy Metech. Zagrzebany rezystor o rezystancji 1GO(Omega), wyprodukowany przy wykorzystaniu pasty 9171V, został z powodzeniem zastosowany do pracy w zakresie wysokich napięć.
EN
Electrical properties of high voltage thick film resistors produced from 9000V Metech inks on alumina and LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics) substrates are presented. LTCC 1 GO(Omega) buried resistor made from 9171V ink was succesfully used for high voltage application.
15
Content available remote Zagrożenie porażeniowe w miejskich sieciach elektroenergetycznych uziemionych przez rezystor
Skliński R.
Zeszyty Naukowe Politechniki Białostockiej. Elektryka
|
2002
|
Z. 16
93-101
PL
Coraz częściej w kablowych sieciach miejskich SN stosowane jest rezystancyjne uziemienie punktu neutralnego, wymuszające czynne prądy jednofazowego zwarcia na poziomie wartości około 400 A, co powoduje, że wypadkowa (maksymalna) wartość prądu metalicznego zwarcia nie przekracza 500A. W sieciach peryferyjnych aglomeracji miejskich z przewagą linii napowietrznych (lub tylko napowietrznych) zaleca się wartości nieprzekraczające 250 A. W artykule przedstawione są wyniki badań skuteczności ochrony przeciwporażeniowej w sieci SN, uziemionej przez rezystor.
EN
In the municipal MV cable networks resistance earthing of the neutral point is increasingly applied. This forces active currents of one phase short circuits of a value of approximately 400 A, which means that resultant (maximum) of the metallic current of the short circuit does not exceed 500 A. In the peripheral municipal networks with the predominance of overhead lines (or only overhead) values not exceeding 250 A [2] are recommended. In the article the results of studies of indirect contact protection in such networks are presented.
16
Uziemienie punktu zerowego sieci SN przez układ równoległy dławika i rezystora
Kożuchowski J.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2002
|
R. LXX, nr 5
199-202
PL
Przedstawiono uwarunkowania, jakie należy uwzględnić ustalając sposób uziemienia punktu zerowego sieci SN. Omówiono działanie zabezpieczenia ziemnozwarciowego linii 15 kV przez układ równoległy dławika i rezystora.
EN
Conditions to be taken into account while selecting a way of grounding the neutral point of a medium voltage network. The action of a ground-fault protection of a 15 kV line using the choke and resistor parallel system.
17
Technologie wbudowywania rezystorów w wielowarstwowe płytki drukowane
Hackiewicz H., Kozioł G.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2002
|
Vol. 43, nr 11
32-35
PL
Rozwój technologii wbudowywania podzespołów biernych takich jak rezystory, kondensatory i elementy indukcyjne wewnątrz płytki drukowanej został spowodowany potrzebą zmniejszenia liczby montowanych elementów, zmniejszenia wielkości płytek, poprawy funkcjonalności płytki i obniżenia całkowitego kosztu wyrobu gotowego. Artykuł omawia różne technologie wbudowywania rezystorów wewnątrz płytki drukowanej z uwzględnieniem pewnych rozważań materiałowych i projektowych, które należy brać pod uwagę w momencie integrowania struktur elementów biernych w strukturę wysoko precyzyjnych płytek drukowanych.
EN
Development of embedded passives (EP) technologies is driven by the need to decrease part count and board size, increase board functionality, and lower overall product costs. This article describes the different embedded resistor technologies with regard to some design and material considerations, that must be taken into account when integrating EP structures into HDI-PCBs.
18
Ceramic composite resistor of B4C modified by TiO2 and glass phase.
Klimec E., Stobiecki T., Zaraska W.
Inżynieria Materiałowa
|
1998
|
R. XIX, nr 4
864-867
EN
Technical progress in the manufacturing technology of composite materials resulted in arising of new generation of bulk resistors, resistant to high levels of overloads and high temperature. These resistors can be applied in extremly heavy working conditions, for instance in cooperation with ignition circuits. The resistors investigated in our research were performed on the basis of ceramic composite consisted of semiconductor boron carbide B4C as conductive phase, aluminium oxide Al2O3 and non-alkali glass as insulators and titanium dioxide TiO2. The technological procedure of the fabrication of resistors and the results of the tests, such as temperature dependence of the electrical resistance and exploitation trials, are presented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.