Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Influence of kinetics parameter of electroless nickel plating in order to optimalisation electrical parameters of Ni-P resistive layers

Pruszowski Z., Kowalik P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 9

77-79

EN

In this paper the results of experimental studies of the influence of kinetics parameters of electroless Ni plating on the basic electrical parameters of Ni-P resistive layers like sheet resistance and temperature coefficient of resistivity (TCR) are presented. Our experiments showed, among others, that the required minimal value of TCR parameter can be obtained for the following parameters of technological solution: temperature in the range of 368...373K, acidity (pH) in the range of 2.00...2.05, and concentration of basic substrates (Ni salts and reducing hypophosphite salts) in the range of 50...60 g/dm³. For these conditions the atomic concentration of P in the obtained Ni-P resistive layers was at the level of 19.2%, a typical value for the euthectic form. Moreover, the activation energy of metallization process was equal to about 70 kJ/mol.

PL

W niniejszym artykule przedstawiono wyniki badań doświadczalnych nad wpływem parametrów bezprądowego niklowania na podstawowe parametry elektryczne rezystancyjnych warstw Ni-P, takie jak rezystancja powierzchniowa i temperaturowy współczynnik rezystancji (TWR). Nasze doświadczenia wykazały, między innymi, że wymaganą, minimalną wartość parametru TWR można uzyskać dla następujących parametrów technologicznych roztworu: temperatura w zakresie od 368÷373 K, kwasowość (pH) w zakresie 2,00÷2,05 oraz stężenie podstawowych substratów (sól niklu i redukująca sól podfosforynu) w zakresie od 50÷60 g/dm³. Przy spełnieniu takich warunków technologicznych stężenie atomowe P w uzyskanych warstwach rezystywnych Ni-P kształtuje się na poziomie 19,2%, co jest typową wartością eutektyka. Energia aktywacji procesu metalizacji wynosiła około 70 kJ/mol.

2

Wytwarzanie stabilnych warstw rezystywnych metodą bezprądowej metalizacji

Pruszkowski Z., Kowalik P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2010

|

R. 86, nr 6

276-278

PL

W niniejszym artykule opisano zmodyfikowany sposób wytwarzania warstw rezystywnych Ni-P metodą chemicznej redukcji zachodzący w kąpieli wodnej prowadzący do otrzymania warstw rezystywnych o rezystancji powierzchniowej 0,5-1 charakteryzujących się minimalnym temperaturowym współczynnikiem rezystancji oraz minimalnymi zmianami rezystancji w próbie na stabilność. W artykule opisano szczegółowo zmiany rezystancji w funkcji temperatury oraz zmiany rezystancji w funkcji czasu dla prób określających stabilność długoczasową warstw rezystywnych.

EN

In this paper is presented modified technology of preparation of Ni-P resistive layers. These layers are characterised by square resistance 0,5 - 1, minimised TCR and best stability. In this paper are described change of resistance with changes of temperature.

3

Wpływ intensyfikacji procesu metalizacji bezprądowej na podstawowe parametry elektryczne rezystywnego stopu Ni-P

Kowalik P., Pruszowski Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 9

96-97

PL

W niniejszej pracy zbadano wpływ zwiększania stężenia substratów w procesie metalizacji bezprądowej na szybkość reakcji chemicznej redukcji prowadzącej do otrzymania warstw rezystywnych typu Ni-P. W pracy zbadano również wpływ tak pojętej intensyfikacji procesu metalizacji na rezystancję końcową oraz temperaturowy współczynnik rezystancji rezystorów otrzymanych na bazie tych warstw.

EN

In the present study investigated the effect of increasing concerrations of substrates in the chemical metallization on the speed of chemical reaction leading to the reduction in receipt of a resistive layer of Ni-P. The study also examined the impact of such a metallization process intensification understood the final resistance and temperature coefficient of resistance of resistors from such layers.

4

Performance of Environmental T-shape Noise Barriers Covered with Primitive Root Diffusers

Monazzam M. R., Naderzadeh M., Nassiri P., Fard S. M. B.

Archives of Acoustics

|

2010

|

Vol. 35, No. 4

565-578

EN

There is a considerable increase in the use of noise barriers in recent years. Noise barriers as a control noise solution can increase the insertion loss to protect receivers. This paper presents the results of an investigation about the acoustic efficiency of primitive root sequence diffuser (PRD) on an environmental single T-shape barrier design. A 2D boundary element method (BEM) is used to predict the insertion loss of the tested barriers. The results of rigid and with a different sequence diffuser coverage are also predicted for comparison. Employing PRD on the top surface of T-shape barrier has been found to improve the performance of barriers in comparison with the use of rigid and QRD coverage at the examined receiver locations. It has been found that decreasing the design frequency of PRD shifts the frequency effects towards lower frequencies, and therefore the overall A-weighted insertion loss is improved. It was also found that using wire mesh with reasonably efficient resistivity on the top surface of PRD improves the efficiency of the reactive barriers; however utilizing wire meshes with flow resistivity higher than the specific acoustic impedance of air on the PRD top of a diffuser barrier significantly reduces the performance of the barrier within the frequency bandwidth of the diffuser. The performance of a PRD covered T-shape barrier at 200 Hz was found to be higher than that of its equivalent QRD barriers in both the far field and in areas close to the ground. The amount of improvement compared made by PRD barrier compared with its equivalent rigid barrier at far field is about 2 to 3 dB, while this improvement relative to the barrier model "QR4”"can reach up to 4–6 dB.